作為材料技術(shù)、制造和電子元器件的全球領(lǐng)導(dǎo)者,TDK最新推出一款先進(jìn)的符合Qi無(wú)線充電標(biāo)準(zhǔn)的平面無(wú)線充電線圈。該線圈采用獨(dú)特的銅印刷技術(shù),能為最終用戶帶來(lái)多種優(yōu)勢(shì)。無(wú)線充電聯(lián)盟[WPC]已將這種新線圈指定為MP-A28。TDK的“印刷線圈”技術(shù)可實(shí)現(xiàn)離散線無(wú)法復(fù)制的復(fù)雜線圈模式,并能實(shí)現(xiàn)和最佳蝕刻工藝和技術(shù)類似的緊密跡線寬度和間隙控制。此外,TDK的技術(shù)還具有另一個(gè)獨(dú)特之處,即可以根據(jù)應(yīng)用要求輕松、靈活、準(zhǔn)確地更改銅跡線厚度,這是傳統(tǒng)銅線圈技術(shù)所不具備的。
背景
MP-A28印刷線圈的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)
- 薄型
- 重量更輕
- 一致的電氣規(guī)格
- 支持復(fù)雜的印刷線圈設(shè)計(jì)
- 減少部件數(shù)量
- 可靠穩(wěn)定的汽車級(jí)設(shè)計(jì)
- 引線端方便連接
- 整合NFC天線
- EMI屏蔽(選配)
聯(lián)系方式
相關(guān)鏈接
背景
TDK致力于用鍍銅工藝構(gòu)建功率電感器的金屬線圈結(jié)構(gòu)有著悠久的歷史,現(xiàn)在更是將這種成熟技術(shù)擴(kuò)展到無(wú)線電力傳輸線圈。TDK的TFM功率電感器系列使用了類似的高縱橫比(HighAspectPlating:HAP)鍍銅技術(shù)來(lái)增加線圈模式的橫截面積,降低直流電阻(DCR)。TDK在這些豐富經(jīng)驗(yàn)的基礎(chǔ)上不斷改進(jìn)模式和電鍍工藝,現(xiàn)在已經(jīng)將其用于傳統(tǒng)上需使用利茲線的無(wú)線電力傳輸(Tx)線圈。
獲得Qi無(wú)線充電聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的MP-A28線圈具有以下三大創(chuàng)新:
1)革命性的專利印刷線圈設(shè)計(jì)
2)載體PET薄膜上采用“加成”方式的鍍銅工藝。
3)線圈結(jié)構(gòu)安裝在以“濕式工法”具有高磁導(dǎo)率、高磁通飽和密度(Bs)的磁屏蔽上。
靈活的印刷線圈設(shè)計(jì)能更好地控制和磁場(chǎng)形成(H),從而將磁通量(?)集中在最佳充電位置,以實(shí)現(xiàn)與Rx設(shè)備的最佳磁耦合和功率傳輸效率。此外,通過(guò)印刷化設(shè)計(jì),可以消除傳統(tǒng)三線圈產(chǎn)品中典型的傳輸效率(最大值和最小值)的變化,也可以減少或消除線圈單元周圍傳輸?shù)托实膮^(qū)域(死區(qū))。
線圈電鍍工藝是一種"加成法"工藝,可在指定位置鍍銅。這與印刷電路板(PCB)和/或柔性印刷電路板(FPC)不同,后者是一種"減去法"工藝,即要蝕刻實(shí)心銅片并僅留下所需的銅圖案。
“濕式工法”屏蔽采用Mn-Zn鐵氧體材料,將其作為濕式“漿料”涂布到厚度為0.3毫米的載體薄膜上(最薄可至0.1毫米)。將鐵氧體涂布到薄膜上之后,進(jìn)行燒結(jié)并預(yù)裂。
一直以來(lái),經(jīng)過(guò)無(wú)線充電聯(lián)盟的低功率無(wú)線充電標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射(Tx)線圈都采用繞線式結(jié)構(gòu)。更具體地說(shuō)使用了利茲線繞線式結(jié)構(gòu)。這類多股線繞線式具有更大的銅表面積,能降低趨膚效應(yīng)損失,從而提高工作頻率下的交流電阻(ACR)。鑒于此,MP-A28印刷線圈還采用了獲得專利的多層堆疊結(jié)構(gòu)來(lái)幫助減少交流銅損。
MP-A28印刷線圈的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)
TDK推出的新型印刷線圈技術(shù)采用多種新材料工藝和構(gòu)造技藝,能為最終用戶帶來(lái)以下諸多特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì):
薄型–嚴(yán)格控制的鍍銅厚度(從5um到150um)和濕式工法Mn-Zn鐵氧體屏蔽(0.3mm),使得MP-A2815WQi無(wú)線充電標(biāo)準(zhǔn)合規(guī)的發(fā)射線圈的總厚度僅為0.76mm,可幫助實(shí)現(xiàn)更薄更輕的充電器設(shè)計(jì)。
圖1:與3 線圈的WPC 15W Tx繞組線圈的厚度對(duì)比
不僅銅印刷線圈更薄,系統(tǒng)性能也更好??紤]到磁耦合(K)發(fā)射(Tx)和接收(Rx)磁屏蔽之間的物理距離的影響,采用超薄線圈模式,MP-A28的線圈屏蔽層能更靠近電荷表面,更靠近Rx設(shè)備,從而提高了磁耦合和效率。
重量更輕–鑒于當(dāng)前電動(dòng)汽車廠商正積極提高電池充電效率,延長(zhǎng)車輛續(xù)航里程,減輕車身重量再次成為焦點(diǎn)話題。TDK的MP-A28線圈采用濕式工法屏蔽/更高磁導(dǎo)率(μ')材料,更薄,并且能減輕Tx線圈重量,同時(shí)保持所需的充電性能。
一致的電氣規(guī)格–MP-A28線圈采用光罩/電鍍工藝,可產(chǎn)生電氣誤差<0.5%的空心線圈,并且銅印刷線圈和鐵氧體屏蔽使用共面結(jié)構(gòu)。這使得整個(gè)線圈的電感(Ls)和電阻(Rs)值不會(huì)像繞線式線圈那樣多變。繞線式線圈會(huì)受到絕緣厚度變化、匝間繞組在共面性方面的變化,以及繞組期間導(dǎo)線張力控制問(wèn)題等諸多因素的影響,致使磁長(zhǎng)度和相應(yīng)的Ls值發(fā)生變化。
支持復(fù)雜的印刷線圈設(shè)計(jì)–TDK的高精度銅加成工藝為設(shè)計(jì)不規(guī)則形狀的線圈模式帶來(lái)了可能,能減少會(huì)降低充電效率或完全無(wú)法像傳統(tǒng)繞線式線圈那樣工作的“死區(qū)”。創(chuàng)新的MP-A28印刷線圈還允許磁場(chǎng)形成(H)并將磁通量(?)集中在最佳充電區(qū)域。這也有助于使磁場(chǎng)遠(yuǎn)離任何鄰近的金屬物體,并限制磁通量進(jìn)入待充電設(shè)備[電話.等]的其他區(qū)域。
圖2:磁通分布對(duì)比
繞組三線圈的磁通分布
MP-A28線圈的磁通量分布
通過(guò)更均勻的磁場(chǎng),即使在待充電設(shè)備內(nèi)的Tx線圈和Rx線圈之間未對(duì)準(zhǔn)的情況下,也能提高效率。
圖3:效率對(duì)比
WPC MP-A13線圈效率圖
WPC MP-A28線圈效率圖
此外,新型MP-A28線圈由多層上平行的多條布線組成,可增加每個(gè)有效匝的表面積,從而最大限度減少銅布線的交流趨膚效應(yīng)。趨膚效應(yīng)會(huì)增加交流電阻(ACR),加快線損和溫升,從而降低效率。
減少部件數(shù)量–MP-A28線圈符合Qi無(wú)線充電標(biāo)準(zhǔn),采用單充電線圈結(jié)構(gòu),尺寸和形狀設(shè)計(jì)比三線圈配置更靈活。由于只有一個(gè)線圈,因此能消除與三線圈結(jié)構(gòu)相關(guān)的諸多重復(fù)電子元件,從而減少元器件數(shù)量和BOM成本。MP-A28只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)器、一個(gè)開(kāi)關(guān)和一個(gè)諧振電容器組(Cs),還能省去熱敏電阻(如使用)。
可靠穩(wěn)定的汽車級(jí)元件–汽車應(yīng)用具有其他應(yīng)用和終端市場(chǎng)不具備的強(qiáng)制性嚴(yán)格要求。薄鐵氧體屏蔽層的預(yù)裂工藝可確保在發(fā)生意外事件(比如機(jī)械沖擊、振動(dòng)、沖擊、熱沖擊等)時(shí)不會(huì)出現(xiàn)會(huì)導(dǎo)致性能損失的額外開(kāi)裂。
方便引線端連接–由于MP-A28線圈的平面布線是由印刷化工藝創(chuàng)建的,因此線圈可提供銅引線、連接器/插頭引腳的多種連接方式,方便在連接到主印刷電路板時(shí)輕松組裝包含充電電路的元件。TDK使用非焊料超聲波焊接工藝連接這些引腳,消除了使用繞組線圈時(shí)所需的通孔、焊接、返工時(shí)的脫焊等操作。
圖4:MP-A28可選連接器的引腳配置
整合 NFC 天線–在載體薄膜上鍍銅的一大優(yōu)勢(shì)是額外的獨(dú)立線圈模式也能整合到同一載體層上。無(wú)線充電發(fā)射設(shè)備中使用的一種常見(jiàn)附加線圈是近場(chǎng)通信(NFC)天線。由于電鍍與所需的圖案數(shù)量無(wú)關(guān),因此將NFC線圈添加到現(xiàn)有的無(wú)線充電線圈結(jié)構(gòu)中,成本最低。然后,NFC天線同樣使用現(xiàn)有的鐵氧體屏蔽……消除了對(duì)雙屏蔽的需求和相應(yīng)的成本。這不僅減少了實(shí)施這兩種技術(shù)所需的面積(因?yàn)樗鼈兺ǔ2⑴欧胖茫€減輕了重量。
EMI屏蔽(選配)–MP-A28還提供EMI金屬網(wǎng)屏蔽選項(xiàng)。這是一個(gè)厚度為30um的單獨(dú)屏蔽層,旨在幫助滿足汽車應(yīng)用的CISPR25要求。將屏蔽層放置在MP-A28的印刷線圈上,然后將其電氣接地,即可獲得有效且重量輕的EMI噪聲抑制解決方案。
在疊層中添加EMI屏蔽層導(dǎo)致的效率降低不到1%。
審核編輯:彭菁
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