國芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅MOS B1M080120HK助力光伏逆變器升壓電路設(shè)計

如下圖為典型的光伏逆變器框圖。該光伏逆變器設(shè)計主要由BOOST電路和逆變電路組成。

BOOST電路的功率器件通常選擇IGBT單管和SiC二極管搭配使用。為了提高功率密度，需要BOOST開關(guān)頻率越高，因為這樣可以降低BOOST電感體積，提高功率密度，由于IGBT的開關(guān)頻率受制于開關(guān)速度和拖尾電流等因素，其開關(guān)頻率一般不超過20kHz，如果開關(guān)頻率過高的話，會導(dǎo)致開關(guān)損耗太大，發(fā)熱量劇增而損壞。因此，要想進(jìn)一步提高開關(guān)頻率，需要選擇開關(guān)速度快、損耗低的SIC MOSFET作為功率開關(guān)，下面我們提到基本半導(dǎo)體的SIC MOSFET B1M080120HK。

B1M080120HK技術(shù)優(yōu)勢如下：

1、采用自帶獨(dú)立驅(qū)動源引腳的TO-247-4封裝，可有效消除電壓降對源極封裝寄生電感的影響，可以最大限度地減少門極振蕩從而減少光伏系統(tǒng)損耗；

2、在Tc=25℃條件下，80mΩ導(dǎo)通電阻+56nC總柵極電荷，具有更低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗特性；同時，在高溫Tc=150℃條件下，仍可維持較低的導(dǎo)通電阻（典型值為103mΩ），器件的開啟延遲時間為15ns，關(guān)閉延遲時間為42ns，具有快速開關(guān)能力，可滿足用戶高速開關(guān)的需求。因此在提高工作效率的同時降低了光伏系統(tǒng)的冷卻需求；

3、 反向傳輸電容低至15pF，可有效抑制開關(guān)噪聲，改善Vge波形振鈴，避免關(guān)斷期間因柵極振動過大出現(xiàn)誤導(dǎo)通現(xiàn)象，保證了光伏系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

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