國(guó)芯思辰 |混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1可用于DC-DC電源轉(zhuǎn)換

DC-DC電源變換器將一個(gè)固定的直流電壓變換為可變的直流電壓，這種技術(shù)被常應(yīng)用于無(wú)軌電車(chē)，地鐵列車(chē)，電動(dòng)車(chē)的無(wú)級(jí)變速和控制，同時(shí)使上述控制獲得加速平穩(wěn)，快速響應(yīng)的性能。

開(kāi)關(guān)電源以其效率高、功率密度高而在電源領(lǐng)域中占主要地位，為了以更低的功耗獲得更高的速度和更佳的性能，基本半導(dǎo)體推出的混合碳化硅分立器件將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的完美方案。

混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT（硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封），使得IGBT的開(kāi)關(guān)損耗大幅降低。

這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET和高性能的碳化硅 MOSFET之間，在某些場(chǎng)合性價(jià)比更優(yōu)于超結(jié)MOSFET和碳化硅MOSFET，可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡，具有重要的應(yīng)用價(jià)值，特別適用于對(duì)功率密度提升有需求。

基本半導(dǎo)體BGH75N120HF1在高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：

1、BGH75N120HF1輸出電壓1200V，連續(xù)直流電流為75A @TC=100°C。

2、BGH75N120HF1工作結(jié)溫范圍-40℃-150℃，存儲(chǔ)溫度-55℃-150℃。

3、BGH75N120HF1提供TO-247-3封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

4、BGH75N120HF1大幅降低了IGBT的開(kāi)關(guān)損耗，適用于對(duì)功率密度提升有需求和更性價(jià)比的電源應(yīng)用場(chǎng)景。

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