遠(yuǎn)翔DC-DC電源管理大功率升壓恒壓芯片F(xiàn)P5207B DFN-10L(EP)封裝 帶軟啟動可調(diào)頻率可調(diào)

方案名稱

遠(yuǎn)翔DC-DC電源管理大功率升壓恒壓芯片FP5207B DFN-10L(EP)封裝 帶軟啟動可調(diào)頻率可調(diào)

芯片概述

FP5207B是一款大功率異步升壓恒壓芯片，外置N溝MOS驅(qū)動，與肖特基和電感形成回路組成升壓架構(gòu);工作電壓低至2.8V啟動，可適用已單節(jié)電池供電，高至24V寬壓工作，甚至可通過外部三極管穩(wěn)壓高壓供電;恒壓基準(zhǔn)(VFB)為1.2V±2%，電壓高誤差小，提高輸出的準(zhǔn)確度;工作頻率(RT)可調(diào)為100-1000KHz，可根據(jù)需求調(diào)整頻率段;軟啟動(SS)可調(diào)，可根據(jù)需要啟動時間來調(diào)整。

芯片特色

效率高達(dá)90%以上

低功耗，芯片關(guān)機功耗最低3uA

啟動電壓2.8V，穩(wěn)定工作電壓5-24V，擴(kuò)展電壓為24-48V

恒壓基準(zhǔn)值為1.2V±2%

工作頻率100-1000KHz

芯片軟啟動可調(diào)（SS）

芯片輸入具有可調(diào)過流保護(hù)（OCP）

芯片輸入低壓保護(hù)（UVP）

芯片具有過溫保護(hù)（OTP）

腳位描述

線路圖

應(yīng)用元件

C1、C7：輸入與輸出穩(wěn)壓電容。

C2、C6、C8：高頻噪聲濾波電容。

C3：輸入電源接 HVDD 經(jīng)過內(nèi)部穩(wěn)壓管到 VDS 產(chǎn)生 8V，此電壓會提供內(nèi)部電路與 EXT Pin驅(qū)動外部 Q2 的閘極，需要加穩(wěn)壓電容。

C4、C5、C13、R1、R5：系統(tǒng)的補償回路，關(guān)系到系統(tǒng)的穩(wěn)定度。

C17：軟啟動電容，改變電容值調(diào)整啟動時間。

L1：電感具有儲能與濾波功用，感值越大電感漣波越小，相對感值越小漣波越大。選用電感需注意電感是否適合高頻操作，及電感額定飽和電流值。

D1：當(dāng) Q2 截止時，D1 蕭特基管導(dǎo)通提供電感放電回路。

Q2：使用內(nèi)阻低的 NMOS，Drain 端高電壓等于輸出 19V，耐壓選用 19V 的 1.5 倍。

R3：Vin 與 EN 之間接 200kΩ，自動啟動 IC。

R6：調(diào)整工作頻率電阻。

R11、R12：分壓電阻設(shè)定輸出電壓。

R8：預(yù)留作為 EMI 對策。

Rcs：電感峰值電流檢測與過電流保護(hù)電阻。

PCB圖片

注意事項:

大電流路徑走線要粗，鋪銅走線最佳。

開關(guān)切換連接點 L1、Q2 的 Drain 端與 D1，走線要短與粗，鋪銅走線最佳。

輸入電容 C6 靠近 HVDD 與 GND Pin，達(dá)到穩(wěn)壓與濾波功效。

分壓電阻 R11/R12 靠近 FB 與 GND Pin。

FB Pin 遠(yuǎn)離開關(guān)切換點 L1、Q2 的 Drain 與 D1，避免受到干擾。

輸入電容 C1/C2 的地、輸出電容 C7/C8 與 Rcs 的地，鋪銅走線，上下層地多打洞連接。

輸出電容 C7/C8 的地一定要靠近 Rcs 的地，可以降低開關(guān)切換突波，降低輸出高頻噪聲。

Rcs 靠近 CS 與 GND pin。

板子多余空間建議鋪地。

調(diào)頻曲線

調(diào)頻公式

可調(diào)限流

限流公式

軟啟動公式