0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英諾賽科100V GaN再添新品,采用FCQFN封裝

愛美雅電子 ? 來源:jf_45550425 ? 作者:jf_45550425 ? 2023-08-14 15:07 ? 次閱讀

引言

英諾賽科(Innoscience)一直致力于推動(dòng)GaN技術(shù)的發(fā)展,從而推動(dòng)新一代電力電子設(shè)備的快速普及。2023年8月,英諾賽科推出了一款100V的GaN新品,采用FCQFN封裝,再次彰顯了其在GaN領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

首先,我們來看看FCQFN封裝。FCQFN是一種無引腳的陶瓷封裝技術(shù),這種封裝技術(shù)以其優(yōu)良的散熱性能和可靠性而受到電子設(shè)備制造商的廣泛青睞。在新型100V GaN產(chǎn)品中使用FCQFN封裝,能夠確保高功率密度和低熱量產(chǎn)生。這無疑為其在高功率應(yīng)用中的廣泛應(yīng)用提供了強(qiáng)大的技術(shù)支持。

接下N封裝,再次彰顯了其在GaN領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

首先,我們來看看FCQFN封裝。FCQFN是一種無引腳的陶瓷封裝技術(shù),這種封裝技術(shù)以其優(yōu)良的散熱性能和可靠性而受到電子設(shè)備制造商的廣泛青睞。在新型100V GaN產(chǎn)品中使用FCQFN封裝,能夠確保高功率密度和低熱量產(chǎn)生。這無疑為其在高功率應(yīng)用中的廣泛應(yīng)用提供了強(qiáng)大的技術(shù)支持。

接下來,我們再來談?wù)動(dòng)⒅Z賽科。英諾賽科是一家全球領(lǐng)先的GaN材料和解決方案供應(yīng)商,它一直致力于創(chuàng)新和發(fā)展高性能、小尺寸、高能效的GaN技術(shù)。這次推出的100V GaN新品,再次證明了其在GaN材料和解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。英諾賽科擁有大量的技術(shù)專利,其高性能的GaN器件和解決方案已廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、通信系統(tǒng)、電源管理、來,我們再來談?wù)動(dòng)⒅Z賽科。英諾賽科是一家全球領(lǐng)先的GaN材料和解決方案供應(yīng)商,它一直致力于創(chuàng)新和發(fā)展高性能、小尺寸、高能效的GaN技術(shù)。這次推出的100V GaN新品,再次證明了其在GaN材料和解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。英諾賽科擁有大量的技術(shù)專利,其高性能的GaN器件和解決方案已廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、通信系統(tǒng)、電源管理、物聯(lián)網(wǎng)等多個(gè)領(lǐng)域。

英諾賽科的新品采用了FCQFN封裝,這是一種先進(jìn)的封裝形式,具有緊湊、高性能、低熱阻、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。FCQFN封裝形式的使用可以顯著提高產(chǎn)品的性能和可靠性,同時(shí)也可以降低產(chǎn)品的體積和成本。FCQFN封裝技術(shù)也是目前市場上的一種主流技術(shù),許多高端的GaN產(chǎn)品都采用了FCQFN封裝。

英諾賽科的100V G物聯(lián)網(wǎng)等多個(gè)領(lǐng)域。

英諾賽科的新品采用了FCQFN封裝,這是一種先進(jìn)的封裝形式,具有緊湊、高性能、低熱阻、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。FCQFN封裝形式的使用可以顯著提高產(chǎn)品的性能和可靠性,同時(shí)也可以降低產(chǎn)品的體積和成本。FCQFN封裝技術(shù)也是目前市場上的一種主流技術(shù),許多高端的GaN產(chǎn)品都采用了FCQFN封裝。

英諾賽科的100V GaN產(chǎn)品采用了FCQFN封裝技術(shù),使得產(chǎn)品的性能得到了進(jìn)一步的提升。這款產(chǎn)品可以滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的需求,如5G通信、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源等。這款產(chǎn)品的推出進(jìn)一步豐富了英諾賽科的產(chǎn)品線,增強(qiáng)了英諾賽科在GaN領(lǐng)域的競爭力。

英諾賽科的100V GaN新品采用FCQFN封裝技術(shù),不僅可以滿足不同領(lǐng)域的需求,還可以提高產(chǎn)品的性能和可靠性aN產(chǎn)品采用了FCQFN封裝技術(shù),使得產(chǎn)品的性能得到了進(jìn)一步的提升。這款產(chǎn)品可以滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域的需求,如5G通信、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源等。這款產(chǎn)品的推出進(jìn)一步豐富了英諾賽科的產(chǎn)品線,增強(qiáng)了英諾賽科在GaN領(lǐng)域的競爭力。

英諾賽科的100V GaN新品采用FCQFN封裝技術(shù),不僅可以滿足不同領(lǐng)域的需求,還可以提高產(chǎn)品的性能和可靠性。未來,英諾賽科還將繼續(xù)在GaN領(lǐng)域進(jìn)行創(chuàng)新,為客戶提供更多優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和解決方案。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    126

    文章

    7901

    瀏覽量

    142965
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    1935

    瀏覽量

    73445
  • 英諾賽科
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    33

    瀏覽量

    10161
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    港股招股,引領(lǐng)功率半導(dǎo)體行業(yè)變革

    ,已成為推動(dòng)功率半導(dǎo)體行業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的核心力量。 在這一領(lǐng)域,(蘇州)科技股份有限公司(以下簡稱“
    的頭像 發(fā)表于 12-25 13:49 ?114次閱讀

    MBR20100CT肖特基二極管TO-220AB封裝100V電壓參數(shù)詳情

    MBR20100CT肖特基二極管TO-220AB封裝100V電壓參數(shù)詳情
    的頭像 發(fā)表于 10-31 17:18 ?658次閱讀
    MBR20100CT肖特基二極管TO-220AB<b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>100V</b>電壓參數(shù)詳情

    推出30V VGaN新品,拓寬電壓范圍

    近日宣布,其VGaN系列新成員——30V
    的頭像 發(fā)表于 10-15 17:14 ?447次閱讀

    英飛凌對提起追加訴訟,并向美國國際貿(mào)易委員會(huì)起訴

    英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)于2024年7月23日在美國加利福尼亞北區(qū)地方法院,對(珠海)科技有限公司、
    發(fā)表于 07-29 13:41 ?372次閱讀

    營業(yè)收入實(shí)現(xiàn)跨越式增長,持續(xù)推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新

    在半導(dǎo)體行業(yè)的快速變革中,(蘇州)科技股份有限公司以卓越的氮化鎵產(chǎn)品,已發(fā)展成為全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體高新技術(shù)企業(yè)。近期發(fā)布的招股書數(shù)據(jù)顯示,
    的頭像 發(fā)表于 07-08 12:53 ?302次閱讀

    IPO!三年?duì)I收超7億累計(jì)虧損67億,開拓海外市場

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)近期,作為業(yè)內(nèi)氮化鎵龍頭的向港交所遞交招股書,正式開始IPO之路。這家明星企業(yè)在公開招股書后,終于讓業(yè)內(nèi)人士看到了公司的經(jīng)營情況。那么,成立于20
    的頭像 發(fā)表于 06-17 00:11 ?4132次閱讀
    <b class='flag-5'>英</b><b class='flag-5'>諾</b><b class='flag-5'>賽</b><b class='flag-5'>科</b>IPO!三年?duì)I收超7億累計(jì)虧損67億,開拓海外市場

    氮化鎵芯片制造商赴港IPO

    (蘇州)科技股份有限公司近日正式向香港證券交易所遞交了首次公開募股(IPO)的上市申請,標(biāo)志著這家全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)正式邁出了登陸資本市場的重要步伐。
    的頭像 發(fā)表于 06-15 09:50 ?854次閱讀

    應(yīng)用需求升級(jí),100V GaN市場爆發(fā)?

    12V往48V升級(jí);而電動(dòng)汽車的低壓系統(tǒng),隨著電動(dòng)化的發(fā)展,車載電器功率越來越大,因此也正在從12V往48V發(fā)展。 ? 而為了應(yīng)對這些應(yīng)用的需求升級(jí),
    的頭像 發(fā)表于 06-04 00:24 ?2449次閱讀

    推出500W 電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案,消費(fèi)、工業(yè)雙向擊破

    問題,已成為限制中高端電機(jī)應(yīng)用的關(guān)鍵因素。因此,高效、高功率密度的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器已成為迫切需求。 采用新一代合封氮化鎵- ISG3202
    發(fā)表于 04-02 15:02 ?991次閱讀

    100V、35A GaN 半橋功率級(jí)LMG2100R044數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《100V、35A GaN 半橋功率級(jí)LMG2100R044數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-28 15:39 ?0次下載
    <b class='flag-5'>100V</b>、35A <b class='flag-5'>GaN</b> 半橋功率級(jí)LMG2100R044數(shù)據(jù)表

    GaN芯片制造商計(jì)劃香港上市

    近日,有消息透露,公司正籌備在今年內(nèi)赴香港進(jìn)行首次公開募股(IPO),預(yù)計(jì)融資規(guī)模將達(dá)到約3億美元。
    的頭像 發(fā)表于 03-25 15:40 ?917次閱讀

    英飛凌起訴專利侵權(quán)

    英飛凌就其GaN相關(guān)的美國專利對提起訴訟,目前正在尋求永久禁令! 3月14日英飛凌官網(wǎng)發(fā)布消息稱英飛凌科技股份有限公司(Infine
    的頭像 發(fā)表于 03-21 11:00 ?532次閱讀
    英飛凌起訴<b class='flag-5'>英</b><b class='flag-5'>諾</b><b class='flag-5'>賽</b><b class='flag-5'>科</b>專利侵權(quán)

    或?qū)⒏案凵鲜?/a>

    ,這家成立于2015年12月的高新技術(shù)企業(yè),近日傳出計(jì)劃今年內(nèi)在香港進(jìn)行IPO的消息,預(yù)計(jì)融資規(guī)模將達(dá)到3億美元。
    的頭像 發(fā)表于 03-20 14:36 ?1969次閱讀

    英飛凌訴專利糾紛,涉及GaN功率半導(dǎo)體

    英飛凌現(xiàn)已通過下屬子公司英飛凌科技奧地利公司,正式狀告位于珠海的、以及其在美分支機(jī)構(gòu)涉嫌侵犯有關(guān)GaN技術(shù)的美國專利,尋求永久禁令。
    的頭像 發(fā)表于 03-15 09:56 ?1088次閱讀

    英飛凌對提出專利侵權(quán)訴訟

    公司(Innoscience America, Inc)及其關(guān)聯(lián)公司(以下簡稱:)提起訴訟。英飛凌正在就其侵犯英飛凌擁有的一項(xiàng)與氮化鎵(Ga
    發(fā)表于 03-14 18:04 ?728次閱讀