開關(guān)直流電源如何同步整流？

面對新世紀(jì)，對快充技術(shù)的普及，開關(guān)直流電源使用范圍更加廣泛，降低低壓大電流的功耗已經(jīng)成為電力工程師的難題。開關(guān)電源損耗主要由斷路器管損耗、高頻變壓器損耗、插座集電器損耗等組成。同步開關(guān)電源可以減少總的電路功率消耗，以滿足6級能效要求。

開關(guān)直流電源（http://www.jethley.com/product/productgoods/id/31.html）如何同步整流？開關(guān)電源同步整流是一種取代整流二極管的新技術(shù)。它可以通過在直流模式下使用極低的電阻功率來減少整流器的損耗，有效提高轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換效率;而且沒有肖特基勢壘電壓造成的死區(qū)電壓，因此其次要優(yōu)勢可以用來提高功率比。

在拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)上，同步整流可分為高壓側(cè)整流和低壓側(cè)整流;在控制策略上，同步整流可分為DCM和CCM模型，CCM模型是基于分離預(yù)測和快速分離，倆者之間各自的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)詳細(xì)介紹。

同步模式DCM模式

優(yōu)點(diǎn)：算法簡單可靠，邊緣簡化。

缺點(diǎn)：控制算法與MOSFET的總電阻有關(guān);SR必須與初級邊緣電路兼容，只能在間歇性導(dǎo)通模式下工作。

CCM預(yù)測關(guān)斷模式

根據(jù)負(fù)第二平衡原則，估計(jì)SR斷點(diǎn)。

優(yōu)點(diǎn)：控制算法與MOSFET的總電阻無關(guān)，所以應(yīng)用靈活;SR的深度傳輸能力強(qiáng)，轉(zhuǎn)換效率高。

缺點(diǎn)：它必須使用總電阻和電容來獲得正確的信息，這使得外部通信變得復(fù)雜，并且有很高的誤差;在非均勻伏秒模式(模式切換)中存在技術(shù)風(fēng)險。

CCM快速斷開模式

優(yōu)點(diǎn)：算法簡單可靠，邊緣簡化。

缺點(diǎn)：控制算法與MOSFET的總電阻有關(guān);SR在T1和T2之間沒有深度傳導(dǎo)，轉(zhuǎn)換效率略有下降。

通過以上模型，我們可以看到同步整流控制的優(yōu)勢，模型是否簡單可靠，外部是否合理化等。