當(dāng)BUZZ處于高壓狀態(tài)時,晶體管T1(N型晶體管)接通,蜂鳴器響起。R5 的角色用于電流限制。
以下電路增加一個電容C18和一個反向二極管D2,以濾除和阻斷反向二極管。二極管的反向擊穿電壓非常高。一般低功率三極管觸發(fā)電壓非常低至0.7V。電流也很小,一般小于1UA。
III IO控制電源開關(guān)已打開 - 使用晶體管和 MOS 管
MOS:FET MOSFET管之一,可制成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道全部類型。但實際應(yīng)用只是增強(qiáng)型N溝道MOS管和增強(qiáng)型P溝道MOS管,即NMOS和PMOS。
對于這兩種增強(qiáng)型MOS管,通常使用NMOS,其特點(diǎn)是導(dǎo)通電阻低。它通常適用于巫術(shù)電源和電機(jī)驅(qū)動。
導(dǎo)管條件:
當(dāng) Vgs 大于特定值時,NMOS 將打開。當(dāng) Vgs 小于某個值時,PMOS 打開。
開關(guān)損耗:
無論是NMOS還是PMOS,導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻,導(dǎo)致不可避免的損耗。而現(xiàn)在MOS晶體管的導(dǎo)通電阻一般是幾十毫歐。
MOS管AO3401:P溝道增強(qiáng)模式場效應(yīng)晶體管
導(dǎo)通條件:一般不超過-12V即可用于AO3401。以下是不同壓降下的阻抗:
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控制電路
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蜂鳴器
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