30V超低內(nèi)阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是 N溝道增強型功率MOS場效應晶體管,采用士蘭的LVMOS工藝技術制造。具有較低的導通電阻、優(yōu)越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。
30v大電流mos管SVG030R7NL5:采用PDFN-8-5X6封裝,漏源電壓VDS=30V,漏極電流Tc=25℃:282A,導通電阻RDs(on)(典型值)=0.7mΩ@VGs=10V,具有低柵極電荷、快關速度快、低反向傳輸電容等特點。
30V低壓mos管SVG031R1NL5:采用PDFN-8-5X6封裝,漏源電壓VDS=30V,漏極電流Tc=25℃:229A,導通電阻RDs(on)(典型值)=1.1mΩ@VGs=10V。
30v貼片mos管SVG031R7NL5:采用PDFN-8-5X6封裝,漏源電壓VDS=30V,漏極電流Tc=25℃:138A,導通電阻RDs(on)(典型值)=1.7mΩ@VGs=10V。
耐壓30v mos管SVG032R4NL5:采用PDFN-8-5X6封裝,漏源電壓VDS=30V,漏極電流Tc=25℃:100A,導通電阻RDs(on)(典型值)=2.4mΩ@VGs=10V。
30V超低內(nèi)阻mos管系列均采用PDFN-8-5X6封裝,并已大批量量產(chǎn),典型應用于電源市場同步整流、小功率電機/電動工具、電子煙、鋰電分容柜等不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領域,更多MOS管產(chǎn)品手冊、參數(shù)等資料請向士蘭微代理驪微電子申請。>>
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