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硬件EMC設(shè)計(jì)規(guī)范!

硬件攻城獅 ? 來(lái)源:硬件攻城獅 ? 2023-07-31 14:21 ? 次閱讀

前言

電磁干擾的三要素是干擾源、干擾傳輸途徑、干擾接收器。EMC就圍繞這些問(wèn)題進(jìn)行研究。最基本的干擾抑制技術(shù)是屏蔽、濾波、接地。它們主要用來(lái)切斷干擾的傳輸途徑。廣義的電磁兼容控制技術(shù)包括抑制干擾源的發(fā)射和提高干擾接收器的敏感度,但已延伸到其他學(xué)科領(lǐng)域。

本規(guī)范重點(diǎn)在單板的EMC設(shè)計(jì)上,附帶一些必須的EMC知識(shí)及法則。在印制電路板設(shè)計(jì)階段對(duì)電磁兼容考慮將減少電路在樣機(jī)中發(fā)生電磁干擾。問(wèn)題的種類包括公共阻抗耦合、串?dāng)_、高頻載流導(dǎo)線產(chǎn)生的輻射和通過(guò)由互連布線和印制線形成的回路拾取噪聲等。

在高速邏輯電路里,這類問(wèn)題特別脆弱,原因很多:

1、電源與地線的阻抗隨頻率增加而增加,公共阻抗耦合的發(fā)生比較頻繁;

2、信號(hào)頻率較高,通過(guò)寄生電容耦合到步線較有效,串?dāng)_發(fā)生更容易;

3、信號(hào)回路尺寸與時(shí)鐘頻率及其諧波的波長(zhǎng)相比擬,輻射更加顯著。

4、引起信號(hào)線路反射的阻抗不匹配問(wèn)題。

……

01總體概念及考慮

1、五一五規(guī)則,即時(shí)鐘頻率到5MHz或脈沖上升時(shí)間小于5ns,則PCB板須采用多層板。

2、不同電源平面不能重疊。

3、公共阻抗耦合問(wèn)題。


模型:

f64955d0-2f57-11ee-815d-dac502259ad0.jpg


VN1=I2ZG為電源I2流經(jīng)地平面阻抗ZG而在1號(hào)電路感應(yīng)的噪聲電壓。


由于地平面電流可能由多個(gè)源產(chǎn)生,感應(yīng)噪聲可能高過(guò)模電的靈敏度或數(shù)電的抗擾度。

解決方法:
模擬數(shù)字電路應(yīng)有各自的回路,最后單點(diǎn)接地;

②電源線與回線越寬越好;

③縮短印制線長(zhǎng)度;

④電源分配系統(tǒng)去耦。


4、減小環(huán)路面積及兩環(huán)路的交鏈面積。


5、一個(gè)重要思想是:PCB上的EMC主要取決于直流電源線的Z

f66fd5f2-2f57-11ee-815d-dac502259ad0.jpg

02布局

下面是電路板布局準(zhǔn)則:

f67c23e8-2f57-11ee-815d-dac502259ad0.jpg


1、 晶振盡可能靠近處理器

2、 模擬電路與數(shù)字電路占不同的區(qū)域

3、 高頻放在PCB板的邊緣,并逐層排列

4、 用地填充空著的區(qū)域

03布線

1、電源線與回線盡可能靠近,最好的方法各走一面。

2、為模擬電路提供一條零伏回線,信號(hào)線與回程線小與5:1。

3、針對(duì)長(zhǎng)平行走線的串?dāng)_,增加其間距或在走線之間加一根零伏線。

4、手工時(shí)鐘布線,遠(yuǎn)離I/O電路,可考慮加專用信號(hào)回程線。

5、關(guān)鍵線路如復(fù)位線等接近地回線。

6、為使串?dāng)_減至最小,采用雙面#字型布線。

7、高速線避免走直角。

8、強(qiáng)弱信號(hào)線分開(kāi)。

04屏蔽

1屏蔽 > 模型:

f6b50bb8-2f57-11ee-815d-dac502259ad0.jpg

屏蔽效能SE(dB)=反射損耗R(dB)+吸收損耗A(dB)


高頻射頻屏蔽的關(guān)鍵是反射,吸收是低頻磁場(chǎng)屏蔽的關(guān)鍵機(jī)理。


2、工作頻率低于1MHz時(shí),噪聲一般由電場(chǎng)或磁場(chǎng)引起,(磁場(chǎng)引起時(shí)干擾,一般在幾百赫茲以內(nèi)),1MHz以上,考慮電磁干擾。單板上的屏蔽實(shí)體包括變壓器、傳感器、放大器、DC/DC模塊等。更大的涉及單板間、子架、機(jī)架的屏蔽。


3、 靜電屏蔽不要求屏蔽體是封閉的,只要求高電導(dǎo)率材料和接地兩點(diǎn)。電磁屏蔽不要求接地,但要求感應(yīng)電流在上有通路,故必須閉合。磁屏蔽要求高磁導(dǎo)率的材料做 封閉的屏蔽體,為了讓渦流產(chǎn)生的磁通和干擾產(chǎn)生的磁通相消達(dá)到吸收的目的,對(duì)材料有厚度的要求。高頻情況下,三者可以統(tǒng)一,即用高電導(dǎo)率材料(如銅)封閉并接地。


4、對(duì)低頻,高電導(dǎo)率的材料吸收衰減少,對(duì)磁場(chǎng)屏蔽效果不好,需采用高磁導(dǎo)率的材料(如鍍鋅鐵)。


5、磁場(chǎng)屏蔽還取決于厚度、幾何形狀、孔洞的最大線性尺寸。


6、磁耦合感應(yīng)的噪聲電壓UN=j(luò)wB.A.coso=j(luò)wM.I1,(A為電路2閉合環(huán)路時(shí)面積;B為磁通密度;M為互感;I1為干擾電路的電流。降低噪聲電壓,有兩個(gè)途徑,對(duì)接收電路而言,B、A和COS0必須減??;對(duì)干擾源而言,M和I1必須減小。雙絞線是個(gè)很好例子。它大大減小電路的環(huán)路面積,并同時(shí)在絞合的另一根芯線上產(chǎn)生相反的電動(dòng)勢(shì)。


7、防止電磁泄露的經(jīng)驗(yàn)公式:縫隙尺寸 < λmin/20。好的電纜屏蔽層覆視率應(yīng)為70%以上。

05接地

1、300KHz以下一般單點(diǎn)接地,以上多點(diǎn)接地,混合接地頻率范圍50KHz~10MHz。另一種分法是:< 0.05λ單點(diǎn)接地;< 0.05λ多點(diǎn)接地。


2、好的接地方式:樹(shù)形接地

f6cb6c8c-2f57-11ee-815d-dac502259ad0.jpg


3、信號(hào)電路屏蔽罩的接地。

f6e308ce-2f57-11ee-815d-dac502259ad0.jpg


接地點(diǎn)選在放大器等輸出端的地線上。


4、對(duì)電纜屏蔽層,L < 0.15λ時(shí),一般均在輸出端單點(diǎn)接地。L<0.15λ時(shí),則采用多點(diǎn)接地,一般屏蔽層按0.05λ或0.1λ間隔接地?;旌辖拥貢r(shí),一端屏蔽層接地,一端通過(guò)電容接地。


5、對(duì)于射頻電路接地,要求接地線盡量要短或者根本不用接線而實(shí)現(xiàn)接地。最好的接地線是扁平銅編織帶。當(dāng)?shù)鼐€長(zhǎng)度是λ/4波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí),阻抗會(huì)很高,同時(shí)相當(dāng)λ/4天線,向外輻射干擾信號(hào)。


6、單板內(nèi)數(shù)字地、模擬地有多個(gè),只允許提供一個(gè)共地點(diǎn)。


7、接地還包括當(dāng)用導(dǎo)線作電源回線、搭接等內(nèi)容。

06濾波

1、選擇EMI信號(hào)濾波器濾除導(dǎo)線上工作不需要的高頻干擾成份,解決高頻電磁輻射與接收干擾。它要保證良好接地。分線路板安裝濾波器、貫通濾波器、連接器濾波器。從電路形式分,有單電容型、單電感型、L型、π型。π型濾波器通帶到阻帶的過(guò)渡性能最好,最能保證工作信號(hào)質(zhì)量。


一個(gè)典型信號(hào)的頻譜:

f6f9c67c-2f57-11ee-815d-dac502259ad0.jpg

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2、選擇交直流電源濾波器抑制內(nèi)外電源線上的傳導(dǎo)和輻射干擾,既防止EMI進(jìn)入電網(wǎng),危害其它電路,又保護(hù)設(shè)備自身。它不衰減工頻功率。DM(差摸)干擾在頻率 < 1MHz時(shí)占主導(dǎo)地位。CM在 > 1MHz時(shí),占主導(dǎo)地位。


3、使用鐵氧體磁珠安裝在元件的引線上,用作高頻電路的去耦,濾波以及寄生振蕩的抑制。


4、盡可能對(duì)芯片的電源去耦(1-100nF),對(duì)進(jìn)入板極的直流電源及穩(wěn)壓器和DC/DC轉(zhuǎn)換器的輸出進(jìn)行濾波(uF)。

f73962b4-2f57-11ee-815d-dac502259ad0.jpg

Cmin≈△I△t/△Vmax △Vmax一般取2%的干擾電平。


注意減小電容引線電感,提高諧振頻率,高頻應(yīng)用時(shí)甚至可以采取四芯電容。電容的選取是非常講究的問(wèn)題,也是單板EMC控制的手段。

總 結(jié)

單板的干擾抑制涉及的面很廣,從傳輸線的阻抗匹配到元器件的EMC控制,從生產(chǎn)工藝到扎線方法,從編碼技術(shù)到軟件抗干擾等。

一個(gè)機(jī)器的孕育及誕生實(shí)際上是EMC工程。最主要需要工程師們?cè)O(shè)計(jì)中注入EMC意識(shí)。

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原文標(biāo)題:硬件EMC設(shè)計(jì)規(guī)范!

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