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【大大魚干的類比電源講堂】Infineon IGBT的選型與應(yīng)用之1

大大通 ? 2023-05-16 09:15 ? 次閱讀

英飛凌 IGBT 模塊的說明

模組有哪些種類與型式?

為什么需要模組?

什么時候需要用到模組?

我該選用模組或是單管?

我的應(yīng)用空間是否足夠?

模組有哪些種類與型式?

……

以上,都是工程師在面對新的專案的時候常常會面對到的問題。

本篇先僅就IGBT module幾項重要參數(shù)進(jìn)行說明,以便工程師可以在設(shè)計前期有一些選型的參考依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)。

首先我們先來了解IGBT 模組的datasheet 標(biāo)示含義:

Data Sheet 上的標(biāo)示說明:

wKgaomRh9gCABmsuAAkmBnqj4QU780.png

型號名稱

數(shù)據(jù)表的第一部分以模塊的型號命名開始,如下圖所示:

wKgZomRh9fyAP8PnAAAmJTA_9Uc481.pngwKgaomRh9fyAIlOyAAAcGmpL-rM555.png

Module Topology(模組內(nèi)部電路圖拓樸)

wKgZomRh9f2ATRKoAAELkxMC7BI759.png

常用的幾種包裝的內(nèi)部拓樸:

? FF(Dual Switch):

wKgaomRh9f2Ae2jnAAAJ_DmTY9A789.pngwKgZomRh9f2Af0BwAAAQX4o9waU927.png

? FZ(Single Switch):

wKgaomRh9f2AJJgdAAAQf8tag4A269.pngwKgaomRh9f2AZCS_AAAePtpzihU928.png

? FS(3phas Full Bridge—Sixpack):

wKgZomRh9f6ATM6yAAAkpti2WNE934.png

? FP(Power integrated Module)

wKgaomRh9f6AbDzNAABAM2-1R3c152.png

? F4(H Bridge):

wKgZomRh9f6AUZNEAAAy1DBrGp0158.png

? F3L(3-Level one leg IGBT module)

wKgaomRh9f6ALzabAAAji6cT1lU903.png

? DF(Booster)

wKgaomRh9f6AXsDmAAAXofG9L7Q498.png

? FD (Chopper configuration)

wKgZomRh9f-AeeFdAAAyYGd8i70240.png

? 電流等級與工作電壓:

wKgaomRh9f-AZ8zLAAAgegDS7Bw813.png

06=600V ,

07=650V ,

12=1200V,

17=1700V

? 功能性(Functionality):

wKgZomRh9f-AQ5JbAAAdxrpN8Pw968.png

R:Reverse conducting,

S:Fast diode,

T:Reverse blocking.

? 包裝機(jī)械構(gòu)造(Mechanical construction)

wKgaomRh9f-AXB5wAAAd4I1WhnI291.png

K: Mechanical construction.

H: Package: IHM / IHV B-Series.

IPrimePACK

M:Econo Dual

N1~3:EconoPACK 1~3

O:EconoPACK+

P: EconoPACK4

U1~3Smart 1~3

V:Easy 750

W1~3:EasyPACK, EasyPIM 1~3

※有關(guān)包裝尺寸與圖片將以另行篇幅描述

? 芯片類型Chip Type

wKgZomRh9f-ADkXlAAAeDeVfBpo581.png

F:Fast switching IGBT chip

H:High speed IGBT chip

J:SiC JFET chip

L:Low Loss IGBT chip

S:Fast trench IGBT chip

E:Low Sat & fast IGBT chip

T:Fast trench IGBT

P:Soft switching trench IGBT

※有關(guān)芯片類型與應(yīng)用場合將以另行篇幅描述

? 模組特性(Particularity of the module)

wKgaomRh9gCAA6Q3AAAcznTF59Y624.png

C:With Emitter Controlled-Diode

D:Higher diode current

F:With very fast switching diode

G:Module in big housing

I:Integrated cooling

P:Pre-applied thermal interface material

R:Reduced numbers of pins

T:Low temperature type

-K:Design with common cathode

※有關(guān)模組特性將與芯片類型以另行篇幅描述

? 結(jié)構(gòu)變化Construction variation

wKgZomRh9gCAJqb9AAAd_RbAYjE996.png

B1~n: Construction variation

S1~n: Electrical selection

末:

Infineon 的IGBT Module 種類齊全且多樣、豐富,但也不一定都是熱門且?guī)齑娣€(wěn)定,若無從下手,或是希望能夠避免花了時間選型選到非大宗用料,歡迎撥冗與SAC的業(yè)務(wù)或PM 取得聯(lián)系。

<本篇未完,待續(xù)> 敬請關(guān)注后續(xù)更新!

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