光隔離探頭實(shí)測(cè)案例——氮化鎵GaN半橋上管測(cè)試

測(cè)試背景

地點(diǎn)：國(guó)外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實(shí)驗(yàn)室

測(cè)試對(duì)象：氮化鎵半橋快充

測(cè)試原因：因高壓差分探頭測(cè)試半橋上管Vgs時(shí)會(huì)炸管，需要對(duì)半橋上管控制信號(hào)的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測(cè)試

測(cè)試探頭：麥科信OIP系列光隔離探頭

現(xiàn)場(chǎng)條件

因該氮化鎵快充PCBA設(shè)計(jì)密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最優(yōu)方案的同軸延長(zhǎng)線連接（通常推薦采用MCX母座連接，可最大限度減少引線誤差）。

現(xiàn)場(chǎng)連接圖如下：

▲圖1：接線

現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試步驟

1.將探頭連接10X衰減器，并將衰減器插入同軸延長(zhǎng)線；

2.將OIP探頭連接示波器第4通道并開(kāi)機(jī)；

3.將示波器對(duì)應(yīng)通道衰減比設(shè)置10X，將輸入電阻設(shè)置為50Ω；

4.給目標(biāo)板上電；

▲圖2：測(cè)試場(chǎng)景1

▲圖3：測(cè)試場(chǎng)景2

測(cè)試結(jié)果

1.Vgs控制電壓5.1V左右，信號(hào)光滑無(wú)任何畸變；

2.上管關(guān)斷瞬間負(fù)沖0.5V左右，在氮化鎵器件安全范圍；

3.下管關(guān)斷瞬間引起的負(fù)沖在2.2V左右，在氮化鎵器件安全范圍；

4.Vgs信號(hào)上升時(shí)間240ns左右。

（以上數(shù)據(jù)通過(guò)截屏讀數(shù)）

▲圖4：測(cè)試結(jié)果截屏

結(jié)論

1.目標(biāo)板設(shè)計(jì)合理，Vgs控制信號(hào)近乎完美；

2.測(cè)試顯示Vgs信號(hào)無(wú)任何震蕩，共模干擾被完全抑制；

3.OIP系列光隔離探頭測(cè)試氮化鎵半橋上管Vgs，沒(méi)有引起炸管。