0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)難點(diǎn) 氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)優(yōu)點(diǎn)

牛牛牛 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2023-08-08 15:04 ? 次閱讀

氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)難點(diǎn)

氮化鎵(GaN)有源相控陣?yán)走_(dá)是一種新型的雷達(dá)技術(shù),相比傳統(tǒng)的被動相控陣?yán)走_(dá)具有更高的性能和靈活性。然而,它也面臨一些挑戰(zhàn)和難點(diǎn),包括以下幾個方面:

1. 射頻功率和熱管理:GaN器件具有高功率密度和高熱耗散特性。在有源相控陣?yán)走_(dá)中,需要高功率的射頻信號來驅(qū)動每個天線元素,這要求對高功率GaN器件的射頻功率和熱管理進(jìn)行有效的設(shè)計(jì)和控制。

2. 集成度和尺寸限制:實(shí)現(xiàn)高集成度的有源相控陣?yán)走_(dá)需要在有限的尺寸內(nèi)集成大量的射頻芯片、天線陣列和相關(guān)電路。這涉及到高度復(fù)雜的制程工藝和封裝技術(shù),如芯片級封裝和3D集成等,以實(shí)現(xiàn)緊湊的尺寸和高度集成的系統(tǒng)。

3. 相干和相位同步:在有源相控陣?yán)走_(dá)中,不同的天線元素需要實(shí)現(xiàn)相干和相位同步,以確保波束形成和目標(biāo)跟蹤的準(zhǔn)確性。相干和相位同步需要高精度時鐘和同步信號,以及高性能和高穩(wěn)定性的射頻和數(shù)字電路設(shè)計(jì)。

4. 波束形成和信號處理:有源相控陣?yán)走_(dá)需要實(shí)現(xiàn)波束形成和信號處理算法,以實(shí)現(xiàn)波束的定向和集中能量到目標(biāo)。這涉及到復(fù)雜的信號處理、波束形成算法和硬件設(shè)計(jì),需要充分利用高性能的數(shù)字信號處理器DSP)和高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器(ADC/DAC)等技術(shù)。

5. 抗干擾和敵我識別:有源相控陣?yán)走_(dá)需要具備抗干擾和敵我識別的能力,以應(yīng)對復(fù)雜的電磁環(huán)境和電子對抗。這需要有效的信號處理算法和強(qiáng)大的時域處理能力,以區(qū)分目標(biāo)信號和干擾信號,并進(jìn)行敵我識別和目標(biāo)追蹤。

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和研究的深入,相信這些難點(diǎn)將逐漸得到解決,有源相控陣?yán)走_(dá)將在軍事、民用和航空航天等領(lǐng)域發(fā)揮更大的作用。

氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)探測距離

氮化鎵(GaN)有源相控陣?yán)走_(dá)的探測距離是由多個因素決定的,包括雷達(dá)系統(tǒng)的輸出功率、接收靈敏度、天線陣列尺寸和工作頻率等。以下是一些影響有源相控陣?yán)走_(dá)探測距離的因素:

1. 輸出功率:有源相控陣?yán)走_(dá)通過調(diào)控射頻信號的功率來形成波束并輻射出去,輸出功率的大小將直接影響信號的傳播距離。通常情況下,較高的輸出功率將增加雷達(dá)的探測距離。

2. 接收靈敏度:接收靈敏度指的是雷達(dá)系統(tǒng)接收到的最小信號強(qiáng)度。較高的接收靈敏度意味著雷達(dá)能夠探測到較低強(qiáng)度的回波信號,從而提高探測距離。

3. 天線陣列尺寸和指向性:天線陣列的尺寸和指向性對于波束形成和目標(biāo)探測距離影響較大。較大的天線陣列尺寸和較高的指向性將提高波束的聚焦能力和探測距離。

4. 工作頻率:雷達(dá)系統(tǒng)的工作頻率也會對探測距離產(chǎn)生影響。通常情況下,較高的工作頻率具有較短的波長,可以實(shí)現(xiàn)較高的空間分辨率,但傳播距離可能較短。較低的工作頻率具有較長的波長,可以實(shí)現(xiàn)較遠(yuǎn)的傳播距離,但空間分辨率可能較低。

還有其他因素如環(huán)境條件、天氣、目標(biāo)特性等也會對探測距離產(chǎn)生影響。因此,具體的探測距離需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用環(huán)境和具體參數(shù)進(jìn)行評估和預(yù)測。一般來說,氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)具有較遠(yuǎn)的探測距離,能夠適應(yīng)多種應(yīng)用需求。

氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)優(yōu)點(diǎn)

氮化鎵(GaN)有源相控陣?yán)走_(dá)相比傳統(tǒng)的被動相控陣?yán)走_(dá)具有一些顯著的優(yōu)點(diǎn),包括:

1. 高功率和較遠(yuǎn)的探測距離:GaN材料具有優(yōu)異的功率特性,能夠提供高功率射頻信號,從而實(shí)現(xiàn)較遠(yuǎn)的探測距離。有源相控陣?yán)走_(dá)能夠通過控制波束形成和調(diào)整發(fā)射功率,進(jìn)一步擴(kuò)大探測范圍。

2. 快速波束調(diào)整和高靈活性:有源相控陣?yán)走_(dá)利用每個天線單元的相移器來產(chǎn)生相位差,從而形成可控的波束。相比傳統(tǒng)雷達(dá),有源相控陣?yán)走_(dá)可以非常迅速地調(diào)整波束的指向,實(shí)現(xiàn)快速跟蹤和定位目標(biāo)。

3. 高空間分辨率和多目標(biāo)處理能力:由于有源相控陣?yán)走_(dá)在發(fā)射和接收階段都能夠進(jìn)行波束形成和收集波束回波,因此具有較高的空間分辨率。這意味著能夠更準(zhǔn)確地識別和跟蹤多個目標(biāo),提高雷達(dá)系統(tǒng)的可控性和多目標(biāo)處理能力。

4. 抗干擾和隱身目標(biāo)檢測能力:有源相控陣?yán)走_(dá)通過改變發(fā)射和接收波束的參數(shù),可以更好地對抗電磁干擾,提高對隱身目標(biāo)的探測和追蹤能力。同時,GaN器件的高功率特性也有助于克服干擾信號。

5. 尺寸和重量優(yōu)勢:相比傳統(tǒng)的機(jī)械掃描雷達(dá),有源相控陣?yán)走_(dá)采用電子波束調(diào)整,無需機(jī)械結(jié)構(gòu),因此可以實(shí)現(xiàn)緊湊的體積和輕量化設(shè)計(jì)。這使得有源相控陣?yán)走_(dá)更適合應(yīng)用于空間受限或需要便攜和移動性的場景。

綜上所述,氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)具備高功率、遠(yuǎn)距離探測、快速波束調(diào)整、高空間分辨率、多目標(biāo)處理、抗干擾和尺寸輕量化等優(yōu)點(diǎn),使其在軍事、航空航天、汽車、安防等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

編輯:黃飛

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 射頻信號
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    218

    瀏覽量

    20885
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    59

    文章

    1631

    瀏覽量

    116348
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    1935

    瀏覽量

    73424
  • 相控陣?yán)走_(dá)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    49

    瀏覽量

    10707
  • 有源相控陣?yán)走_(dá)

    關(guān)注

    1

    文章

    5

    瀏覽量

    1117
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    相控陣雷達(dá)電源芯片詳解

    。這些材料在一定程度上解決了第一代材料在高溫和高功率下的不足,進(jìn)一步拓展了相控陣雷達(dá)的應(yīng)用范圍?,F(xiàn)階段的主流材料是氮化(GaN)和碳化硅(SiC)。
    發(fā)表于 11-17 10:53

    MACOM:硅基氮化器件成本優(yōu)勢

    ,3000多種產(chǎn)品,應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋無線、光纖、雷達(dá)、有線通信及軍事通信等領(lǐng)域,2016年?duì)I收達(dá)到了5.443億美元。氮化是目前MACOM重點(diǎn)投入的方向,與很多公司的氮化
    發(fā)表于 09-04 15:02

    什么是氮化(GaN)?

    氮化南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化。氮化憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射
    發(fā)表于 07-31 06:53

    氮化充電器

    現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化充電器了,氮化充電器看起來很小,但是功率一般很大,可以給手機(jī)平板,甚至筆記本電腦充電。那么氮化
    發(fā)表于 09-14 08:35

    什么是氮化功率芯片?

    氮化(GaN)功率芯片,將多種電力電子器件整合到一個氮化芯片上,能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化
    發(fā)表于 06-15 14:17

    氮化功率芯片如何在高頻下實(shí)現(xiàn)更高的效率?

    橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中放大了氮化的頻率、密度和效率優(yōu)勢,如主動有源鉗位反激式(ACF)、圖騰柱PFC 和 LLC(CrCM 工作模式)。隨著硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)向軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變,初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方
    發(fā)表于 06-15 15:35

    什么是氮化(GaN)?

    氮化,由(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化
    發(fā)表于 06-15 15:41

    為什么氮化(GaN)很重要?

    氮化(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比,不僅性能優(yōu)異,應(yīng)用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中,傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面,已經(jīng)達(dá)到了它的物理
    發(fā)表于 06-15 15:47

    氮化: 歷史與未來

    的存在。1875年,德布瓦博德蘭(Paul-émile Lecoq de Boisbaudran)在巴黎被發(fā)現(xiàn),并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化的熔點(diǎn)只有30
    發(fā)表于 06-15 15:50

    為什么氮化比硅更好?

    ,在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變,初級FET的一般損耗方程可以最小化,從而提升至10倍的高頻率。 氮化功率芯片前所未有的性能表現(xiàn),
    發(fā)表于 06-15 15:53

    有關(guān)氮化半導(dǎo)體的常見錯誤觀念

    阻礙業(yè)界在各種應(yīng)用中采納氮化器件,例如氮化器件不僅使能激光雷達(dá)應(yīng)用,而且在硅MOSFET以前占據(jù)主導(dǎo)地位的傳統(tǒng)應(yīng)用中,如數(shù)據(jù)中心和車載電
    發(fā)表于 06-25 14:17

    有源相控陣雷達(dá)與無源相控陣雷達(dá)的功率比較_張光義

    有源相控陣雷達(dá)
    發(fā)表于 12-29 11:29 ?4次下載

    有源相控陣雷達(dá)這么貴的原因分析

    現(xiàn)在,戰(zhàn)機(jī)的電子設(shè)備幾乎貴到了令人發(fā)指的地步,比如說,現(xiàn)在比較流行的有源相控陣雷達(dá),動不動就上千萬美金。難道
    的頭像 發(fā)表于 01-05 09:43 ?1w次閱讀

    什么是相控陣天氣雷達(dá)?

    什么是相控陣天氣雷達(dá)?江艷軍向經(jīng)濟(jì)日報(bào)記者介紹,大興機(jī)場的相控陣天氣雷達(dá),是C波段全數(shù)字有源相控陣
    的頭像 發(fā)表于 09-22 10:55 ?8013次閱讀

    氮化芯片是什么?氮化芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化芯片和硅芯片區(qū)別

    氮化芯片是什么?氮化芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化芯片和硅芯片區(qū)別?
    的頭像 發(fā)表于 11-21 16:15 ?6587次閱讀