0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國芯思辰|碳化硅MOSFET B2M035120YP替代安森美用于太陽能逆變器

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2023-07-04 10:14 ? 次閱讀

隨著光伏逆變器功率等級的不斷提高,光伏行業(yè)對功率器件的規(guī)格和散熱要求也越來越高。相比于傳統(tǒng)硅器件,碳化硅功率器件能帶來更高的轉(zhuǎn)換效率和更低的能量損耗,從而有效縮小系統(tǒng)體積、增加功率密度、延長器件使用壽命、降低生產(chǎn)成本等,在光伏行業(yè)呈現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用趨勢。

太陽能光伏逆變器可以實現(xiàn)直流電到交流電的轉(zhuǎn)換,是所有光伏發(fā)電系統(tǒng)中最關(guān)鍵的部分,主要由三部分組成,MPPT、直流濾波和DC-AC逆變并網(wǎng),本文推薦使用基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B2M035120YP替代英飛凌的IMZ120R030M1H和安森美的NVH4L030N120M3S,且B2M035120YP在高溫工作中會更有優(yōu)勢。

然而通常為了獲得高發(fā)電量,逆變器效率的提高必不可少,在三相光伏逆變器上在升壓部分使用1200V B2M035120YP替代普通的1200V的硅器件,相比具有相同額定值的1200V硅器件,碳化硅MOSFET能效更高,具有高阻斷電壓的低導(dǎo)通電阻,系統(tǒng)尺寸/重量得到縮減,電力電子系統(tǒng)中的功率密度也有所增加。即便在高溫(175°C)下運行,也能發(fā)揮一流的耐用性與卓越性能。

B2M035120YP.png

B2M035120YP應(yīng)用領(lǐng)域:

開關(guān)模式電源(SMPS)、電源逆變器&太陽能逆變器、電機驅(qū)動器和電動汽車充電站、直流/直流轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)、無鉛、不含鹵素,非常適用于光伏逆變器等效率、體積及發(fā)熱要求較高的應(yīng)用。此外,基本半導(dǎo)體提供各種電流電壓等級的碳化硅肖特基二極管和平面、溝槽柵碳化硅MOSFET,產(chǎn)品可應(yīng)用于標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境及高溫環(huán)境,各項性能指標(biāo)達到國際領(lǐng)先水平

注:如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系刪除。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    7213

    瀏覽量

    213857
  • 逆變器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    287

    文章

    4744

    瀏覽量

    207370
  • 國芯思辰
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    1077

    瀏覽量

    1408
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    安森美收購Qorvo碳化硅業(yè)務(wù),碳化硅行業(yè)即將進入整合趨勢?

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)安森美在12月10日宣布,已經(jīng)與Qorvo達成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon
    的頭像 發(fā)表于 12-15 07:30 ?1842次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>收購Qorvo<b class='flag-5'>碳化硅</b>業(yè)務(wù),<b class='flag-5'>碳化硅</b>行業(yè)即將進入整合趨勢?

    安森美完成對Qorvo碳化硅JFET技術(shù)的收購

    安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。
    的頭像 發(fā)表于 01-16 16:30 ?167次閱讀

    廣東佳訊邀您一起探究:SiC MOSFET 替代 IGBT ,這是必然走向嗎?

    碳化硅MOSFET以其高開關(guān)速度、高溫工作能力和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢,在電動汽車、太陽能逆變器等領(lǐng)域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍
    的頭像 發(fā)表于 01-15 17:40 ?127次閱讀
    廣東佳訊邀您一起探究:SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>替代</b> IGBT ,這是必然走向嗎?

    安森美碳化硅應(yīng)用于柵極的5個步驟

    在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?5步法應(yīng)對碳化硅特定挑戰(zhàn),mark~,我們介紹了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識、碳化硅制造挑戰(zhàn)、碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進、安森美
    的頭像 發(fā)表于 01-09 10:31 ?105次閱讀

    安森美碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢

    此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書第二部分,將重點介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進及安森美(onsemi)在
    的頭像 發(fā)表于 01-07 10:18 ?147次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性
    發(fā)表于 01-04 12:37

    貿(mào)澤電子攜手安森美與Würth Elektronik助力太陽能逆變器市場

    的解決方案。 安森美作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者,其碳化硅(SiC)解決方案備受矚目。該方案不僅滿足市場對高能效、可靠性和安全性的迫切需求,還針對電網(wǎng)接口電子設(shè)備精心設(shè)計了升壓和逆變器功率集成模塊(PIM),為
    的頭像 發(fā)表于 12-11 10:25 ?297次閱讀

    安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術(shù)業(yè)務(wù)

    安森美官方微信發(fā)布的信息,此次收購旨在進一步鞏固安森美碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料,具有出色的耐高溫、耐高壓和耐高頻特性,被廣泛應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 12-11 10:00 ?202次閱讀

    碳化硅在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用 碳化硅在汽車工業(yè)中的應(yīng)用

    。此外,碳化硅的高電子飽和速度和高擊穿電場強度使其在高功率太陽能電池中具有潛在的應(yīng)用前景。 2. 風(fēng)力發(fā)電 在風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域,碳化硅材料可以用于
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:31 ?406次閱讀

    安森美發(fā)布升級版功率模塊,助力太陽能發(fā)電和儲的發(fā)展

    硅與碳化硅混合解決方案在減少尺寸的同時,將輸出功率提高了15% ? 中國上海 - 2024 年 8月 28 日 - 安森美(納斯達克股票代號:ON )推出采用 F5BP 封裝的最新一代硅和碳化硅混合
    發(fā)表于 09-02 13:41 ?690次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>發(fā)布升級版功率模塊,助力<b class='flag-5'>太陽能</b>發(fā)電和儲<b class='flag-5'>能</b>的發(fā)展

    了解用于碳化硅MOSFET的短路保護方法

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《了解用于碳化硅MOSFET的短路保護方法.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 09-02 09:10 ?0次下載
    了解<b class='flag-5'>用于</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的短路保護方法

    安森美加速碳化硅創(chuàng)新,助力推進電氣化轉(zhuǎn)型

    推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET,顯著提升高耗電應(yīng)用的效 ? 新聞要點 最新一代 EliteSiC M3e MOSFET
    發(fā)表于 07-22 11:31 ?206次閱讀

    安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計注意事項和使用技巧

    安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 03-28 10:01 ?1433次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>1200V<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>M</b>3S系列設(shè)計注意事項和使用技巧

    安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFETM3S

    安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開關(guān)。
    的頭像 發(fā)表于 03-26 09:57 ?1774次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>發(fā)布了第二代1200V<b class='flag-5'>碳化硅</b> (SiC) <b class='flag-5'>MOSFET</b>—<b class='flag-5'>M</b>3S

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境??膳渲脼閱蝹€或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料??芍貜?fù)的非線性特性。耐高壓。基本上是無感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
    發(fā)表于 03-08 08:37