國芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氫能源發(fā)電機(jī)，工作結(jié)溫-55~175℃
氫能發(fā)電機(jī)特指以氫氣為原料的發(fā)電機(jī)，原理類似傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)，經(jīng)過吸氣、壓縮、爆炸、排氣過程，帶動電機(jī)產(chǎn)生電流輸出。氫能發(fā)電機(jī)是一種環(huán)保型的發(fā)電設(shè)備，具有無噪音、零排放和移動性強(qiáng)的特點。其效率要求也非常高，但傳統(tǒng)的功率MOS已經(jīng)很難滿足發(fā)電機(jī)高開關(guān)頻率的要求，而碳化硅MOS則可以很好的滿足這一應(yīng)用。
某氫能發(fā)電機(jī)項目現(xiàn)需要一漏源電壓1200V，電流80A以上的碳化硅MOS?？刹捎没?a target="_blank">半導(dǎo)體的B1M032120HK，推薦理由：
1、該器件耐壓可達(dá)1200V，在Tc=100℃時，最大ID可達(dá)84A，完全滿足項目需求。
2、導(dǎo)通電阻低至32mΩ，可以確保B1M032120HK在高頻工作時，導(dǎo)通損耗很低，可以降低MOS的發(fā)熱量。
3、B1M032120HK的工作結(jié)溫范圍在-55~175℃，可以在很惡劣的條件環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
4、B1M032120HK為TO-247-4封裝，可替代科銳的C3M0032120K、羅姆的SCT3040KR、英飛凌的IMZ120R045M1、安森美的NTH4L040N120SC1。
5、基本半導(dǎo)體為國產(chǎn)品牌，性價比相比其它更有優(yōu)勢。
注：如涉及作品版權(quán)問題，請聯(lián)系刪除。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
基本半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
74瀏覽量
10189
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
氧化層？如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解，揭開這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
發(fā)表于 01-04 12:37
浮思特 | 碳化硅驅(qū)動電機(jī)的總擁有成本——總體情況
太陽能、能源儲存系統(tǒng)、電動汽車和電動汽車充電器等領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)被證明是硅IGBT的商業(yè)可行替代方案。這些都是效率提升和濾波器尺寸減小能夠抵消任何材料
碳化硅在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用 碳化硅在汽車工業(yè)中的應(yīng)用
。此外，碳化硅的高電子飽和速度和高擊穿電場強(qiáng)度使其在高功率太陽能電池中具有潛在的應(yīng)用前景。 2. 風(fēng)力發(fā)電 在風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域，碳化硅材料可以用于制造高效率的電力電子轉(zhuǎn)換器。這些轉(zhuǎn)換器在風(fēng)
碳化硅在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展
碳化硅（SiC）在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢，其獨特的物理和化學(xué)性質(zhì)使其成為新一代高性能半導(dǎo)體材料的佼佼者。以下是對碳化硅在半導(dǎo)體產(chǎn)
基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證
近日，基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證，產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環(huán)境下的嚴(yán)苛要求
基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過車規(guī)級認(rèn)證，為汽車電子注入新動力
近日，中國半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者——基本半導(dǎo)體公司，再次在科技領(lǐng)域邁出堅實步伐。該公司自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M
基本半導(dǎo)體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展
產(chǎn)品，吸引逾50萬專業(yè)觀眾參與。 基本半導(dǎo)體攜2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工業(yè)級碳化硅功率模塊PcoreTM2 E
納微半導(dǎo)體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs
納微半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者，近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速（G3F）碳化硅MO
碳化硅功率器件：高效能源轉(zhuǎn)換的未來
碳化硅功率器件是一類基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件，常見的碳化硅功率器件包括碳化硅MOSFET（金屬氧化物
國內(nèi)碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場迎來高速增長
電動汽車和新能源的需求蓬勃增長正在推動碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場的擴(kuò)張。中國的碳化硅外延片生產(chǎn)商，在瀚天天成和天域半導(dǎo)體十多年的積累后，乘著新
芯動半導(dǎo)體與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日，國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)芯動半導(dǎo)體與國際知名半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體成功簽署碳化硅（SiC）芯片
碳化硅MOS/超高壓MOS在電焊機(jī)上的應(yīng)用
單相逆變線路的電焊機(jī)，推薦瑞森半導(dǎo)體高壓MOS系列。三相逆變線路的電焊機(jī)，推薦瑞森半導(dǎo)體超高壓MOS/碳化硅
碳化硅MOS/超高壓MOS在電焊機(jī)上的應(yīng)用
單相逆變線路的電焊機(jī)，推薦瑞森半導(dǎo)體高壓MOS系列。三相逆變線路的電焊機(jī)，推薦瑞森半導(dǎo)體超高壓MOS/碳化硅
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
和發(fā)電機(jī)繞組以及磁線圈中的高關(guān)斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
發(fā)表于 03-08 08:37
工商網(wǎng)監(jiān)
評論