學技術(shù) | SEMIDRIVE G9X DRAM 電路設(shè)計要點

一、 前言

G9X 系列處理器是專為新一代車內(nèi)核心網(wǎng)關(guān)設(shè)計的高性能車規(guī)級汽車芯片，采用雙內(nèi)核異構(gòu)設(shè)計，包含一個高性能的 Cortex-A55 CPU 內(nèi)核，一對雙核鎖步的高可靠 Cortex-R5 內(nèi)核，在支持多種外設(shè)接口，包括兩個 PCIe3.0 接口，兩個 USB3.0 接口， 兩個支持 TSN 的千兆以太網(wǎng)接口，以及多達 20 個 CAN-FD 接口和 16 個 UART 接口。承載未來網(wǎng)關(guān)豐富的應(yīng)用同時，也能滿足高功能安全級別和可靠性的要求。

二、SEMIDRIVE G9X DRAM 電路設(shè)計要點

① G9X 系列處理器中，DRAM 接口 16位，支持 LPDDR4 和 LPDDR4X。

②LPDDR4 我們選用的是 Micron 的 MT53D512M16D1DS-046 AAT:D，封裝 WFBGA200 的車規(guī)級芯片。

③ G9X 端 DRAM 引腳描述

▲ 圖1 G9X 端引腳描述

▲ 圖2 G9X 端引腳描述

▲ 圖3 G9X 端引腳描述

④ G9X 端與 LPDDR4 端的地址與控制命令對應(yīng)連接如下，CLK_T/CLK_C 端接 150Ω 電阻，擺放在 LPDDR4 管腳正下方。

▲ 圖4 G9X 與 LPDDR4 控制端連接關(guān)系

⑤ G9X 的 DQ [7：0] 數(shù)據(jù)線與 DRAM 的 DQ [7：0] 數(shù)據(jù)線可以亂序連接，推薦連接關(guān)系如下圖示。

▲ 圖5 G9X 與 LPDDR4 數(shù)據(jù)端連接關(guān)系

⑥ G9X 的 DQ [15：8] 數(shù)據(jù)線與 DRAM 的 DQ [15：8] 數(shù)據(jù)線可以亂序連接，推薦連接關(guān)系如下圖示，

▲ 圖6 G9X 與 LPDDR4 數(shù)據(jù)端連接關(guān)系

⑦ LPDDR4 的供電需要 1.8V 和 1.1V。供電時序是 1.8V 先于 1.1V，也可以兩路電壓同時上電，具體電路如下。

▲ 圖7 LPDDR4 1.8V 供電

▲ 圖8 LPDDR4 1.1V 供電

⑧ G9X 端原理圖

▲ 圖9 G9X 端原理圖

⑨ LPDDR4 端原理圖

▲ 圖 10 LPDDR4 端信號連接

▲ 圖 11 LPDDR4 端電源連接

三、PCB 設(shè)計建議

① 總線阻抗，按單端信號 40Ω，差分信號 80Ω 設(shè)計，如果做不到可按單端信號 50Ω，差分信號 100Ω 設(shè)計，保證信號完整性。

② CA [5：0]、CKE0、CKE1、CK_C、CK_T、CS0、CS1 布線要做等長，誤差 30mil。

③ DM0、DQS0_C、DQS0_T、DQ [7：0] 在同一層布線并且要做等長，誤差 30mil。

▲ 圖12 DQ [7：0] 走線圖

④ DM1、DQS1_C、DQS1_T、DQ [15：8] 在同一層布線并且要做等長，誤差 30mil。

▲ 圖13 DQ [15：8] 走線圖

⑤ LPDDR4 應(yīng)靠近 G9X 擺放，去耦電容靠近 LPDDR4 電源管腳擺放。

▲ 圖14 去耦電容及 LPDDR4 擺放位置

以上便是芯馳 SEMIDRIVE G9X DRAM 電路設(shè)計要點。

接下來我們也會不斷更新更多關(guān)于 SEMIDRIVE X9、G9 系列的開發(fā)博文，同時我們也會持續(xù)推出更多 ADAS相關(guān)的技術(shù)開發(fā)博文。如需更深入的技術(shù)交流，歡迎在博文下方評論或者關(guān)注并給我留言。

附錄：參考文獻

①《 G9X 處理器硬件設(shè)計指南_Rev0.9.2 》

②《 SD004_G9X_REF_A03_SCH 》

③《 SD004_G9X_REF_A03_PCB 》