PTVA04250?L波段寬帶放大器CREE
CREE的PTVA042502EC和PTVA042502FCLDMOSFET設計適用于470MHz至806MHz頻率段的功率放大器應用。特性包括高增益和耐高溫增強型封裝，具有螺母穩(wěn)固或無耳法蘭盤。PTVA04250選用Wolfspeed最先進的LDMOS工藝技術；PTVA04250提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和優(yōu)質的安全可靠性。
特征
輸入適配
集成化ESD保護
模特模型1C級（按照ANSI/ESDA/JEDECJS-001）
低傳熱系數(shù)
滿足RoHS標準
在DVB-T數(shù)據(jù)信號情況下，峰值功率為55W時能承受10:1VSWR
應用領域
470–806MHz頻率段的功率放大器
CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創(chuàng)新產品，CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業(yè)內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產品為特色。
深圳市立維創(chuàng)展科技是CREE的經銷商，擁有CREE微波器件優(yōu)勢供貨渠道，并長期庫存現(xiàn)貨，以備中國市場需求。
| Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
| PTVA042502EC-V1 | LDMOS | 0.47 GHz | 0.806 GHz | 250 W | 19 dB | 26% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |
| PTVA042502FC-V1 | LDMOS | 0.47 GHz | 0.806 GHz | 250 W | 19 dB | 26% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Earless |
審核編輯 黃宇
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