國芯思辰 | 國產(chǎn)舜銘存儲鐵電存儲器PB85RS2MC在FPGA中的方案

現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)是技術(shù)和市場雙重作用下的產(chǎn)物，它較之ASIC有開發(fā)周期短、可靠性高、市場風險低的優(yōu)點，隨著半導體工藝技術(shù)的發(fā)展，F(xiàn)PGA的上述優(yōu)勢使得它不僅作為硬件仿真手段，而且在程控交換機、重配置硬件系統(tǒng)，F(xiàn)PGA正發(fā)揮著越來越大的作用。

然而，現(xiàn)有的大多數(shù)商用FPGA都是基于SRAM架構(gòu)進行編程的，但它最大的缺陷就是掉電后存儲信息的易失性(如EPROM)，在每次工作時重新裝編程信息來解決，但它不僅消耗硬件資源，而且?guī)砹肆硪粋€問題編程信息的保密性，這就使得研究關(guān)于內(nèi)置式非易失性FPGA成為可能和必要，本文主要提到一種基于鐵電存儲器編程的FPGA的新思路，介紹了其性能特征在編程方面的優(yōu)勢。

國產(chǎn)舜銘存儲鐵電存儲器PB85RS2MC它是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元，其具有高可靠性，數(shù)據(jù)保持時間為100年，完全隨機不需要寫等待的高讀寫效率，SPI接口速率最高可以支持到25Mhz的工作頻率，并且具有非常低的功耗；由于其特殊的鐵電材質(zhì)，所以該存儲器的擦寫次數(shù)可達1E6 次讀/寫操作*1。

舜銘存儲PB85RS2MC參數(shù)如下：

?容量128Kb，提供SPI接口；

?工作頻率是25兆赫茲；

?數(shù)據(jù)保持：10年@85℃（200年@25℃）；

?高速讀特性：支持40MHz高速讀命令；

?工作環(huán)境溫度范圍：-40℃至85℃；

?封裝形式：8引腳SOP封裝，符合RoHS；

?性能兼容富士通和賽普拉斯；

目前，各種數(shù)字系統(tǒng)都使用大量常規(guī)的易失性邏輯電路。因此，當工作中突然掉電或死機，就會丟失很多重要信息。鐵電存儲器PB85RS2MC的非易失性特性不僅能很好地解決這個問題，而且為低功耗設計提供了一種新的途徑。

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