國(guó)芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D10120E替代C4D10120E用于IGBT鉗位，反向電壓1200V

在許多工業(yè)設(shè)備中通常都會(huì)采用IGBT來(lái)作為主功率器件，能夠有效的減少開(kāi)關(guān)損耗，提高逆變器的效率，因此為了保護(hù)IGBT能夠正常穩(wěn)定的工作，設(shè)計(jì)師們會(huì)給IGBT做鉗位保護(hù)設(shè)計(jì)。

有工程師在鉗位設(shè)計(jì)中，考慮到外圍電路問(wèn)題，打算采用肖特基二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)通過(guò)米勒效應(yīng)，將二極管接到IGBT門(mén)級(jí)進(jìn)行鉗位。

本文主要講到基本半導(dǎo)體的碳化硅肖特基二極管B1D10120E，該芯片可替代WOLFSPEED的C4D10120E、英飛凌的IDM10G120C5、ST的STPSC10120、安森美的FFSD10120A，具備極低的反向恢復(fù)電流，反向電壓1200V，額定電流為10A，采用TO-252-2L封裝，非常適合高頻電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

肖特基二極管在IGBT鉗位中的應(yīng)用

B1D10120E在IGBT鉗位電路中的優(yōu)勢(shì)：

1.反向電壓1200V，可承受75A浪涌電流，可適用于大功率，大電流場(chǎng)合；

2.自身功率耗散最高可達(dá)241W，可延長(zhǎng)其壽命周期，具有更高的穩(wěn)定性；

3.反向恢復(fù)時(shí)間短，開(kāi)關(guān)頻率高，能夠有效提升整體效率；

4.工作結(jié)溫-55℃~175℃，能夠保證惡劣環(huán)境下正常工作。

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