Diodes公司推出符合汽車規(guī)格的碳化硅MOSFET產(chǎn)品

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出 DMWSH120H90SM4Q 和 DMWSH120H28SM4Q 兩款符合汽車規(guī)格的碳化硅 (SiC) MOSFET，進(jìn)一步強(qiáng)化寬能隙 (Wide-Bandgap) 產(chǎn)品陣容。此系列 N 信道 MOSFET 產(chǎn)品可滿足市場(chǎng)對(duì) SiC 解決方案不斷增長(zhǎng)的需求，提升電動(dòng)與混合動(dòng)力汽車 (EV/HEV) 車用子系統(tǒng)的效率及功率密度，例如電池充電器、車載充電器 (OBC)、高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器及牽引變流器。

DMWSH120H90SM4Q 可在最高 1200VDS 范圍內(nèi)安全可靠地運(yùn)作，其閘極-源極 (Gate-Source) 電壓 (Vgs) 為 +15/-4V，且在 15Vgs 時(shí)具有 75m? (典型值) 的 RDS(ON)規(guī)格。此裝置適用于 OBC、汽車馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、EV/HEV 中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電池充電系統(tǒng)。

DMWSH120H28SM4Q 可在最高 1200VDS、+15/-4Vgs 的條件下運(yùn)作，且在 15Vgs 時(shí)具有較低的 20mΩ (典型值) RDS(ON)。此MOSFET 適用于其他 EV/HEV 子系統(tǒng)中的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、EV 牽引變流器及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。憑借低 RDS(ON) 的特性，在需要高功率密度的產(chǎn)品應(yīng)用中，此系列 MOSFET 能以較低的溫度運(yùn)作。

這兩款產(chǎn)品均有低導(dǎo)熱率 (RθJC=0.6°C/W)，DMWSH120H90SM4Q的汲極 (Drain) 電流高至 40A，DMWSH120H28SM4Q的汲極電流高至 100A。此系列也內(nèi)建快速且穩(wěn)健的本體二極管 (Body Diodes)，具有低反向復(fù)原電荷 (Qrr)，在 DMWSH120H90SM4Q 中為 108.52nC，在 DMWSH120H28SM4Q 中為 317.93nC，因此能夠執(zhí)行快速切換，同時(shí)降低功率損耗。

Diodes 采用平面制造技術(shù)開發(fā)出全新 MOSFET，能在汽車產(chǎn)品應(yīng)用中提供強(qiáng)大與可靠的效能，提高汲極電流、崩潰 (Breakdown) 電壓、接面溫度及功率環(huán)形電路，表現(xiàn)優(yōu)于先前發(fā)布的版本。此系列裝置采用TO247-4 (WH 型) 封裝，提供額外的凱氏感測(cè) (Kelvin-sensing) 接腳?？蛇B接至源極以優(yōu)化切換效能，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。

DMWSH120H90SM4Q 與 DMWSH120 H28SM4Q 均符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，由 IATF 16949 認(rèn)證的設(shè)施制造，并支持 PPAP 文件。

關(guān)于Diodes Incorporated

Diodes公司(Nasdaq：DIOD)是一家標(biāo)準(zhǔn)普爾小型股600指數(shù)和羅素3000指數(shù)成員公司，為汽車、工業(yè)、運(yùn)算、消費(fèi)性電子及通訊市場(chǎng)的全球公司提供高質(zhì)量半導(dǎo)體產(chǎn)品。我們擁有豐富的產(chǎn)品組合以滿足客戶需求，內(nèi)容包括分離、模擬、邏輯與混合訊號(hào)產(chǎn)品以及先進(jìn)的封裝技術(shù)。我們廣泛提供特殊應(yīng)用解決方案與解決方案導(dǎo)向銷售，加上全球32個(gè)據(jù)點(diǎn)涵蓋工程、測(cè)試、制造與客戶服務(wù)，使我們成為高產(chǎn)量、高成長(zhǎng)的市場(chǎng)中成為優(yōu)質(zhì)供貨商。