韓國總理室下屬的尖端研究機構(gòu)對外經(jīng)濟政策研究院(kiep)發(fā)表報告稱,在5至10年內(nèi),中國將躍升為下一代半導體生產(chǎn)的領先者。
《中國半導體國產(chǎn)化推進狀況》報告稱,中國正在擴大對電動汽車及能源儲存系統(tǒng)(ess)用新一代電力半導體(sic及gan配件)的支援,并追求技術優(yōu)勢。
報告稱:“由于在制造過程中存在各種專利壁壘,中國很難克服尖端半導體技術的障礙,但新一代輸出半導體可以看作是中國在今后5至10年內(nèi)可以引領的領域。”
報告稱:“中國目前正集中投資具備先進的半導體芯片設計(fab - lease)能力,但在這方面,美國對中國的制裁相對較小。”中國半導體設計企業(yè)數(shù)量從2014年的681家增加到2021年的2810家,增加4.1倍;在此期間,非晶片銷售額增加4.3倍(2021年4519億元人民幣)。
報告書特別介紹了中國半導體企業(yè)的特點。belocker等新生企業(yè)具有設計高性能圖像處理裝置(gpu)的能力。華為目前正在包裝(晶片級包裝技術)、極紫外線版畫(euv)、電子設計自動化(eda)等領域申請專利。阿里巴巴、byte dance、騰訊也已經(jīng)開始設計ai芯片。
半導體設備的國產(chǎn)化率也在迅速上升。截至去年,中國半導體制造設備的國產(chǎn)化率為35%,滲透率迅速提高。隨著韓國企業(yè)通過政府的投資支援迅速獲得技術,蝕刻、薄膜、沉積等工程領域的國產(chǎn)化率明顯提高。
與此同時,在中國的半導體制造競爭力方面,nand閃存和dram仍落后世界領先者2年左右,在市場版圖上,中央處理器(cpu)、dram和nand的國產(chǎn)化率到2021年為止僅為一位數(shù)。
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