國(guó)芯思辰 |國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在可移動(dòng)數(shù)據(jù)采集器中的應(yīng)用

在數(shù)據(jù)采集中，某些變化緩慢的直流信號(hào)，需要長(zhǎng)時(shí)間監(jiān)測(cè)記錄信號(hào)變化歷史的場(chǎng)合，用性能可靠的移動(dòng)存儲(chǔ)器接在工作現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行數(shù)據(jù)自動(dòng)記錄采集，待采集完成后取回并接到計(jì)算機(jī)讀取分析，是解決這類問(wèn)題的最佳辦法。本文介紹的移動(dòng)數(shù)據(jù)采集器，關(guān)鍵在于解決移動(dòng)時(shí)掉電數(shù)據(jù)保持問(wèn)題以及在大容量的存儲(chǔ)空間保證足夠的分辨率和記錄時(shí)長(zhǎng)。

掉電數(shù)據(jù)保持常用的存儲(chǔ)器有EEPROM和FLASH，或者用SRAM存儲(chǔ)器加電池的辦法解決，但EEPROM讀寫速度低，容易受干擾，存在讀寫次數(shù)的限制(一般只有10萬(wàn)次)，SRAM加電池的辦法則線路復(fù)雜，可靠性差，移動(dòng)時(shí)容易造成數(shù)據(jù)丟失。

國(guó)產(chǎn)新型鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）PB85RS2MC為電子技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)的普及和發(fā)展開(kāi)辟了許多新的可能性，它與EEPROM比較，具有諸多的優(yōu)勢(shì)，例如重寫速度高達(dá)100萬(wàn)，而功耗4.8毫安，它具備靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM一樣的快速讀寫數(shù)據(jù)和低功耗操作的優(yōu)點(diǎn)，又具有EEPROM存儲(chǔ)部樣的掉電數(shù)據(jù)保持的特性。幾乎可以把它當(dāng)作SRAM來(lái)使用，采用這種存儲(chǔ)器做移動(dòng)采集器具有可靠性高、讀寫速度快、使用壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)。

PB85RS2MC是通過(guò)鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，該存儲(chǔ)器優(yōu)秀的性能可以替代MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯），且PB85RS2MC有一定的價(jià)格優(yōu)勢(shì)，國(guó)芯思辰可提供專業(yè)的技術(shù)支持。

國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC性能特征：

?容量：2M bit，接口類型：SPI接口(模式0和模式3)

?工作電壓：2.7伏至3.6伏，工作頻率：25兆赫茲

?功耗：4.8毫安（25兆赫茲），待機(jī)功耗9微安

?高速讀特性：支持40MHz高速讀命令

?工作環(huán)境溫度范圍：-40℃至85℃

?封裝形式：8引腳SOP寬體208mil封裝，符合RoHS

注：如涉及作品版權(quán)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系刪除。