國(guó)芯思辰｜可替換C3D10065A的碳化硅肖特基二極管：基本半導(dǎo)體650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC電源設(shè)計(jì)

在1KW PFC電源設(shè)計(jì)中，功率因數(shù)校正部分市場(chǎng)上主流的器件方案為Si MOS管：Q1\Q2、續(xù)流二極管D1/D2、升壓電感L1/L2組成，為后級(jí)提供穩(wěn)定的直流電源。在PFC功率因數(shù)校正方面如果對(duì)系統(tǒng)效率要求不高的情況下，可使用Si快速恢復(fù)二極管（FRD）；然而在一些要求效率更高的場(chǎng)合，如5G通信電源，電摩充電器電源中的運(yùn)用需要更高的效率。本文重點(diǎn)提到國(guó)產(chǎn)基本半導(dǎo)體650V/10A碳化硅肖特基二極管B2D10065K1，應(yīng)用于1KW充電器PFC電源設(shè)計(jì)。

PFC功率因數(shù)校正電路拓?fù)淇驁D

如圖為1KW充電器PFC功率因數(shù)校正方案的電路圖框，主要包含單相整流、PFC構(gòu)成，其中續(xù)流二極管采用國(guó)產(chǎn)廠商基本半導(dǎo)體推出的650V/10A碳化硅肖特基二極管B2D10065K1，該器件采用TO-220封裝，極大降低了開(kāi)關(guān)損耗，并聯(lián)器件中沒(méi)有熱崩潰，同時(shí)降低系統(tǒng)對(duì)散熱片的依賴。

基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B2D10065K1應(yīng)用于1KW電源PFC電路有以下優(yōu)勢(shì)：

1、VR為650V，滿足AC整流輸出電壓在300V~400V的運(yùn)用電壓要求，且留2倍余量，能夠更好的應(yīng)對(duì)反向電壓應(yīng)力；

2、IF為10A，滿足1KW功率使用需求，Qc為29nC。極小的反向恢復(fù)電荷，可高速開(kāi)關(guān)，降低開(kāi)關(guān)損耗，有效提高電源系統(tǒng)效率；

3、提高PFC開(kāi)關(guān)管Q1\Q12開(kāi)關(guān)頻率，從而減小電感L1、L2的尺寸和成本，提升整體的功率密度和降低系統(tǒng)成本；

4、工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍均為-55~175℃，適合工業(yè)生產(chǎn)環(huán)境溫度較高的使用場(chǎng)合；

5、采用TO-220封裝，極大降低了開(kāi)關(guān)損耗，降低系統(tǒng)對(duì)散熱片的依賴；

6、B2D10065K1可替代科銳的C3D10065A、羅姆的SCS210AG、英飛凌的IDH10G65C5、意法半導(dǎo)體STPSC10H065D、安森美的FFSP1065A。

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