半導體制作工藝可分為前端和后端:前端主要是晶圓制作和光刻(在晶圓上繪制電路);后端主要是芯片的封裝。隨著前端工藝微細化技術逐漸達到極限,后端工藝的重要性愈發(fā)突顯。作為可以創(chuàng)造新附加價值的核心突破點,其技術正備受矚目。
半導體后端工藝
制作半導體產(chǎn)品的第一步,就是根據(jù)所需功能設計芯片(Chip)。然后,再將芯片制作成晶圓(Wafer)。由于晶圓由芯片反復排列而成,當我們細看已完成的晶圓時,可以看到上面有很多小格子狀的結構,其中一個小格子就相當于一個芯片。芯片體積越大,每個晶圓可產(chǎn)出的芯片數(shù)量就越少,反之亦然。
半導體設計不屬于制程工序,半導體產(chǎn)品的制程工序大體可分為晶圓制作、封裝和測試。其中,晶圓制作屬于前端(Front End)工藝;封裝和測試屬于后端(Back End)工藝。晶圓的制作工藝中也會細分前端和后端,通常是CMOS制程工序屬于前端,而其后的金屬布線工序屬于后端。
▲ 圖1:半導體制作流程與半導體行業(yè)劃分(?HANOL出版社/photograph.SENSATA)
圖1展示了半導體制程工藝及其行業(yè)的劃分。只從事半導體設計的產(chǎn)業(yè)運作模式被稱作芯片設計公司(Fabless),該模式的典型代表有高通(Qualcomm)、蘋果(Apple)等。負責晶圓制作的制造商被稱為晶圓代工廠(Foundry),他們根據(jù)Fabless公司的設計制作晶圓,其中最典型的代表要臺積電(TSMC)了,DB HiTek、Magnachip等韓企也采用這一模式。經(jīng)Fabless設計和Foundry制造的晶圓還需經(jīng)過封裝和測試,專門負責這兩道工藝的企業(yè)就是外包半導體組裝和測試(OSAT,Outsourced?Assembly?and?Testing),其典型代表有ASE、JCET、星科金朋(Stats Chippac)、安靠(Amkor)等。此外,還有像SK海力士這樣集半導體設計、晶圓制造、封裝和測試等多個產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)于一身的集成設備制造商(IDM,Integrated Device Manufacturer)。
如圖1所示,封裝和測試工藝的第一步就是晶圓測試。封裝后,再對封裝進行測試。
半導體測試的主要目的之一就是防止不良產(chǎn)品出廠。一旦向客戶提供不良產(chǎn)品,客戶對我們的信任就會大打折扣,進而導致公司銷售業(yè)績的下降,還會引發(fā)賠償?shù)荣Y金上的損失。因此,我們必須在產(chǎn)品出廠前對其進行細致的全面檢測。半導體測試須根據(jù)產(chǎn)品的各種特性,對其各參數(shù)進行測試,以確保產(chǎn)品的品質和可靠度。當然,這需要時間、設備和勞動力上的投入,產(chǎn)品的制造成本也會隨之增加。因此,眾多測試工程師正致力于減少測試時間和測試參數(shù)。
測試的種類
▲ 表1: 測試分類(? HANOL出版社)
測試工藝可依據(jù)不同的測試對象,分為晶圓測試和封裝測試;也可根據(jù)不同的測試參數(shù),分為溫度、速度和運作模式測試等三種類型(見表1)。
溫度測試以施加在試驗樣品上的溫度為標準:在高溫測試中,對產(chǎn)品施加的溫度比產(chǎn)品規(guī)格1 所示溫度范圍的上限高出10%;在低溫測試中,施加溫度比規(guī)格下限低10%;而恒溫測試的施加溫度一般為25℃。在實際使用中,半導體產(chǎn)品要在各種不同的環(huán)境中運作,因此必須測試產(chǎn)品在不同溫度下的運作情況以及其溫度裕度(Temperature Margin)。以半導體存儲器為例,高溫測試范圍通常為85~90℃,低溫測試范圍為-5~-40℃。
1?規(guī)格(Spec): specification的縮寫,指產(chǎn)品配置,即制造產(chǎn)品時在設計、制作方法上或對所需特性的各種規(guī)定。 速度測試又分為核心(Core)測試和速率測試。核心測試主要測試試驗樣品的核心運作,即是否能順利實現(xiàn)原計劃的目標功能。以半導體存儲器為例,由于其主要功能是信息的存儲,測試的重點便是有關信息存儲單元的各項參數(shù)。速率測試則是測量樣品的運作速率,驗證產(chǎn)品是否能按照目標速度運作。隨著對高速運轉半導體產(chǎn)品需求的增加,速率測試目前正變得越來越重要。 運作模式測試細分為直流測試(DC Test)、交流測試(AC?Test)和功能測試(Function?Test):直流測試驗證直流電流和電壓參數(shù);交流測試(AC Test)驗證交流電流的規(guī)格,包括產(chǎn)品的輸入和輸出轉換時間等運作特性;功能測試則驗證其邏輯功能是否正確運作。以半導體存儲器為例,功能測試就是指測試存儲單元(Memory cell)與存儲器周圍電路邏輯功能是否能正常運作。 下期我們繼續(xù)來講晶圓測試和封裝測試。
審核編輯:劉清
-
CMOS
+關注
關注
58文章
5727瀏覽量
235758 -
TSMC
+關注
關注
3文章
177瀏覽量
84551 -
晶圓
+關注
關注
52文章
4944瀏覽量
128134 -
半導體存儲器
+關注
關注
1文章
45瀏覽量
13847 -
半導體芯片
+關注
關注
60文章
919瀏覽量
70678
原文標題:半導體后端工藝:了解半導體測試(上)
文章出處:【微信號:閃德半導體,微信公眾號:閃德半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
評論