概述

本例程主要講解如何對(duì)芯片自帶Flash進(jìn)行讀寫，用芯片內(nèi)部Flash可以對(duì)一些需要斷電保存的數(shù)據(jù)進(jìn)行保存，無(wú)需加外部得存儲(chǔ)芯片，本例程采用的是STM32F103RBT6，128K大小的Flash。 最近在弄ST和GD的課程，需要GD樣片的可以加群申請(qǐng)：615061293 。

視頻教學(xué)

[https://www.bilibili.com/video/BV19d4y1Y7Px/]

csdn課程

課程更加詳細(xì)。

[https://download.csdn.net/course/detail/35611]

硬件準(zhǔn)備

使用STM32CUBEMX生成例程，這里使用NUCLEO-F103RB開發(fā)板

查看原理圖，PA2和PA3設(shè)置為開發(fā)板的串口。

配置串口。

查看原理圖，PA8設(shè)置為PWM輸出管腳，PA0設(shè)置為定時(shí)器輸入捕獲管腳。

配置時(shí)鐘樹

配置時(shí)鐘為64M。

串口重定向

在main.c中，添加頭文件，若不添加會(huì)出現(xiàn) identifier "FILE" is undefined報(bào)錯(cuò)。

/* USER CODE BEGIN Includes */
#include "stdio.h"
/* USER CODE END Includes */

函數(shù)聲明和串口重定向：

/* USER CODE BEGIN PFP */
/* retarget the C library printf function to the USART */
int fputc(int ch, FILE *f)
{
    HAL_UART_Transmit(&huart2 , (uint8_t *)&ch, 1, 0xFFFF);
    return ch;
}
/* USER CODE END PFP */

FLASH定義

對(duì)于STM32F103，有低、鐘、高密度的FLASH類型。

低密度

中密度

高密度

對(duì)于STM32F103RB,FLASH大小為128KB，固為中密度的Flash。

變量定義

/* USER CODE BEGIN 0 */
uint32_t WriteFlashData[3] = {0x11111111,0x22222222,0x33333333};//數(shù)據(jù)
uint32_t addr = 0x0801FC00;
/* USER CODE END 0 */

如果要對(duì)FLASH進(jìn)行寫入數(shù)據(jù)，需要執(zhí)行以下四步：

1. 解鎖FLASH
2. 擦除FLASH
3. 寫入FLASH
4. 鎖住FLASH

擦除只能是按頁(yè)或者整塊擦除。 STM32F103RBT6的Flash容量是128KB,所以只有128頁(yè)，每頁(yè)1KB。 我們可以寫入到頁(yè)127中，即0x0801FC00-0x0801FFFF中。 由于單片機(jī)是32位，故連續(xù)寫入多個(gè)uint32_t的數(shù)據(jù)時(shí)，地址應(yīng)該依次增加4。

/* USER CODE BEGIN 4 */

/*FLASH寫入程序*/
void WriteFlashTest(uint32_t L,uint32_t Data[],uint32_t addr)
{
    uint32_t i=0;
    /* 1/4解鎖FLASH*/
    HAL_FLASH_Unlock();
    /* 2/4擦除FLASH*/
    /*初始化FLASH_EraseInitTypeDef*/
    /*擦除方式頁(yè)擦除FLASH_TYPEERASE_PAGES，塊擦除FLASH_TYPEERASE_MASSERASE*/
    /*擦除頁(yè)數(shù)*/
    /*擦除地址*/
    FLASH_EraseInitTypeDef FlashSet;
    FlashSet.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
    FlashSet.PageAddress = addr;
    FlashSet.NbPages = 1;
    /*設(shè)置PageError，調(diào)用擦除函數(shù)*/
    uint32_t PageError = 0;
    HAL_FLASHEx_Erase(&FlashSet, &PageError);
    /* 3/4對(duì)FLASH燒寫*/
    for(i=0;i< L;i++)
    {
        HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, addr+4*i, Data[i]);
    }
    /* 4/4鎖住FLASH*/
    HAL_FLASH_Lock();
}


/*FLASH讀取打印程序*/
void PrintFlashTest(uint32_t L,uint32_t addr)
{
    uint32_t i=0;
    for(i=0;i< L;i++)
    {
        printf("naddr is:0x%x, data is:0x%x", addr+i*4,  *(__IO uint32_t*)(addr+i*4));
    }

}
/* USER CODE END 4 */

主程序

/* USER CODE BEGIN WHILE */
  while (1)
  {
    /* USER CODE END WHILE */

    /* USER CODE BEGIN 3 */        
        WriteFlashTest(3,WriteFlashData,addr);
        PrintFlashTest(3,addr);
        HAL_Delay(5000);
  }
  /* USER CODE END 3 */

演示效果

通過STM32CUBEIDE查看地址也可以看到，值正確寫入。

最后

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審核編輯：湯梓紅