PN8611集成超低待機功耗原邊控制器、FB下偏電阻和電容、VDD供電二極管、CS電阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件超精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8611為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路,可實現(xiàn)芯片空載損耗(230VAC)小于50mW。
PN8611是一款全電壓實現(xiàn)12V1A輸出的電源適配器芯片,PCBA尺寸:50.0mm*38.0mm*16.0mm,12W功率輸出,待機功耗<75mW,平均效率:>83.26%,可滿足CoC V5 Tier 2,全電壓可實現(xiàn)±3%的CC/CV輸出精度,具有市電異常保護,輸出短路、VDD過壓、FB上電阻異常、肖特基短路、過溫等保護功能。
12v1a適配器方案亮點:
■ 高集成度,僅2顆外圍,1顆供電電容和1顆調(diào)節(jié)輸出電壓的反饋電阻;
■ 高恒壓恒流精度,利用CP trim和FT trim技術(shù),實現(xiàn)CC/CV 3%精度;
■ 高可靠性,精準(zhǔn)實現(xiàn)市電異常保護;
■ 高轉(zhuǎn)換效率,多工作模式輕松滿足CoC V5 Tier 2能效標(biāo);
■ 卓越EMC性能,無Y無共模,EMC余量大于6dB
基于PN8611的12V1A適配器方案,在BOM精簡至21顆元器件的情況下,方案依然可滿足CoC V5 Tier 2能效要求且安規(guī)、EMC余量充足,實乃應(yīng)對12V1A適配器激烈競爭中的一把利刃,更多Demo的圖紙、BOM、變壓器設(shè)計、測試數(shù)據(jù)、應(yīng)用要點等詳細資料,請向驪微電子申請。>>
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