一文了解NAND閃存技術(shù)的發(fā)展演變

對(duì)NAND存儲(chǔ)器的需求不斷增長(zhǎng)

隨著游戲產(chǎn)業(yè)和數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展，全球 NAND 市場(chǎng)正呈擴(kuò)張之勢(shì)。而由于新冠疫情的爆發(fā)，人們更多選擇遠(yuǎn)程辦公和在線課程，對(duì)數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)器的需求隨之增長(zhǎng)，市場(chǎng)對(duì) NAND 存儲(chǔ)器的需求也大幅增加。從移動(dòng)或便攜式固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心，從企業(yè)固態(tài)硬盤再到汽車配件， NAND 閃存的應(yīng)用領(lǐng)域和使用場(chǎng)景愈發(fā)多樣化，各種要求也隨之出現(xiàn)，常見(jiàn)的譬如更高的讀寫速度、最大化的存儲(chǔ)容量、更低的功耗和更低的成本等等。為了滿足這些要求，數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)方式和堆疊方法也在不停發(fā)展演變。

NAND閃存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)辦法

NAND 閃存是一種通過(guò)在氮化硅的內(nèi)部補(bǔ)集點(diǎn)捕獲電子或空穴來(lái)存儲(chǔ)信息的設(shè)備。在這種設(shè)備中，工作區(qū)和柵極間會(huì)留有通道供電流通過(guò)硅晶片表面，而根據(jù)浮置柵極中存儲(chǔ)的電荷類型，便可進(jìn)行存儲(chǔ)編程 (“1”) 和擦除 (“0”) 信息的操作。同時(shí)，在一個(gè)單元內(nèi)存儲(chǔ) 1 個(gè)比特的操作被稱為單層單元 (SLC)。氮化硅內(nèi)部捕獲的電子數(shù)量與單元晶體管的閾值電壓成正比，因此，當(dāng)俘獲大量電子時(shí)，即實(shí)現(xiàn)了高閾值電壓；捕獲少量電子會(huì)造成低閾值電壓。

通過(guò)將捕獲的電子數(shù)量分成三份，并將每份的中間電壓施加到單元柵極上，可以檢查電流的流通狀態(tài)，從而確定所捕獲的電子數(shù)量。在這種情況下，存在四種狀態(tài)，其中包括擦除狀態(tài)：這就是 2 比特多層單元 (2 bit-MLC)。2 比特多層單元的這四種狀態(tài)可以描述為“11”、“10”、“01”和“00”，每個(gè)單元可以存儲(chǔ) 2 個(gè)比特的信息。從定義而言，多層單元指的是一種狀態(tài)，在這種狀態(tài)下，一個(gè)單元具有多層的 2 個(gè)比特或更多比特；然而在本文中，多層單元是相對(duì)于單層單元（SLC，Single Level Cell）而言的。方便起見(jiàn)，本文將存儲(chǔ) 2 個(gè)比特信息的多層單元（MLC，Multi Level Cell）稱為 2 比特多層單元。

在相同的方法下，若產(chǎn)生八單元狀態(tài)并存儲(chǔ) 3 個(gè)比特的信息時(shí)，此類狀態(tài)則被稱為三層單元 (TLC，Triple Level Cell)；同樣，當(dāng)產(chǎn)生十六單元狀態(tài)并存儲(chǔ) 4 個(gè)比特的信息時(shí)，則稱為四層單元 (QLC, Quadruple Level Cell)。單元狀態(tài)越密集，一個(gè)單元內(nèi)便可儲(chǔ)存更多信息。舉例來(lái)說(shuō)，與單層單元(SLC) NAND 閃存相比，四層單元(QLC) NAND 閃存能夠以 67.5% 的芯片尺寸存儲(chǔ)相同數(shù)量的信息；但若想進(jìn)行更多運(yùn)行和讀取的操作，就要增大單元狀態(tài)的密度。相應(yīng)地，由于單元狀態(tài)之間的空間狹窄，更大的密度會(huì)使性能降級(jí)并出現(xiàn)讀取錯(cuò)誤的可能性，從而導(dǎo)致設(shè)備壽命縮短。因此，重要的是，首先要根據(jù)NAND閃存的應(yīng)用領(lǐng)域決定是否優(yōu)先考慮信息量，性能和壽命，然后選擇適當(dāng)?shù)木幊谭椒ā?/p>

NAND閃存行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)

當(dāng)前，NAND 閃存正在從 2D 發(fā)展到 3D 和 4D。對(duì)于 2D-NAND，如果在同一區(qū)域?qū)崿F(xiàn)更多的單元數(shù)量，形成更小的工作區(qū)和柵級(jí)，便能增大存儲(chǔ)容量。直至 2010 年初，2D-NAND 中的擴(kuò)展一直是這項(xiàng)技術(shù)的主要焦點(diǎn)所在；然而，由于精細(xì)圖案結(jié)構(gòu)的限制，且儲(chǔ)存數(shù)據(jù)會(huì)隨時(shí)間推移而丟失導(dǎo)致使用壽命縮短，該技術(shù)已無(wú)法再實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展。因此，3D-NAND逐漸取而代之，成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)，現(xiàn)在所有 NAND 制造商都在開(kāi)發(fā)和制造 3D-NAND 產(chǎn)品。

在 3D-NAND 的結(jié)構(gòu)中，存儲(chǔ)容量會(huì)隨著三維疊層中堆疊層數(shù)的增加而變大。3D-NAND 使用了堆疊多層氮氧化物的方法，形成一個(gè)被稱為“塞子”的垂直深孔，在其中形成一個(gè)由氧化物-氮化物-氧化物制成的存儲(chǔ)設(shè)備。通過(guò)這種方法，僅需少量工藝即可同時(shí)形成大量單元。在 3D-NAND 中，電流通過(guò)位于圓柱單元中心的多晶硅通道，便能根據(jù)存儲(chǔ)在氮化硅中的電荷類型實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)編程和擦除信息。雖然2D-NAND 技術(shù)發(fā)展的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)形成較小的單元， 3D-NAND 的核心技術(shù)卻是實(shí)現(xiàn)更多層數(shù)的三維堆疊。

為在 3D-NAND 的基礎(chǔ)上進(jìn)一步增大存儲(chǔ)容量，4D-NAND技術(shù)也隨之而來(lái)。經(jīng)過(guò)幾代技術(shù)的發(fā)展，當(dāng)前的半導(dǎo)體行業(yè)已實(shí)現(xiàn)了用更多層數(shù)存儲(chǔ)更多信息，目前最高層為238層，存儲(chǔ)企業(yè)也正在研發(fā)更多層的產(chǎn)品。

審核編輯：劉清