三星向外界公布 GAA MBCFET 技術(shù)最新進展
5月9日，三星Foundry在以色列舉行的半導體展覽chipex2023上公布了對3nm gaa mbcfet技術(shù)的最新開發(fā)和sram設計的影響。
三星解釋說，mbcfet提供了比finfet更好的設計靈活性：在傳統(tǒng)的finfet結(jié)構(gòu)中，無法調(diào)整包裹柵極的別針高度。由于mbcfet將鰭橫向堆積，因此可以調(diào)整納米板的高度，并且可以選擇比finfet更多的聲道寬度。
mbcfet的這些功能提高了sram單元設計的靈活性，提供了pmos和nmos之間的最佳平衡。
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工商網(wǎng)監(jiān)
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