過(guò)零檢測(cè)回路的幾種方案

①晶體管：

圖1如圖1交流電為正半周時(shí)二極管導(dǎo)通，三極管導(dǎo)通，過(guò)零信號(hào)拉低。

負(fù)半周二極管不導(dǎo)通，過(guò)零信號(hào)常高。

②運(yùn)算放大器：

230V電源先接到12V的變壓器，輸出接到放大器的反向信號(hào)輸入腳，第7腳接電池正極。正向信號(hào)輸入接地作為參考電壓。當(dāng)非反相輸入(+)的電壓高于反相輸入( - )的電壓時(shí)，比較器的輸出為高電平。 -高于+則輸出為低電平。故正弦波正半周的時(shí)候輸出位低，負(fù)半周輸出為高。

③光耦：有效高低壓隔離更安全

一般就是交流電經(jīng)過(guò)一個(gè)整流橋全波整流后再用光耦隔離，注意限流電阻R300和R301的功率和阻值選型，光耦輸入端反向耐壓值較小，并聯(lián)或串聯(lián)一個(gè)二極管保護(hù)

應(yīng)用：開(kāi)關(guān)電路、標(biāo)志信號(hào)發(fā)生器、頻率計(jì)、相位計(jì)、移相調(diào)光等

我們最常用的是雙向可控硅控制搭配過(guò)零回路控制高壓電機(jī)，控制可控硅的開(kāi)啟時(shí)間從而對(duì)電機(jī)進(jìn)行調(diào)速

根據(jù)控制方式的不同有過(guò)零控制和相位控制。一個(gè)是延時(shí)一個(gè)是幾分之幾。不管哪種控制都要零點(diǎn)檢測(cè)，因?yàn)殡p向過(guò)控硅的特性就是：提供一個(gè)觸發(fā)脈沖信號(hào)可控硅導(dǎo)通，下一次過(guò)零點(diǎn)自動(dòng)關(guān)閉輸出。我們檢測(cè)零點(diǎn)目的就是關(guān)閉后，可以根據(jù)需求選擇時(shí)間來(lái)重新觸發(fā)可控硅。

我們常用的設(shè)計(jì)方案是15K(100V)或者33K(230V)兩個(gè)串聯(lián)，具體情況具體分析。

另外，現(xiàn)在新機(jī)種各國(guó)家向都要求指示燈拔電滅燈時(shí)間5秒以及滿足ERP要求。

在某產(chǎn)品上用了100W的開(kāi)關(guān)電源，為節(jié)省成本沒(méi)有用ERP線路板，為降低待機(jī)功耗未用放電電阻，改用了過(guò)零回路，拔電時(shí)過(guò)零信號(hào)沒(méi)了后程序強(qiáng)制關(guān)閉LED燈。

這時(shí)也要考慮過(guò)零回路待機(jī)功耗的問(wèn)題，阻值盡量大降低功耗。

以公司某產(chǎn)品為例，因?yàn)閿嚯姇r(shí)指示燈熄滅時(shí)間過(guò)長(zhǎng)所以增加過(guò)零回路，軟件上實(shí)現(xiàn)燈滅的效果。但是要考慮該回路本身的功耗。

在滿足過(guò)零信號(hào)不變形的前提下(軟件里識(shí)別低電平要小于0.2Vdd，具體根據(jù)芯片規(guī)格書(shū)確認(rèn))，調(diào)大R99和R100的電阻值降低過(guò)零回路的功耗。

調(diào)整R99和R100的阻值

電阻參數(shù)ERP功率

33K2-0.5=1.5W

130K1.36-0.504=0.856W

160K1.3-0.5=0.8W

240K無(wú)法開(kāi)啟

電阻值↑光耦電流↓延時(shí)↑開(kāi)啟時(shí)間↓ZERO_CRS會(huì)一直置高程序里無(wú)法識(shí)別

過(guò)零回路的優(yōu)點(diǎn):

1.可以直接強(qiáng)電過(guò)零，可以在沒(méi)有線性變壓器的情況下使用，回路涉及元器件小且少，PCB板占地小。

2.接觸式觸點(diǎn)在斷開(kāi)瞬間可能會(huì)產(chǎn)生瞬間火花，這種放電現(xiàn)象被叫做電弧。有效抑制電弧但是只用于交流回路不用于直流回路。

過(guò)零檢測(cè)電路是抑制電弧的輔助手段,在斷電瞬間告知處理器零點(diǎn)的來(lái)臨,程序設(shè)定CPU及時(shí)在零點(diǎn)處將主回路斷開(kāi),最大限度地杜絕電弧的產(chǎn)生。

3.降低電壓上升率，減少高次諧波的干擾。

審核編輯：湯梓紅