金屬基TIM熱界面材料研究進(jìn)展

關(guān)鍵詞：TIM材料，新能源，功率器件，半導(dǎo)體芯片，金屬基復(fù)合材料，熱阻，

引言：隨著芯片向小型化、集成化和高功率化發(fā)展，其在工作時(shí)產(chǎn)生的熱量增多，若產(chǎn)生的熱量不能及時(shí)傳遞到外部，會(huì)嚴(yán)重影響電子元件的性能和使用壽命。熱界面材料是電子元件散熱結(jié)構(gòu)中重要的組成部分，其主要作用是填充電子元件與散熱器之間的空氣間隙，使電子元件產(chǎn)生的熱量快速轉(zhuǎn)移，降低界面熱阻。綜述了現(xiàn)有熱界面材料的種類和特點(diǎn)，詳細(xì)介紹了金屬基熱界面材料的類型與性能特征、研究現(xiàn)狀及存在的問題等，并對(duì)低熔點(diǎn)金屬基熱界面材料的發(fā)展進(jìn)行了展望。

隨著電子科技的不斷發(fā)展，芯片的集成化、微小化和高功率密度成為其主要發(fā)展方向，由此對(duì)熱管理技術(shù)提出了更高的要求。芯片的熱管理系統(tǒng)比較復(fù)雜，除了需要高熱導(dǎo)率的熱沉、高散熱效率的散熱器等器件外，降低電子元件與散熱器之間的接觸熱阻也是芯片熱管理系統(tǒng)需要重點(diǎn)關(guān)注的問題。當(dāng)電子元件與散熱器相互接觸時(shí)，其固-固接觸界面會(huì)存在空氣間隙，實(shí)際的接觸面積大約是宏觀接觸面積的 10% ，大量空隙由空氣填充?？諝馐菬岬牟涣紝?dǎo)體，常溫下空氣的導(dǎo)熱系數(shù)僅為0． 026 W /( m·K) ，空氣的存在阻礙了界面之間的傳熱，導(dǎo)致芯片與散熱器間的界面熱阻增大，大幅降低系統(tǒng)散熱效率，從而降低芯片使用壽命。為保證發(fā)熱元件的正常工作，在發(fā)熱電子元件和散熱裝置之間填充能快速有效傳熱的材料，該材料稱為熱界面材料( Thermal Interface Materials，TIMs) ，即采用高導(dǎo)熱率和高延展性的材料填充兩者之間的間隙，以提高熱量輸運(yùn)能力，有效降低界面熱阻，提高散熱器的工作效率，進(jìn)而保證芯片高效工作，提高其使用壽命。

理想 TIMs 應(yīng)具有較低的厚度、高熱導(dǎo)率、低接觸熱阻等特性，在實(shí)際選用及設(shè)計(jì) TIMs 時(shí)，除了總界面熱阻外還要綜合考慮其他因素，如電絕緣性、機(jī)械強(qiáng)度等。隨著 TIMs 的不斷發(fā)展，市場(chǎng)涌現(xiàn)出很多種類的商業(yè)化產(chǎn)品，主要有導(dǎo)熱硅脂、導(dǎo)熱膠、導(dǎo)熱凝膠、導(dǎo)熱相變材料和導(dǎo)熱墊片等，傳統(tǒng)的聚合物基熱界面材料在所有 TIMs 產(chǎn)品中占比接近 90% 。隨著電子元件散熱需求逐年升高，金屬基熱界面材料因其高熱導(dǎo)率成為研究熱點(diǎn)，市場(chǎng)份額也逐年上升。已有很多學(xué)者總結(jié)了 TIMs 的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，分析了不同種類 TIMs 的市場(chǎng)情況，但對(duì)金屬基熱界面材料缺乏系統(tǒng)闡述。

本文系統(tǒng)介紹金屬基熱界面材料的研究進(jìn)展，從材料類型與性能特征等方面對(duì)金屬基熱界面材料進(jìn)行總結(jié)，并對(duì)其未來發(fā)展進(jìn)行展望，為熱管理技術(shù)研究提供參考。

1 熱界面材料的種類和特點(diǎn)

熱界面材料是電子元件散熱結(jié)構(gòu)中重要的組成部分，常見芯片散熱結(jié)構(gòu)及散熱過程如圖1 所示。

圖 1 芯片散熱結(jié)構(gòu)及散熱過程示意圖

由圖 1 可見，芯片與均熱板、均熱板與散熱器間分別置有 TIMs，芯片工作時(shí)產(chǎn)生的熱量經(jīng)TIMs1、均熱板、TIMs2 和散熱器傳遞至環(huán)境中。圖 2 為填充 TIMs 前后器件界面接觸的微觀示意圖。

圖 2 填充 TIMs 前后器件界面接觸的微觀示意圖

圖 2( a) 為電子元件與散熱器直接接觸的實(shí)際情況，可以看出實(shí)際接觸點(diǎn)較少且接觸不完全;圖 2( b) 為電子元件與散熱器間填充 TIMs 的實(shí)際情況，可以看出 TIMs 最大限度地填充了空氣間隙，使器件連接緊密，實(shí)現(xiàn)最大程度散熱。由于TIMs 與電子元件和散熱器不能完全接觸，仍會(huì)存在界面熱阻，故各個(gè)界面對(duì)應(yīng)的溫差較大，圖中ΔT 為散熱板與電子元器件之間的溫差、ΔTcontact為熱界面材料與散熱板之間的溫差、ΔTTIM為熱界面材料上下表面的溫差。圖中粘結(jié)線厚度是指TIMs 的厚度，粘結(jié)線厚度是研究 TIMs 的導(dǎo)熱系數(shù)和計(jì)算界面熱阻的重要參數(shù)。

因?yàn)槭惺?TIMs 產(chǎn)品各異，每種產(chǎn)品各有其優(yōu)缺點(diǎn)，目前商業(yè)化 TIMs 主要分為以下幾種。

（1）導(dǎo)熱硅脂

導(dǎo)熱硅脂通常是由高導(dǎo)熱固體與流動(dòng)性較好且具有一定黏度的液體通過脫泡方法制成的膏狀材料，在工業(yè)上有著廣泛應(yīng)用，屬于耐高溫有機(jī)材料。導(dǎo)熱硅脂與接觸表面的粘結(jié)性比較好，厚度可以控制到很薄，同時(shí)價(jià)格低廉，但其最大的缺點(diǎn)是在使用過程中會(huì)玷污基底材料。由于導(dǎo)熱硅脂為液態(tài)膏狀，表現(xiàn)出嚴(yán)重的泵出效應(yīng)，具有遷移性且長(zhǎng)期使用會(huì)逐漸失效，降低了系統(tǒng)的可靠性。

(2) 導(dǎo)熱墊片

導(dǎo)熱墊片是以高分子聚合物材料或其他材料為基體，添加高導(dǎo)熱填料和助劑，通過加熱固化形成的一種軟質(zhì)、彈性較好的導(dǎo)熱界面片層材料。導(dǎo)熱墊片不僅能夠填充電子元件和散熱器之間凹凸不平的間隙，有效傳遞熱量，而且能夠起到密封、減震、絕緣的作用; 但由于一些產(chǎn)品導(dǎo)熱顆粒含量較高，增加了材料的剛度，柔軟性和填充率之間的矛盾限制了該復(fù)合熱界面材料的整體性能。此外，導(dǎo)熱墊片對(duì)溫度比較敏感，如果電子元件和導(dǎo)熱墊片溫度升高，墊片會(huì)發(fā)生應(yīng)力松弛的現(xiàn)象，填充面積減小，導(dǎo)熱效果變差。

(3) 相變熱界面材料

相變熱界面材料是指能夠隨著溫度的變化發(fā)生固-液或固-固相變的一類材料，其具有一定的導(dǎo)熱性能，能夠降低界面熱阻，實(shí)現(xiàn)熱量的傳遞。相變熱界面材料融合了導(dǎo)熱墊片和導(dǎo)熱硅脂的雙重優(yōu)點(diǎn)，電子元件工作時(shí)溫度升高，此時(shí)材料發(fā)生相變成為液態(tài)，有效地潤(rùn)濕熱界面，具有和導(dǎo)熱硅脂一樣的填充能力，能夠最大化地填充界面間隙，從而使界面熱阻降低。此外，相變熱界面材料在相變過程中吸收和釋放潛熱，具有能量緩沖的效果，可避免電子元件的工作溫度變化過快，從而延長(zhǎng)電子元件的使用時(shí)間，但是該相變熱界面材料導(dǎo)熱能力一般，厚度也難以控制。

市售 TIMs 除了上述三種外，還有導(dǎo)熱凝膠、金屬片等，典型的熱界面材料及其傳熱特性如表 1 所示。

表 1 典型熱界面材料及傳熱特性

4) 金屬基熱界面材料

金屬基熱界面材料包括低熔點(diǎn)金屬以及以低熔點(diǎn)金屬為基體添加高導(dǎo)熱增強(qiáng)相的金屬基復(fù)合材料。由于金屬本身的高導(dǎo)熱特點(diǎn)，制備的 TIMs固有熱導(dǎo)率遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過聚合物 TIMs，目前已報(bào)道的金屬基熱界面材料熱導(dǎo)率在 10 ～ 40 W /( m·K)之間，比傳統(tǒng)的有機(jī)或無機(jī)材料高出 2 個(gè)數(shù)量級(jí);而且低熔點(diǎn)金屬及其復(fù)合材料可在芯片承受的溫度范圍內(nèi)熔化，充分填充界面間隙，大幅降低界面熱阻，可以保證芯片高效穩(wěn)定散熱。因此，近年來低熔點(diǎn)金屬及其復(fù)合材料迅速成為 TIMs 領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)并受到廣泛關(guān)注。

2金屬基熱界面材料

金屬基熱界面材料以優(yōu)異的導(dǎo)熱性能在高功率密度半導(dǎo)體中備受青睞，其主要為低熔點(diǎn)金屬和金屬基復(fù)合材料。低熔點(diǎn)金屬主要有 Ga、Sn、In、Bi 及以其為主要成分組成的合金，該類材料具有導(dǎo)熱系數(shù)較高、流動(dòng)性好、界面熱阻低、易于實(shí)現(xiàn)固-液相轉(zhuǎn)換等諸多優(yōu)勢(shì)，目前在熱控與能源、增材制造( 3D 打印) 、生物醫(yī)學(xué)以及柔性智能機(jī)器等多個(gè)領(lǐng)域得到應(yīng)用，是近年來學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界關(guān)注的熱點(diǎn)。已有學(xué)者采用數(shù)值模擬的方法研究液態(tài)金屬散熱問題，推動(dòng)了該類材料的進(jìn)一步發(fā)展。作為 TIMs 的金屬基復(fù)合材料主要以低熔點(diǎn)金屬作為基體，其增強(qiáng)相可以是無機(jī)非金屬，如陶瓷、碳類、石墨等，也可以是金屬顆粒，如 Cu、Zn 等。

2． 1 低熔點(diǎn)金屬

低熔點(diǎn)金屬是指熔點(diǎn)在 300 ℃ 以下的金屬及其合金，被視為很有潛力的相變熱界面材料。許多潛在相變材料的共同缺點(diǎn)是導(dǎo)熱系數(shù)低，如有機(jī)材料的導(dǎo)熱系數(shù)為 0． 15 ～ 0． 3 W /( m·K) 、鹽水化合物的導(dǎo)熱系數(shù)為 0． 4 ～ 0． 7 W /( m·K) ，其較低的導(dǎo)熱系數(shù)會(huì)導(dǎo)致傳熱流體與電子元件表面之間熱交換不良，產(chǎn)生很大的界面熱阻。低熔點(diǎn)金屬具有很多優(yōu)點(diǎn)，如熱導(dǎo)率比傳統(tǒng) TIMs 高幾十倍、物理和化學(xué)性質(zhì)較為穩(wěn)定、沸點(diǎn)較高、無腐蝕性等，低熔點(diǎn)金屬還可以實(shí)現(xiàn)固-液相轉(zhuǎn)變，快速吸收和釋放熱量，在熱管理技術(shù)上具有明顯優(yōu)勢(shì)。表 2 列出了幾種低熔點(diǎn)金屬或合金的典型熱物理性質(zhì)，表中數(shù)值上角標(biāo)表示測(cè)試溫度: a 為 25 ℃，b 為 200 ℃，c 為 160 ℃，d 為100 ℃，n 為 50 ℃，m 為金屬熔點(diǎn)。

表 2 低熔點(diǎn)金屬或合金的熱物理性質(zhì)

在選擇低熔點(diǎn)金屬作為 TIMs 時(shí)，除了其良好的熱物理性質(zhì)及穩(wěn)定性外，還需要考慮以下原則:

( 1) 合金不能含有環(huán)境毒物，盡可能不使用鎘、汞等金屬;

( 2) 首選共晶合金( 可通過不同配料比得到不同熔點(diǎn)的合金) ，其液相線溫度低于芯片工作溫度，更為關(guān)鍵的是其熱導(dǎo)率高于目前商業(yè)化TIMs。

許多學(xué)者對(duì)低熔點(diǎn)金屬的熱導(dǎo)率及熱阻進(jìn)行了深入研究。高云霞等研究了液態(tài)金屬 Ga 及其二元、三元合金熱界面材料的導(dǎo)熱性能，其中Ga90 In10二元合金的熱導(dǎo)率達(dá)到 19． 2 W /( m·K) 、界面熱阻為 5． 4 mm2·K /W。Plevachuk 等制備出 Ga77． 2In14． 4Sn8． 4合金，其熔點(diǎn)為 10． 5 ℃、熱導(dǎo)率為 23． 9 W /( m·K) 。劉辰等制備了液態(tài)合金 Ga66In20． 5Sn13． 5，將其放置在兩片 Ti6Al4V 中間制成三層試樣，測(cè)試其熱導(dǎo)率，并同樣放置 Cu 作為對(duì)比樣，測(cè)試結(jié)果表明 Ga66 In20． 5 Sn13． 5液態(tài)合金表現(xiàn)出比 Cu 更好的導(dǎo)熱性能，其試樣整體熱導(dǎo)率達(dá)到 11． 82 W /( m · K) ，Cu 樣品熱導(dǎo)率僅為4． 62 W /( m·K) 。Ｒoy 等研究了市售由 In、Sn、Bi 和 Ga 按不同組成制成的低熔點(diǎn)合金，結(jié)果表明其具有非常低的熱阻，可明顯提高材料接觸表面之間的導(dǎo)熱性。李靜等制備了一種新的Bi-In-Sn-Sb 四元合金，該合金具有較低的熔點(diǎn)( 約61 ℃) 、較高的熱導(dǎo)率( 約 23． 8 W /( m·K) ) ，相變后體積膨脹率高達(dá) 88． 6% ( 80 ℃時(shí)) ，可以減少界面之間的空氣帶隙殘留量，增加界面之間的接觸面積， 表現(xiàn)出極低的接觸熱阻 ( 約12． 3 mm2·K /W) 。Martin 等以 Ga-In 合金作為 TIMs 來減少接觸熱阻，利用液態(tài)金屬解決硅芯片和熱沉熱膨脹系數(shù)不同所導(dǎo)致的應(yīng)力問 題。Webb 等利用穩(wěn)態(tài)法對(duì) In-Sn-Bi 低熔點(diǎn)合金進(jìn)行熱阻測(cè)量，當(dāng)接觸壓力為 138 kPa 時(shí)的界面熱阻為 5． 8 mm2·K /W。Zhang 等研究了 Sn-Bi合金在兩個(gè) Cu 板之間的熱傳導(dǎo)性能，通過激光閃光技術(shù)測(cè)量了用作 TIMs 的 Sn-Bi 合金的熱阻，結(jié)果低于 5 mm2·K /W。

熱界面材料的抗溢性也非常重要，Hill 等以 In-Sn-Bi 合金作為熱界面材料，將低熔點(diǎn)合金直接焊接到散熱元件上，使用墊圈提供屏障，防止空氣進(jìn)入界面區(qū)域，同時(shí)避免液態(tài)合金溢出導(dǎo)致電子元器件短路，解決了低熔點(diǎn)合金在使用時(shí)氧化和溢出的問題。

低熔點(diǎn)金屬具有高導(dǎo)熱性、較強(qiáng)的流動(dòng)性和很寬的液相工作區(qū)，可以作為較好的 TIMs 應(yīng)用于大功率芯片散熱，但是過強(qiáng)的流動(dòng)性會(huì)導(dǎo)致泄漏，可能引起芯片短路。

2． 2 金屬基復(fù)合材料

金屬基復(fù)合材料是以金屬為基體、與一種或幾種增強(qiáng)相結(jié)合而成的復(fù)合材料，其增強(qiáng)相材料大多為無機(jī)非金屬，也可以采用金屬絲、顆粒等，其與聚合物基復(fù)合材料、陶瓷基復(fù)合材料一起構(gòu)成現(xiàn)代復(fù)合材料體系。金屬基復(fù)合材料的剪切強(qiáng)度、韌性及疲勞等綜合力學(xué)性能較好，同時(shí)還具有導(dǎo)熱、導(dǎo)電、耐磨、熱膨脹系數(shù)小、不老化和無污染等優(yōu)點(diǎn)。

在低熔點(diǎn)金屬基體中添加高導(dǎo)熱陶瓷或碳材料制備 TIMs，可在提高材料熱導(dǎo)率的同時(shí)改善TIMs 與芯片和熱沉之間的熱膨脹差異。Nai等在低熔點(diǎn)金屬中加入多壁碳納米管，實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果表明，增強(qiáng)體的存在降低了基體的平均膨脹系數(shù)，其熱膨脹系數(shù)從( 22． 9 ± 0． 7) × 10－ 6K－ 1降到( 19． 3 ± 0． 8) × 10－ 6K－ 1，機(jī)械性能也有所提高。也有學(xué)者采用其他方法來提高材料的導(dǎo)熱系數(shù)，可為 TIMs 的研究提供借鑒。Ｒaj 等提出一種共電沉積工藝用于制備熱性能和機(jī)械性能優(yōu)異的復(fù)合焊料薄膜，采用碳化硅和石墨顆粒對(duì)焊料電解質(zhì)進(jìn)行改性，加入十六烷基三甲基溴化銨為表面活性劑，既可以提高顆粒的穩(wěn)定性，又可以增強(qiáng)表面的正電荷，進(jìn)一步改善了粒子的電泳沉積，使鍍層更加均勻，其復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)可提高50% ～ 100% 。Wei 等采用磁控濺射法在金剛石表面沉積了 Cr 作為過渡層制備了 Ga 基復(fù)合材料，并采用激光掃描共焦顯微鏡( LSCM ) 進(jìn)行表征，圖 3 為 Ga 基復(fù)合材料包覆金剛石顆粒的界面形貌。其研究結(jié)果表明，當(dāng)添加質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 47%的鍍 Cr 金剛石顆粒可以顯著提高 Ga 基熱界面材料在室溫下的熱導(dǎo)率，室溫下復(fù)合材料的熱導(dǎo)率可達(dá) 112． 5 W /( m·K) ，比 Ga 基體提高約 4 倍。

在低熔點(diǎn)金屬基體中加入金屬顆粒也可顯著改善其熱 傳導(dǎo)效果。紀(jì)玉龍等以液態(tài)合金Ga62． 5In21． 5Sn16為基體，添加三種不同尺寸( 粒徑分別為0． 5 μm、5 μm、50 μm) 的 Cu 粉，研究結(jié)果表明，當(dāng)添加 0． 5 μm 的 Cu 粉時(shí)可很大程度上降低固-固界面之間的接觸熱阻，最大可降至原接觸熱阻的 72． 3% ，提高了其導(dǎo)熱性能。Huang 等在 Sn-Zn 合金中加入不同含量( 質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為0% 、0． 5% 、1% 、3% ) 的 Cu 粉制備復(fù)合材料，復(fù)合材料的強(qiáng)度及塑性得到提高，其中添加 0． 5% 的Cu 粉時(shí)復(fù)合材料的塑性最高，比不添加 Cu 粉的合金基體提高了 30% ，材料良好的塑性有利于填充界面間隙，進(jìn)而提高界面熱導(dǎo)率。李根等以Ga62． 5In21． 5Sn16液態(tài)合金為基體，以 Cu 顆粒作為增強(qiáng)相，制備 TIMs，并測(cè)試其熱傳導(dǎo)性能，圖 4 為5 種試樣的熱導(dǎo)率測(cè)試結(jié)果，圖中 OLMA 表示氧化的低熔點(diǎn)合金。

圖 4 在 Cu 片中間添加不同含量 Cu 粉增強(qiáng)Ga62． 5In21． 5Sn16的熱導(dǎo)率對(duì)比

由圖 4 可見，Cu 顆粒填充可以提高液態(tài)金屬作為 TIMs 的性能，由 Cu 粉質(zhì)量分?jǐn)?shù)分別為 5%和 10% 的液態(tài)合金所制備的試樣，其熱導(dǎo)率分別為( 200． 33 ± 15． 66) W /( m ·K) 和( 233． 08 ±18． 07) W /( m·K) ，較未填充Cu顆粒液態(tài)合金所制備試樣的熱導(dǎo)率分別提高了約 68% 和 96% ，接觸熱阻分別為( 7． 955 ± 0． 627) mm2·K /W 和( 5． 621 ±0． 437) mm2·K/W，降低了約 57%和 70%，同時(shí)液態(tài)合金的黏性也增加。

方秀秀等研究了鎳粉的質(zhì)量分?jǐn)?shù)對(duì) GaIn-Sn 基復(fù)合材料導(dǎo)熱性能的影響，結(jié)果表明，當(dāng)加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 5% 的鎳粉時(shí)，復(fù)合材料傳熱效果有很大提升，相比純液態(tài)金屬，熱導(dǎo)率提高了50． 17% ，界 面 熱 阻 則 從 18． 9 mm2·K /W 降 至6． 7 mm2·K /W，約為原來的 1 /3。朱晴等研究了 Cu 粉的粒徑和填充量對(duì) Ga75 In25液態(tài)合金熱導(dǎo)率的影響，結(jié)果表明，當(dāng) Cu 粉 的 粒徑為2． 5 μm、填充量為 12% 時(shí)，復(fù)合材料的熱導(dǎo)率達(dá)到34． 7 W /( m·K) 。

采用金屬基復(fù)合材料制備 TIMs 時(shí)，加入的高導(dǎo)熱顆?？梢源蠓岣卟牧系臒釋?dǎo)率，改善 TIMs的性能。在服役溫度高于基體合金熔點(diǎn)時(shí)，加入的增強(qiáng)相可有效提高材料的黏度，減小材料的流動(dòng)性，有效改善材料流動(dòng)導(dǎo)致的芯片短路問題，是一種理想的 TIMs。但是，金屬基復(fù)合材料中增強(qiáng)相與基體的潤(rùn)濕性仍存在較多問題，如何改善兩者的界面結(jié)合，進(jìn)一步提升材料的熱導(dǎo)率、強(qiáng)塑性等性能是發(fā)展新一代 TIMs 的關(guān)鍵。

3總結(jié)和展望

金屬基熱界面材料因其高導(dǎo)熱的特點(diǎn)在高功率半導(dǎo)體熱管理系統(tǒng)中具有廣闊的應(yīng)用前景。本文從材料成分、制備工藝和材料性能等方面對(duì)用于 TIMs 的低熔點(diǎn)金屬及其復(fù)合材料進(jìn)行了系統(tǒng)總結(jié)，在此基礎(chǔ)上對(duì)未來金屬基熱界面材料的設(shè)計(jì)以及發(fā)展提出以下建議。

( 1) 低熔點(diǎn)金屬因其優(yōu)異的流動(dòng)性可以充分地填充界面，但也會(huì)存在泄漏導(dǎo)致芯片短路的問題，需要研究更好地限制其流動(dòng)性的方法。同時(shí)金屬材料長(zhǎng)期服役過程中的氧化問題、對(duì)界面兩側(cè)材料的刻蝕等問題也需要重點(diǎn)關(guān)注。

( 2) 對(duì)于低熔點(diǎn)金屬基復(fù)合材料，未來研究重點(diǎn)應(yīng)集中于改善增強(qiáng)相與基體的界面結(jié)合。為進(jìn)一步提升材料的性能，需要重點(diǎn)關(guān)注增強(qiáng)相的表面改性、復(fù)合形式等方面。

( 3) 加強(qiáng) TIMs 的導(dǎo)熱機(jī)理研究，進(jìn)一步理解多尺度上的聲子熱傳導(dǎo)、載流子傳導(dǎo)機(jī)制、聲子電子耦合機(jī)制與聲子傳輸機(jī)制等，選擇合適的熱導(dǎo)率模型，為 TIMs 的設(shè)計(jì)提供扎實(shí)的理論依據(jù)。

來源：沈陽理工大學(xué)學(xué)報(bào) 作者：劉曉云，許達(dá)善，李倩，孫乃坤 沈陽理工大學(xué) 理學(xué)院