0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國芯思辰 |碳化硅MOSFET B1M160120HC用于車載充電的汽車功率模塊

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2023-04-10 11:50 ? 次閱讀

電動汽車的電動機是有源負載,其轉(zhuǎn)速范圍很寬,且在行駛過程中需要頻繁地加速和減速,工作條件比一般的調(diào)速系統(tǒng)要復(fù)雜,因此,其驅(qū)動系統(tǒng)是決定電動汽車性能的關(guān)鍵所在。

隨著電動汽車的發(fā)展,對電力電子功率驅(qū)動系統(tǒng)提出了更高的要求,即更輕、更緊湊、更高效、更可靠,本文重點提到基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M160120HC助力車載充電器實現(xiàn)更快充電和更遠的續(xù)航里程。

B1M160120HC主要用于用于電動汽車的車載充電和高壓DCDC轉(zhuǎn)換,可提高能效并縮短電動汽車的充電時間,器件專用于大功率車載充電器,其更低的導(dǎo)通電阻使得碳化硅電力電子器件具有更小的導(dǎo)通損耗,從而能獲得更高的整機效率;以下是B1M160120HC的主要應(yīng)用優(yōu)勢:

1、B1M160120HC具有導(dǎo)通電阻低、開關(guān)損耗小的特點,可降低器件損耗,提升系統(tǒng)效率,更適合應(yīng)用于高頻電路。

2、B1M160120HC具有超低內(nèi)阻,可在大功率應(yīng)用中降低模塊的冷卻要求。

3、B1M160120HC的結(jié)溫范圍為-55°~150°,即使在具挑戰(zhàn)性的、空間受限的汽車應(yīng)用中也能確??煽啃?。

4、B1M160120HC可完全替代科銳C2M0160120D,提供TO-247-3封裝。

B1M160120HC.png

綜上基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M160120HC完全可以用于車載充電器的汽車功率模塊設(shè)計方案,國芯思辰擁有完整的供應(yīng)鏈和全面設(shè)計支持,可以提供優(yōu)良的碳化硅產(chǎn)品,該產(chǎn)品價格也非常有優(yōu)勢。

注:如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系刪除。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 充電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    22

    文章

    1328

    瀏覽量

    94738
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    7213

    瀏覽量

    213826
  • 車載充電器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    249

    瀏覽量

    24169
  • 國芯思辰
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    1077

    瀏覽量

    1406
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點,使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢。本
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?659次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)點和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件在性
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?602次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的優(yōu)點和應(yīng)用

    了解用于碳化硅MOSFET的短路保護方法

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《了解用于碳化硅MOSFET的短路保護方法.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 09-02 09:10 ?0次下載
    了解<b class='flag-5'>用于</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的短路保護方法

    基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

    隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術(shù)帶來了更嚴峻的挑戰(zhàn)。
    的頭像 發(fā)表于 07-18 15:26 ?420次閱讀
    基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>中的應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體應(yīng)用于高壓快充的E2B碳化硅功率模塊方案解析

    充電樁采用碳化硅模塊可以增加近30%的輸出功率,減少50%的損耗。目前在充電樁領(lǐng)域,碳化硅應(yīng)用處
    的頭像 發(fā)表于 07-04 10:39 ?755次閱讀
    基本半導(dǎo)體應(yīng)<b class='flag-5'>用于</b>高壓快充的E2<b class='flag-5'>B</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>方案解析

    使用碳化硅模塊充電設(shè)備設(shè)計

    碳化硅(SiC)功率模塊因其高效能和可靠性,正在迅速成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備中不可或缺的組件。MPRA1C65-S61是一款先進的SiC模塊,特
    的頭像 發(fā)表于 06-06 11:19 ?348次閱讀
    使用<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>模塊</b>的<b class='flag-5'>充電</b>設(shè)備設(shè)計

    碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

    過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:23 ?855次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)<b class='flag-5'>功率</b>器件的開關(guān)性能比較

    SemiQ用于電動汽車快速充電碳化硅

    SemiQ的各種碳化硅(SiC)二極管、模塊MOSFET能夠滿足高效率電動汽車快速充電設(shè)計的需求,具有一流的可靠性、質(zhì)量和性能。SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-15 11:20 ?371次閱讀
    SemiQ<b class='flag-5'>用于</b>電動<b class='flag-5'>汽車</b>快速<b class='flag-5'>充電</b>的<b class='flag-5'>碳化硅</b>

    英飛凌推出用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動評估板

    半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者英飛凌科技近日發(fā)布了一款革命性的數(shù)字驅(qū)動評估板——EVAL-FFXMR20KM1HDR,專為2kV碳化硅MOSFET模塊設(shè)計。這款評估板為工程師們提供了一個快速、便捷
    的頭像 發(fā)表于 05-11 11:33 ?794次閱讀

    新品 | 用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動評估板

    新品用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動評估板評估板EVAL-FFXMR20KM1HDR可以幫助客戶快速啟動基于2kV
    的頭像 發(fā)表于 05-09 08:13 ?393次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>用于</b>2kV<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>模塊</b>的數(shù)字驅(qū)動評估板

    碳化硅功率器件:高效能源轉(zhuǎn)換的未來

    碳化硅功率器件是一類基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,常見的碳化硅功率器件包括碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 04-29 12:30 ?494次閱讀

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復(fù)。用于空氣/油/SF6 環(huán)境。可配置為單個或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料??芍貜?fù)的非線性特性。耐高壓?;旧鲜菬o感的。碳化硅
    發(fā)表于 03-08 08:37

    一文了解SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢

    耐壓,高可靠性??梢詫崿F(xiàn)節(jié)能降耗,小體積,低重量,高功率密度等特性,在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢。 一. 碳化硅MOSFET常見封裝TO247
    的頭像 發(fā)表于 02-21 18:24 ?1490次閱讀
    一文了解SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的應(yīng)用及性能優(yōu)勢

    聯(lián)集成與蔚來汽車簽署碳化硅生產(chǎn)供貨協(xié)議

    近日,聯(lián)集成與蔚來汽車簽署了碳化硅模塊產(chǎn)品的生產(chǎn)供貨協(xié)議。根據(jù)協(xié)議條款,聯(lián)集成將成為蔚來首款自研1200V
    的頭像 發(fā)表于 01-31 10:29 ?487次閱讀