在正向電壓下,LED 從電源獲取能量。在電場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下,從N曲月前到P區(qū)克服了PN結(jié)的電場(chǎng),這些電子與P區(qū)的空穴結(jié)合。由于漂移到P區(qū)的自由電子具有高于P區(qū)的價(jià)電子的能量,電子返回低能狀態(tài),多余的能量以光子的形式釋放出來(lái)。光子的波長(zhǎng)與能量差Eg有關(guān)??梢钥闯?,發(fā)光區(qū)域主要在PN結(jié)附近,發(fā)光是電子和空穴結(jié)合釋放能量的結(jié)果。半導(dǎo)體偶極子,電子在進(jìn)入半導(dǎo)體區(qū)域和離開(kāi)半導(dǎo)體區(qū)域的所有方式中都會(huì)遇到電阻。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),半導(dǎo)體二極管的物理結(jié)構(gòu),原則上就是半導(dǎo)體二極管的物理結(jié)構(gòu)。從源極和負(fù)極發(fā)射的電子等于返回正極的電子數(shù)。常見(jiàn)的偶極子,在電子空穴對(duì)的組合中,是由于微分Eg的因素,發(fā)射光譜不在可見(jiàn)光范圍內(nèi)。
在偶極子的路徑中,由于電阻的存在,電子消耗功率。消耗的功率符合電子學(xué)的基本定律:
P=I2R=I2(RN++RP)+IVTH
在這個(gè)公式中:RN是N區(qū)域的身體阻力;VTH是PN結(jié)的開(kāi)路電壓;RP是P區(qū)的身體阻力
消耗功率產(chǎn)生的熱量為:
Q=鉑
在這個(gè)公式中,t是偶極子的電功率的時(shí)間。
從本質(zhì)上講,LED仍然是一種半導(dǎo)體二極管。因此,當(dāng)LED向前工作時(shí),其工作過(guò)程符合上述描述。它消耗的電力是:
PLED=ULED&TImes;伊萊德
在公式中:ULED是LED光源兩端的正向電壓;ILED是流過(guò)LED的電流。
消耗的電功率轉(zhuǎn)換為熱量釋放:在這個(gè)公式中:t是功率時(shí)間。
Q=PLED&TImes;t
事實(shí)上,電子與P區(qū)空穴結(jié)合時(shí)釋放的能量并不是由外部電源直接提供的,而是因?yàn)镹區(qū)在沒(méi)有外部電場(chǎng)的情況下,電子能級(jí)高于P區(qū)。電子的能級(jí)高于Eg。當(dāng)它到達(dá)P區(qū)時(shí),當(dāng)它與空穴結(jié)合成為P區(qū)的價(jià)電子時(shí),它會(huì)釋放出如此多的能量。Eg的大小由材料本身決定,與外部電場(chǎng)無(wú)關(guān)。外部電源對(duì)電子的影響只是驅(qū)動(dòng)它被定向并克服PN結(jié)。
LED的產(chǎn)熱與光效無(wú)關(guān);沒(méi)有百分之幾的電力產(chǎn)生光,其余百分之幾的電力產(chǎn)生熱關(guān)系。通過(guò)了解大功率LED的發(fā)熱、熱阻和結(jié)溫的概念,推導(dǎo)出理論公式并測(cè)量熱阻,我們可以研究大功率LED的實(shí)際封裝設(shè)計(jì)、評(píng)估和產(chǎn)品應(yīng)用。它是熱管理的關(guān)鍵問(wèn)題,在現(xiàn)階段LED產(chǎn)品的發(fā)光效率不高,從根本上提高發(fā)光效率,以減少產(chǎn)生的熱量是從根本上解決芯片制造、封裝和LED應(yīng)用產(chǎn)品技術(shù)方面需要發(fā)展的問(wèn)題。
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