淺析噪聲源模型

微觀噪聲源：擴散噪聲、產(chǎn)生-復合噪聲和閃爍噪聲。

（1）擴散噪聲：擴散噪聲是由載流子速度的變化引起的。

愛因斯坦擴散方程：

微觀噪聲源的方程為：

其中：

.q是電子電荷；

.n(r)是載流子濃度；

.D(w)是擴散系數(shù)；

擴散系數(shù)由愛因斯坦的關系給出，即：

其中：

.k是波爾茲曼常數(shù)；

.T是溫度；

.μ是載流子遷移率。

（2）產(chǎn)生-復合噪聲

產(chǎn)生-復合噪聲是由載流子數(shù)目的變化引起的。產(chǎn)生-復合模型包括直接和陷阱輔助。直接GR是當電子從導帶直接躍遷到價帶（反之亦然）。陷阱輔助GR是當電子從能帶躍遷到陷阱能級。如果定義了多個陷阱能級，則將它們視為獨立的陷阱輔助GR（即假定電子在不同的陷阱能級之間不躍遷）。產(chǎn)生復合模型包括四個參數(shù)：

?GN

?GP

?RN

?RP

其中G為生成速率，R為復合速率，n為電子，p為空穴。電子的產(chǎn)生速率是導帶中出現(xiàn)的電子數(shù)(每單位時間，每單位體積）。復合率是從導帶消失的電子數(shù)。

直接GR：

由于沒有陷阱能級，所有離開導帶的電子最終都在價帶中。所有離開價帶的電子最終都在導帶內(nèi)。

對于光學GR（模型中的OPTR）。對于AugerGR，C參數(shù)是載流波密度的函數(shù)。

微觀噪聲源是:

在陷阱輔助GR中，假設在陷阱輔助GR中沒有直接躍遷。因此，離開導帶的電子最終俘獲在陷阱能級中。進入傳導帶的電子來自陷阱能級。與直接GR不同，以下四個參數(shù)是獨立的。

nt/Nt是電離陷阱的比例。n1是當費米能級在陷阱能級位置處時電子濃度。p1是當費米能級在陷阱能級位置處時空穴濃度。可以定義TAUNO和TAUP0.

微噪聲源表示為：

（3）碰撞電離：

對于在導帶中產(chǎn)生的每個電子，在價帶中也會產(chǎn)生相應的空穴。這類似于沒有復合項的直接GR。微觀噪聲源表示為：

（4）閃爍噪聲：

閃爍噪聲是實驗觀察到的。

Hooge模型：

在這個模型中：

.αHn是電子Hooge常數(shù)。

.αHP是空穴Hooge常數(shù)。

.f是頻率。

.JN(R)是電子電流密度。

.JP(R)是空穴電流密度。

.n(R)是電子濃度。

.p(R)是空穴濃度。

在材料語句中定義Hooge常量：HOOGEN=<值>HOOGEP=<值>這些參數(shù)的默認值為零（這意味著閃爍噪聲未啟用）。