英利檢測:發(fā)射機調制質量我們已經(jīng)學習了EVM和載波泄漏,今天繼續(xù)學習帶內發(fā)射:In-band emissions,簡稱IBE。
01
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In-band emissions為什么又是調制性能
帶有emission的測量項,有這樣幾種叫法:
Out of band emission,帶外發(fā)射; unwanted emission,無用發(fā)射; Spurious emission,雜散發(fā)射。
與IBE不同,這些emission都是發(fā)生在帶外的,被歸類為輸出頻譜的性能,我們后面還會具體學習這些emission的區(qū)別。那么IBE也是一種emission,顧名思義它發(fā)生在帶內。
首先,我們來搞清楚In-band emissions是如何發(fā)生的,如下圖所示,在4G或5G的OFDM調制中,由于終端并不一定時時占滿整個帶寬的RB資源,事實上某個終端也總是不可能占滿整個RB資源的,可能只占用整個帶寬的極少一部分。所以被分配使用的RB(Active)一旦發(fā)出了功率,就會相應的在未分配RB上產生雜波干擾信號,同時也會產生在載波處的泄漏(Leakage)干擾信號,以及在鏡像頻率處的鏡像干擾(Image)信號。
所以In-band emissions,帶內發(fā)射,根據(jù)發(fā)射干擾信號產生的頻率位置,總共分為三類:General ,IQ Image和Carrier Leakage,如下圖所示:
IBE所包含的三個類型的測試項:
Carrier leakage:是在載波附近的IBE; IQ image:是在分配的RB的另一側相對于載波對稱的IBE; General:適用于所有未分配的RB。
那為什么要進行IBE的測試?如果這三種干擾信號泄漏出來,首先載波泄漏的影響,我們在上一篇中已經(jīng)討論過了,另外兩種干擾,一定會造成其他終端用戶(這里其他用戶指剛好使用了這些被干擾的RB的UE)的底噪抬升或信噪比的下降,也就是EVM的惡化。
上一篇,我們分析了載波泄漏為什么是調制性能的測試項,而對于In-band emissions,當終端發(fā)射機在帶內出現(xiàn)了上述一系列的雜波信號后,也同樣導致了調制性能的惡化,所以需要進行測量。從范疇上來說,IBE的影響,比載波泄漏更加寬泛。
02
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IBE的測量要求
IBE的測量分為PUSCH和PUCCH。
PUSCH的測試配置如下:
頻率:低中高; 帶寬:低中高; SCS:最低; 上行調制:DFT-s-OFDM QPSK,CP-OFDM QPSK; 上行RB分配:Inner_1RB_Left,Inner_1RB_Right;
PUCCH的測試配置如下:
頻率:低中高; 帶寬:低中高; SCS:最低; 下行調制:CP-OFDM QPSK; 下行RB分配:Full RB; PUCCH配置:Format 3 and Format 1,Length in OFDM symbols = 14; 上行RB分配:0,NRB-1;
IBE的測量要求如下表6.4.2.3.5-1:
表格中出現(xiàn)了三種IBE的測量要求,其中General的IBE要求中出現(xiàn)了很多符號,我們來解釋一下,有些是復習哈:
- NRB:是給定信道帶寬和子載波間隔的最大RB數(shù)量(transmission bandwidth configuration);
- LCRB:是分配的RB數(shù)量(transmission bandwidth);
這兩個參數(shù)的定義我們以前學習過,參考下圖就知道為什么叫做transmission bandwidth configuration 和 transmission bandwidth了:
- EVM:這里出現(xiàn)的EVM是表6.4.2.1.3-1中規(guī)定的分配RB使用的調制格式的限值。例如QPSK的限值是17.5%,參考一起來學5G終端射頻標準(EVM究竟如何算)。這里在General IBE的測試要求公式中取了對數(shù)單位,20Log(17.5%)=-15.14 dB;
- :是分配的RB和測量的未分配RB之間的起始頻率偏移(例如,=-1 或 1,表示被分配RB帶寬外的第一個左右相鄰RB);
- :是以分配的RB數(shù)量進行歸一化的10個子幀的平均發(fā)射功率,單位為dBm;
- TT:Test Tolerance為0.8dB。
所以General的限值要求不是固定的,而是根據(jù)配置和功率等計算得出的。
上圖是SP9500對IBE的實測結果舉例,具體測試的結果是如何計算的,我們下次繼續(xù)。
以上信息由英利檢測(Teslab)整理發(fā)布,歡迎一起討論,我們一直在關注這方面的發(fā)展,如有引用也請注明出處。
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