01背景
鈮酸鋰多功能集成件(Y波導(dǎo))采用微電子工藝在鈮酸鋰晶片上制造波導(dǎo)和電極,光纖與波導(dǎo)精密耦合可讓外部光源耦合進(jìn)Y波導(dǎo)中,通過電壓調(diào)制可實(shí)現(xiàn)輸入光的起偏、檢偏、分束、合束、相位調(diào)制等功能。Y波導(dǎo)有著尺寸小、重量輕、穩(wěn)定性好的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于光纖陀螺儀、光纖水聽器、光纖電流傳感器等其他光纖傳感領(lǐng)域。
本文使用高分辨光學(xué)鏈路診斷儀(OCI)對Y波導(dǎo)插損進(jìn)行測量,OCI基于OFDR技術(shù),可實(shí)現(xiàn)分布式插損和回?fù)p測量,可輕松診斷光學(xué)鏈路沿線分布式損耗和回?fù)p。
02背向散射法測損耗
背向散射法是指定被測件DUT前一點(diǎn)的光功率作為測量回?fù)p(RL)的入射光功率,進(jìn)而獲得RL值。時(shí)域曲線包含光纖沿線損耗分布,插損值可通過DUT前后回?fù)p值計(jì)算得到,公式為:IL=(RL1-RL2)/2。
光頻域反射技術(shù)(OFDR)可通過背向散射法測量整段光纖的回?fù)p曲線,利用回?fù)p和插損之間的關(guān)系可以得到整條曲線各個(gè)點(diǎn)的損耗。
圖1. 背向散射法測量原理
如圖1所示,假定DUT前后測量位置為1、2,其對應(yīng)的光功率分別為P1、P2,對應(yīng)的散射系數(shù)分別為α1、α2,則其對應(yīng)的反射光功率分別為:Pr1=P1×α1、Pr2=P2×α2。
DUT的插損為:IL=-10lg (P2/P1)。
1、2處的回?fù)p分別為:RL1=-10lg(Pr1/P0)、RL2=-10lg(Pr2/P0)。當(dāng)1、2處光纖的散射系數(shù)相同時(shí),可推導(dǎo)出IL=(RL1-RL2)/2(背向散射法是反射式測量,光信號往返兩次經(jīng)過DUT,因此需除以2)。
03Y波導(dǎo)插損測量
如圖2所示,在Y波導(dǎo)1端口、2端口、3端口分別熔接保偏光纖,由于OCI測試鏈路插損采用背向散射法測量,從1端口接入OCI測試Y波導(dǎo)插損,2端口和3端口都有光反射回去,測試的是Y波導(dǎo)整體插損。想要測Y波導(dǎo)每個(gè)分支插損需要分別從2、3端口接入儀器測量,利用背向散射測插損方法測試2端口和3端口到1端口的插損。
圖2 Y波導(dǎo)測試示意圖
OCI測試Y波導(dǎo)插損結(jié)果如圖3、4所示,按照上述背向散射測插損方法,測得2端口和3端口到1端口的插損分別為6.84dB和6.37dB。
圖3 2端口接入插損測試結(jié)果
圖4 3端口接入插損測試結(jié)果
04結(jié)論
使用OCI能快速準(zhǔn)確測試出Y波導(dǎo)每個(gè)分支的插損,形成分布式插損測量,可用于評估Y波導(dǎo)插損參數(shù)和端口耦合質(zhì)量,為器件可靠運(yùn)行提供保障。
來源:大話光纖傳感
審核編輯:湯梓紅
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原文標(biāo)題:【光電通信】Y波導(dǎo)插損測量
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