光隔離探頭實測案例——氮化鎵GaN半橋上管測試

測試背景

地點：國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實驗室

測試對象：氮化鎵半橋快充

測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進(jìn)行摸底測試

測試探頭：麥科信OIP系列光隔離探頭

現(xiàn)場條件

因該氮化鎵快充PCBA設(shè)計密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最優(yōu)方案的同軸延長線連接（通常推薦采用MCX母座連接，可最大限度減少引線誤差）。

現(xiàn)場連接圖如下：

▲圖1：接線

現(xiàn)場測試步驟

1.將探頭連接10X衰減器，并將衰減器插入同軸延長線；

2.將OIP探頭連接示波器第4通道并開機(jī)；

3.將示波器對應(yīng)通道衰減比設(shè)置10X，將輸入電阻設(shè)置為50Ω；

4.給目標(biāo)板上電；

▲圖2：測試場景1

▲圖3：測試場景2

測試結(jié)果

1.Vgs控制電壓5.1V左右，信號光滑無任何畸變；

2.上管關(guān)斷瞬間負(fù)沖0.5V左右，在氮化鎵器件安全范圍；

3.下管關(guān)斷瞬間引起的負(fù)沖在2.2V左右，在氮化鎵器件安全范圍；

4.Vgs信號上升時間240ns左右。

（以上數(shù)據(jù)通過截屏讀數(shù)）

▲圖4：測試結(jié)果截屏

結(jié)論

1.目標(biāo)板設(shè)計合理，Vgs控制信號近乎完美；

2.測試顯示Vgs信號無任何震蕩，共模干擾被完全抑制；

3.OIP系列光隔離探頭測試氮化鎵半橋上管Vgs，沒有引起炸管。