0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

美光推出CZ120內(nèi)存擴(kuò)展模塊

Micron美光科技 ? 來(lái)源:Micron美光科技 ? 2023-08-10 14:12 ? 次閱讀

Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布已為客戶及合作伙伴出樣美光 CZ120 內(nèi)存擴(kuò)展模塊。該模塊擁有 128GB 和 256GB 兩種容量,采用 E3.S 2T 外形規(guī)格,支持 PCIe 5.0 x8 接口。此外,CZ120 模塊能夠提供高達(dá) 36GB/s 的內(nèi)存讀取/寫入帶寬1,并在需要增加內(nèi)存容量和帶寬時(shí)為標(biāo)準(zhǔn)服務(wù)器系統(tǒng)提供增強(qiáng)支持。CZ120 模塊使用 Compute Express Link (CXL)標(biāo)準(zhǔn),并完全支持 CXL 2.0 Type 3 標(biāo)準(zhǔn)。美光 CZ120 通過(guò)獨(dú)特的雙通道內(nèi)存架構(gòu)和大規(guī)模量產(chǎn)的 DRAM 制程提供了更高的容量及帶寬。大容量?jī)?nèi)存將使眾多工作負(fù)載從中受益,例如 AI 訓(xùn)練和推理模型、軟件即服務(wù)(SaaS)應(yīng)用、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)、高性能計(jì)算,以及能在本地或云端管理程序上運(yùn)行的通用計(jì)算工作負(fù)載等。

美光先進(jìn)內(nèi)存系統(tǒng)產(chǎn)品部門副總裁

Siva Makineni 表示:

“美光為重要客戶出樣 CZ120,加速了 CXL 內(nèi)存的推廣普及。我們使用支持 CXL 標(biāo)準(zhǔn)的英特爾AMD 兩大平臺(tái)開發(fā)和測(cè)試 CZ120 內(nèi)存擴(kuò)展模塊。美光通過(guò)產(chǎn)品創(chuàng)新,與 CXL 生態(tài)系統(tǒng)緊密合作,將加快這一標(biāo)準(zhǔn)的日益普及,并與業(yè)界同心協(xié)力,致力滿足對(duì)數(shù)據(jù)中心及內(nèi)存密集型工作負(fù)載不斷增長(zhǎng)的需求?!?/p>

英特爾技術(shù)倡議總監(jiān)

Jim Pappas 表示:

“為了加快建立并擴(kuò)展 CXL 生態(tài)系統(tǒng)的行業(yè)倡議,英特爾正在與美光合作,在第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器和至強(qiáng)平臺(tái)上測(cè)試并評(píng)估美光的 CZ120 內(nèi)存擴(kuò)展模塊?!?/p>

AMD 服務(wù)器系統(tǒng)高級(jí)架構(gòu)師

Mahesh Wagh 表示:

“AMD 和美光擁有長(zhǎng)期的成功合作經(jīng)歷。自從我們推出 EPYC(霄龍)處理器以來(lái),美光內(nèi)存產(chǎn)品已在采用 AMD EPYC 處理器的多個(gè)平臺(tái)上得到驗(yàn)證。隨著 CXL 標(biāo)準(zhǔn)的引入,我們還將合作拓展到了美光 CZ120 內(nèi)存擴(kuò)展模塊。我們最近使用 CZ120 模塊對(duì) AMD EPYC 9754 處理器進(jìn)行了測(cè)試,與僅使用 DRAM 相比,它在 TPC-H 基準(zhǔn)測(cè)試中取得了出色的性能成績(jī)?!?/p>

符合條件的客戶及合作伙伴可通過(guò)加入美光技術(shù)賦能計(jì)劃(TEP),盡享美光一流的合作、質(zhì)量和客戶支持。此外,該賦能計(jì)劃還能為 CXL 設(shè)計(jì)提供實(shí)操支持;為產(chǎn)品開發(fā)和評(píng)估提供各種技術(shù)資源,例如數(shù)據(jù)手冊(cè)、電氣和熱力模型;并提供與信號(hào)完整性和其他技術(shù)支持相關(guān)的工程設(shè)計(jì)咨詢。

美光基于 CXL 的大容量?jī)?nèi)存擴(kuò)展模塊可以更靈活地構(gòu)建具有更大內(nèi)存容量和低延遲的服務(wù)器,以滿足應(yīng)用工作負(fù)載需求。相較于僅使用 RDIMM 內(nèi)存2的服務(wù)器,CZ120 能使數(shù)據(jù)庫(kù)每日查詢次數(shù)提升最高 96%,單個(gè) CPU 的內(nèi)存讀取/寫入帶寬提升 24%。通過(guò) 256GB 的 CZ120 內(nèi)存擴(kuò)展模塊,獨(dú)立軟件供應(yīng)商、云服務(wù)提供商、原始設(shè)備制造商(OEM)和原始設(shè)計(jì)制造商(ODM)能為服務(wù)器增加高達(dá) 2TB 的內(nèi)存容量3。在無(wú)需增加服務(wù)器的情況下,更大的容量意味著更強(qiáng)的性能和更高的內(nèi)存帶寬。通過(guò)更好地利用企業(yè)和云端應(yīng)用的計(jì)算和內(nèi)存資源,企業(yè)可減少其數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的資本和運(yùn)營(yíng)支出。

CXL 聯(lián)盟主席

Larrie Carr 表示:

“美光為 CXL 聯(lián)盟做出了重要貢獻(xiàn),通過(guò)增強(qiáng) CXL 規(guī)范中的內(nèi)存測(cè)試和修復(fù)功能,為企業(yè)和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用需求提供了更強(qiáng)的可靠性、可用性及服務(wù)性能?!?/p>

Microchip (微芯科技)

數(shù)據(jù)中心解決方案事業(yè)部營(yíng)銷總監(jiān)

Samer Haija 表示:

“微芯科技的 SMC2000 智能內(nèi)存控制器擁有大容量擴(kuò)展和強(qiáng)大性能,可節(jié)省延遲所導(dǎo)致的營(yíng)運(yùn)開支。與美光的合作使我們能夠?qū)⑵鋬?nèi)存架構(gòu)專業(yè)知識(shí)與微芯科技的控制器相結(jié)合,從而加快創(chuàng)新,設(shè)計(jì)出基于 CXL 的內(nèi)存擴(kuò)展解決方案,以滿足 AI 及數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域高可靠性的工作負(fù)載需求?!?/p>

Supermicro(超微)全球銷售高級(jí)副總裁

Don Clegg 表示:

“超微與美光的持續(xù)合作將惠及各類關(guān)鍵客戶。美光的 CZ120 內(nèi)存擴(kuò)展模塊采用 E3.S 外形規(guī)格和 PCIe 5.0 接口,并借助 CXL 實(shí)現(xiàn)更好的內(nèi)存功能,助力超微的千兆級(jí)服務(wù)器和存儲(chǔ)產(chǎn)品組合為數(shù)據(jù)中心部署和內(nèi)存密集型工作負(fù)載提供有效、經(jīng)過(guò)測(cè)試及驗(yàn)證的解決方案?!?/p>

1通過(guò)在單個(gè) CZ120 內(nèi)存擴(kuò)展模塊上以 2:1 的讀取/寫入比例運(yùn)行 MLC 工作負(fù)載進(jìn)行測(cè)量。

2使用 12 個(gè)美光 64GB 容量 4800 MT/s RDIMM 內(nèi)存模塊+4 個(gè) 256GB 容量 CZ120 內(nèi)存擴(kuò)展模塊,與僅使用 RDIMM 內(nèi)存相比的 MLC 帶寬。

3通過(guò)添加 8 個(gè) 256GB 容量 CZ120 內(nèi)存擴(kuò)展模塊,可能會(huì)受到系統(tǒng)限制的影響。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • DRAM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    2320

    瀏覽量

    183698
  • 服務(wù)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    12

    文章

    9262

    瀏覽量

    85768
  • 內(nèi)存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    3042

    瀏覽量

    74182
  • 美光
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    715

    瀏覽量

    51444

原文標(biāo)題:美光推出內(nèi)存擴(kuò)展模塊,加速 CXL 2.0 推廣

文章出處:【微信號(hào):gh_195c6bf0b140,微信公眾號(hào):Micron美光科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    新加坡HBM內(nèi)存封裝工廠破土動(dòng)工

    近日,全球領(lǐng)先的HBM內(nèi)存制造商之一——宣布,其位于新加坡的HBM內(nèi)存先進(jìn)封裝工廠項(xiàng)目已于當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日正式破土動(dòng)工。這座工廠預(yù)計(jì)將于2026年正式投入運(yùn)營(yíng),成為新加坡當(dāng)?shù)氐氖准掖祟?/div>
    的頭像 發(fā)表于 01-09 16:02 ?264次閱讀

    發(fā)布新型CUDIMM與CSODIMM內(nèi)存產(chǎn)品

     公司近期宣布成功推出并已開始批量發(fā)貨兩款新型內(nèi)存模塊——CUDIMM與CSODIMM,這兩款產(chǎn)品均遵循JEDEC固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)的標(biāo)準(zhǔn),數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 10-16 14:38 ?637次閱讀

    將在西安工廠率先啟動(dòng)LPCAMM和MRDIMM內(nèi)存模組量產(chǎn)

    據(jù)最新韓媒報(bào)道,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商科技已決定在中國(guó)西安的工廠率先啟動(dòng)LPCAMM(低功耗客戶異步內(nèi)存模組)和MRDIMM(多排名直接內(nèi)存訪問(wèn)
    的頭像 發(fā)表于 09-02 16:42 ?663次閱讀

    推出數(shù)據(jù)中心SSD產(chǎn)品9550 NVMe SSD新品

    科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布,推出數(shù)據(jù)中心 SSD 產(chǎn)品 9550 NVMe SSD,性能業(yè)界領(lǐng)先,同時(shí)具備卓
    的頭像 發(fā)表于 07-29 18:12 ?1182次閱讀

    推出全新MRDIMM內(nèi)存,引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心內(nèi)存新紀(jì)元

    工智能(AI)等內(nèi)存密集型應(yīng)用場(chǎng)景,對(duì)內(nèi)存技術(shù)的要求也達(dá)到了前所未有的高度。近日,全球領(lǐng)先的DRAM大廠科技宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破——多重存取雙列直插式
    的頭像 發(fā)表于 07-22 15:19 ?655次閱讀

    MRDIMM內(nèi)存發(fā)布,加速數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載

    科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布,已出樣多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊(MRDIMM)。該款 MRDIMM 將賦能
    的頭像 發(fā)表于 07-22 14:06 ?594次閱讀

    科技推出多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊(MRDIMM)

    全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案提供商科技(納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布成功推出其首款多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊(MRDIMM),這一創(chuàng)
    的頭像 發(fā)表于 07-19 14:12 ?635次閱讀

    內(nèi)存助力未來(lái)AI技術(shù)更強(qiáng)大、更智能

    近日,團(tuán)隊(duì)在 NVIDIA GTC 大會(huì)上展示了業(yè)界前沿的 AI 內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品組合。這些產(chǎn)品引起了參展商和與會(huì)者的極大興趣和廣泛關(guān)注,本博客介紹了其中的一些細(xì)節(jié)。
    的頭像 發(fā)表于 06-18 14:29 ?638次閱讀

    敗訴!或賠償4.45億美元

    產(chǎn)品侵犯了 Netlist的兩項(xiàng)專利,這些專利與提高內(nèi)存模塊性能的技術(shù)有關(guān)。賠償金額定為4.45億美元,但陪審員還裁定故意侵犯專利,這可能導(dǎo)致法官將賠償金額增加三倍。 據(jù)報(bào)道,Ne
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:23 ?401次閱讀

    科技面臨4.45億美元侵權(quán)賠償

    美國(guó)得克薩斯州東區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院近日作出裁決,科技被認(rèn)定侵犯了Netlist在高性能計(jì)算內(nèi)存模塊技術(shù)方面的專利權(quán)。根據(jù)陪審團(tuán)的決定,
    的頭像 發(fā)表于 05-28 09:54 ?502次閱讀

    推LPDDR5X內(nèi)存,助提升手機(jī)電池續(xù)航

    參考IT之家早先報(bào)道,首批9.6GbpsLPDDR5X內(nèi)存于去年10月面世,最大容量16GB,適配高通驍龍8Gen3平臺(tái);SK海力士亦在2023年推出同速LPDDR5T
    的頭像 發(fā)表于 04-15 15:05 ?784次閱讀

    LPDDR5X內(nèi)存模塊LPCAMM2掀起革新風(fēng)暴

    進(jìn)入新時(shí)代,隨著人工智能PC等新技術(shù)的崛起,傳統(tǒng)內(nèi)存已然無(wú)法滿足現(xiàn)實(shí)需求。近期,全球內(nèi)存巨頭首次發(fā)布了新型基于LPDDR5x的LPCAMM2內(nèi)存
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:25 ?802次閱讀

    推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊

    科技近日宣布推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊(LPCAMM2),這款產(chǎn)品提供了從16GB至64GB的容量選項(xiàng),旨在為PC提供更高性
    的頭像 發(fā)表于 01-19 16:20 ?745次閱讀

    發(fā)布基于LPDDR5X的LPCAMM2內(nèi)存模塊

    Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊
    的頭像 發(fā)表于 01-19 16:00 ?781次閱讀

    發(fā)布LPCAMM2內(nèi)存模組,可自升級(jí),有望引領(lǐng)筆記本電腦行業(yè)

    為此,多家科技巨頭正在研究新的解決方案——LPCAMM 內(nèi)存,希望能解決上述問(wèn)題。例如,公司在 CES 2024 上推出了全球第一款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加
    的頭像 發(fā)表于 01-19 10:34 ?851次閱讀