0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

光隔離探頭助力氮化鎵(GaN)原廠FAE解決客戶問題

麥科信儀器 ? 2023-03-13 17:43 ? 次閱讀

作為功率半導(dǎo)體廠商,為下游客戶提供典型應(yīng)用方案似乎成行業(yè)內(nèi)約定俗成的事。也就是說,作為半導(dǎo)體原廠不僅要設(shè)計(jì)好芯片,還要親自設(shè)計(jì)和驗(yàn)證很多應(yīng)用方案供下游客戶參考或者直接采用,以便讓自己的芯片能快速通過下游客戶的應(yīng)用而占領(lǐng)市場(chǎng)。但是下游客戶面臨的應(yīng)用場(chǎng)景復(fù)雜多樣,盡管芯片原廠提供了應(yīng)用方案的原理圖、甚至是PCB參考設(shè)計(jì),在下游客戶手中仍然會(huì)遇到各種各樣的技術(shù)難題而導(dǎo)致項(xiàng)目停滯不前。

每當(dāng)這個(gè)時(shí)候,下游客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案,或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問題,盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域,但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問題,和芯片沒有關(guān)系。這種情況對(duì)新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)原廠來說尤為常見,其根本原因是氮化鎵芯片的優(yōu)異開關(guān)性能所引起的測(cè)試難題,下游的氮化鎵應(yīng)用工程師往往束手無策。

知名氮化鎵品牌的下游客戶,用氮化鎵半橋方案作為3C消費(fèi)類產(chǎn)品電源,因電源穩(wěn)定性一直存在問題,導(dǎo)致其產(chǎn)品研制受阻;工程師尋求原廠FAE技術(shù)支持,因測(cè)試結(jié)果的數(shù)據(jù)與理論數(shù)據(jù)相差懸殊,原廠FAE懷疑客戶的測(cè)試手段可能存在問題,建議客戶采用麥科信公司的OIP系列光隔離探頭進(jìn)行測(cè)試,讓客戶測(cè)試后再進(jìn)行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方,麥科信工程師對(duì)測(cè)試過程提供了技術(shù)支持。

測(cè)試背景:3C消費(fèi)類產(chǎn)品,其電源采用氮化鎵(GaN)半橋方案。

測(cè)試目的:氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds,分析控制信號(hào)的時(shí)間及電壓是否滿足設(shè)計(jì)要求。

測(cè)試設(shè)備:示波器TO3004,光隔離探頭OIP200B,高壓差分探頭及無源探頭。

測(cè)試結(jié)果如下:

v2-827cdb750029cb1f12d91760d3ce9a26_720w.webp

▲上管開啟(黃色光隔離探頭),下管關(guān)斷(藍(lán)色無源探頭)

v2-6913f4b253a8119408f1b91007345e2c_720w.webp

▲上管關(guān)斷(黃色光隔離探頭),下管開啟(藍(lán)色差分探頭)

v2-d0d280e0ea2bda10be625cc7c71ec12b_720w.webp

▲上管導(dǎo)通Vgs信號(hào)波形(光隔離探頭)

v2-1cd307a5b9bc0ff556dc617857dc5481_720w.webp

▲上管關(guān)斷Vgs信號(hào)波形(光隔離探頭)

從以上測(cè)試結(jié)果看,在開關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷的瞬間,盡管無源探頭測(cè)試的是下管信號(hào),仍然有劇烈的震蕩,這是無源探頭不能抑制共模干擾導(dǎo)致的,而OIP光隔離探頭完全抑制了共模干擾,把真實(shí)的信號(hào)形態(tài)進(jìn)行了呈現(xiàn)。

現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試照片如下:

v2-14885db034ae8a8c7d9e1b11f3403352_720w.webp

▲測(cè)試目標(biāo)和接線

v2-f9e7dbf7124bf23d036e8a5fc3c31c31_720w.webp

▲示波器波形畫面

后記

該客戶將示波器截圖發(fā)給氮化鎵原廠FAE,F(xiàn)AE很直觀就發(fā)現(xiàn)了電路問題所在。該客戶對(duì)電源電路進(jìn)行了調(diào)整,最終解決了所有的問題。這個(gè)案例對(duì)氮化鎵原廠FAE來說不算典型,幾乎是每天都要面對(duì)的情形,因?yàn)橄掠慰蛻魷y(cè)試設(shè)備所限,很難真正發(fā)現(xiàn)氮化鎵電路所存在的問題。常言道“工欲善其事,必先利其器”,借助麥科信OIP系列光隔離探頭可以讓工程師洞見最真實(shí)的信號(hào)特征,很快找到問題所在,大大減少原廠FAE和下游客戶之間溝通的時(shí)間成本。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電源設(shè)計(jì)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    1535

    瀏覽量

    66417
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    59

    文章

    1631

    瀏覽量

    116354
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    1935

    瀏覽量

    73447
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2762

    瀏覽量

    49057
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    第三代半導(dǎo)體氮化(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)

    第三代半導(dǎo)體氮化GaN)。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代半導(dǎo)體氮化
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:06 ?486次閱讀
    第三代半導(dǎo)體<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)基礎(chǔ)知識(shí)

    案例分享:隔離探頭在大功率直流穩(wěn)壓電源測(cè)試中的應(yīng)用

    ;amp; 上管Id電流  ● 客戶痛點(diǎn): 使用碳化硅器件研發(fā)電源產(chǎn)品時(shí),使用傳統(tǒng)差分探頭測(cè)量上管Vgs, 信號(hào)震蕩,難以分析定位問題  麥科信測(cè)試方案  ● 隔離
    發(fā)表于 10-31 17:04

    碳化硅 (SiC) 與氮化GaN)應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

    SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和擊穿場(chǎng)方面相對(duì)相似。
    的頭像 發(fā)表于 09-16 08:02 ?684次閱讀
    碳化硅 (SiC) 與<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b> (<b class='flag-5'>GaN</b>)應(yīng)用  | <b class='flag-5'>氮化</b>硼高導(dǎo)熱絕緣片

    氮化和砷化哪個(gè)先進(jìn)

    氮化GaN)和砷化(GaAs)都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員,它們?cè)诟髯缘膽?yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而,要判斷哪個(gè)更先進(jìn),并不是一個(gè)簡(jiǎn)單的二元對(duì)立問題,因?yàn)樗鼈兊南冗M(jìn)性取決
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:37 ?2576次閱讀

    高壓差分探頭隔離探頭有何區(qū)別,為什么非要選擇隔離探頭?

    隔離探頭和高壓差分探頭在測(cè)試中有著不同的應(yīng)用和特點(diǎn),隔離
    的頭像 發(fā)表于 07-30 16:04 ?682次閱讀
    高壓差分<b class='flag-5'>探頭</b>和<b class='flag-5'>光</b><b class='flag-5'>隔離</b><b class='flag-5'>探頭</b>有何區(qū)別,為什么非要選擇<b class='flag-5'>光</b><b class='flag-5'>隔離</b><b class='flag-5'>探頭</b>?

    氮化GaN)技術(shù)的迅猛發(fā)展與市場(chǎng)潛力

    近年來,氮化(GaN)技術(shù)以其在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的顯著優(yōu)勢(shì),迅速成為半導(dǎo)體行業(yè)的焦點(diǎn)。尤其是在人工智能(AI)、智能汽車和新能源等新興領(lǐng)域的推動(dòng)下,氮化
    的頭像 發(fā)表于 07-24 10:55 ?604次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)技術(shù)的迅猛發(fā)展與市場(chǎng)潛力

    氮化GaN)的最新技術(shù)進(jìn)展

    本文要點(diǎn)氮化是一種晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電壓。氮化器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化
    的頭像 發(fā)表于 07-06 08:13 ?861次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)的最新技術(shù)進(jìn)展

    淺談耦與氮化快充技術(shù)的創(chuàng)新融合

    氮化快充技術(shù)主要通過將氮化功率器件應(yīng)用于充電器、電源適配器等充電設(shè)備中,以提高充電效率和充電速度。耦技術(shù)作為一種能夠?qū)㈦娦盘?hào)轉(zhuǎn)換成
    的頭像 發(fā)表于 06-26 11:15 ?417次閱讀
    淺談<b class='flag-5'>光</b>耦與<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充技術(shù)的創(chuàng)新融合

    干貨必讀|隔離探頭為什么在雙脈沖測(cè)試中不可或缺

    高壓差分探頭輸入端時(shí)就會(huì)導(dǎo)致震蕩,有時(shí)候這個(gè)震蕩超過了一定極限,就會(huì)引起氮化器件瞬間燒毀炸管。而光隔離探頭采用MCX或MMCX連接,引線極
    發(fā)表于 06-12 17:00

    氮化是什么充電器類型

    氮化不是充電器類型,而是一種化合物。 氮化GaN)是一種重要的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)特性。近年來,
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:20 ?964次閱讀

    氮化是什么結(jié)構(gòu)的材料

    氮化GaN)是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:18 ?3404次閱讀

    氮化芯片用途有哪些

    氮化GaN)芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料,由氮化制成。它具有許多優(yōu)越的特性,例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等,這使得它在許多
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:13 ?1568次閱讀

    氮化功率器件結(jié)構(gòu)和原理

    氮化功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件,具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化
    的頭像 發(fā)表于 01-09 18:06 ?3229次閱讀

    隔離探頭的基本原理 隔離探頭的作用

    隔離探頭的基本原理 隔離探頭的作用?
    的頭像 發(fā)表于 01-08 16:34 ?1411次閱讀

    隔離探頭相對(duì)差分探頭的優(yōu)勢(shì)

    隔離探頭相對(duì)差分探頭的優(yōu)勢(shì)? 隔離探頭與差分
    的頭像 發(fā)表于 01-08 11:42 ?658次閱讀