先進制程芯片分析能力介紹-微區(qū)分析技術(shù)TEM

透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope,簡稱TEM)，是一種以電子束為光源的基于電子顯微學(xué)的微觀物理結(jié)構(gòu)分析技術(shù)，分辨率最高可以達到0.1nm左右。TEM技術(shù)的出現(xiàn)，大大提高了人類肉眼觀察顯微結(jié)構(gòu)的極限，是半導(dǎo)體領(lǐng)域必不可少的顯微觀察設(shè)備，也是半導(dǎo)體領(lǐng)域工藝研發(fā)、量產(chǎn)工藝監(jiān)控、工藝異常分析等不可缺少的設(shè)備。

TEM在半導(dǎo)體領(lǐng)域具有非常廣泛的用途，如晶圓制造工藝分析、芯片失效分析、芯片逆向分析、鍍膜及刻蝕等半導(dǎo)體工藝分析等等，客戶群體遍布晶圓廠、封裝廠、芯片設(shè)計公司、半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)、材料研發(fā)、高?？蒲性核?。

TEM技術(shù)團隊能力介紹

廣電計量的TEM技術(shù)團隊由陳振博士牽頭，團隊技術(shù)骨干的相關(guān)行業(yè)經(jīng)驗均在5年以上，不僅具有豐富的TEM結(jié)果解析經(jīng)驗，還具有豐富的FIB制樣經(jīng)驗，具備7nm及以上先進制程晶圓的分析能力及各種半導(dǎo)體器件關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的解析能力，目前服務(wù)的客戶遍布國內(nèi)一線的晶圓廠、封裝廠、芯片設(shè)計公司、高校科研院所等，并受到客戶廣泛的認可。

設(shè)備能力介紹

TEM設(shè)備

TEM型號：Talos F200X 參數(shù)

電子槍：X-FEG

200Kv時亮度1.8*109 [A/cm2/Sr]

EDS探頭型號：Super-X

HRTEM信息分辨率：0.12 nm

HRSTEM分辨率：0.16 nm

TEM樣品制備設(shè)備DB FIB

DB FIB型號：Helios 5 CX 參數(shù)

離子源：液態(tài)鎵離子源

EDS探頭型號/有效活區(qū)面積：Ultim Max65/65mm2

離子束分辨率：2.5 nm@30Kv

電子束分辨率：1.0 nm@1.0 Kv,0.6nm@15Kv

TEM服務(wù)項目介紹

關(guān)于陳振博士

陳振 無錫廣電計量副總經(jīng)理

復(fù)旦大學(xué)材料物理專業(yè)博士，上海市“科技創(chuàng)新行動計劃”技術(shù)平臺負責人，無錫市發(fā)展改革研究中心決策咨詢專家，南京大學(xué)和西安電子科技大學(xué)碩士研究生兼職導(dǎo)師，上海“菊園工匠”、“嘉定技術(shù)能手”，負責的先進制程芯片檢測項目入選“上海市十大檢驗檢測創(chuàng)新案例”。

曾參與國家重點研發(fā)計劃項目2項，國家自然基金面上項目3項，國外高水平期刊發(fā)表SCI論文8篇，申請發(fā)明專利1項，出版光電傳感器英文論著1部。