法國(guó)CEA-Leti正計(jì)劃新建一條工藝引導(dǎo)線
歐洲三大微電子研究所之一的法國(guó)cea-leti計(jì)劃以fd-soi（完全消耗硅）技術(shù)為基礎(chǔ)，開發(fā)10納米低電力技術(shù)模塊。該技術(shù)將擴(kuò)展到7納米技術(shù)，這是duv光刻技術(shù)的局限性。
機(jī)構(gòu)方面表示，新的fd-soi技術(shù)將與18、22、28納米的現(xiàn)有設(shè)計(jì)進(jìn)行互換，還將包括嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器（envm）技術(shù)。該項(xiàng)目在法國(guó)政府的資助下被分離為《歐盟芯片法案》。
據(jù)報(bào)道，位于法國(guó)格勒諾布的3000平方米無(wú)塵室將于今年9月動(dòng)工建設(shè)，目前正在生產(chǎn)fd-soi零部件的晶體管半導(dǎo)體和格子工程模塊將被開發(fā)出來(lái)。新的工程將在三年內(nèi)準(zhǔn)備好，使用st. semiconductor在克勞斯附近的新合資晶片工廠和soitec的soi晶片。
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如上表，
tCS的最大值是15ns，最小值和典型值都是空著的，是不是最小值和典型值我可以隨便?。ù笥?小于15就行）？還是說(shuō)只有最大值給出了，我只能取給出的最大值，最小和典型值都不能取。
發(fā)表于 12-16 07:45
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