國芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HC可替代C2M0080120D降低電機驅(qū)動功率損耗，導(dǎo)通延遲20ns

據(jù)評估，世界上超過一半的電能消耗用于各種電動機。因此，降低電動機的功率損耗并提高電力轉(zhuǎn)換的效率顯得尤為重要。

電動機驅(qū)動電路一般原理圖

本文主要講到基本半導(dǎo)體的碳化硅功率MOSFET B1M080120HC，該器件具有延遲極短、超高耐壓、低導(dǎo)通阻抗、小封裝等優(yōu)勢，可以和WOLFSPEED的C2M0080120D、羅姆的SCT2080KE、英飛凌的IMW120R090M1H、ST的SCT30N120、安森美的NTHL080N120SC1型號實現(xiàn)pin to pin替換，為電動機驅(qū)動提供解決方案，具有巨大的市場前景。

具體應(yīng)用優(yōu)勢如下：

1、在電氣特性方面，B1M080120HC可承受的最高電壓達1200V，連續(xù)漏極電流最高可達44A，柵極閾值電壓典型值為3V，即使用普通MCU或者使用TTL電平也可輕松驅(qū)動，完全滿足電動機驅(qū)動的電氣要求。

2、B1M080120HC導(dǎo)通延遲時間20ns，關(guān)斷延遲時間44ns，真正實現(xiàn)電動機驅(qū)動高頻率切換。而且自身功率耗散最高可達241W，可延長其壽命周期，具有更高的穩(wěn)定性。

3、B1M080120HC的導(dǎo)通阻抗的典型值僅為80mΩ，能夠?qū)崿F(xiàn)較高的系統(tǒng)效率。

4、B1M080120HC的封裝為TO-247-3，工作結(jié)溫范圍為-55~+150℃，結(jié)殼熱阻為0.518K/W，滿足電動機驅(qū)動的工作環(huán)境，可確保系統(tǒng)不會因為損耗過大導(dǎo)致結(jié)溫過高而損壞芯片，更好的應(yīng)用于高溫環(huán)境。

綜上所述，基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M080120HC可以實現(xiàn)高功率密度，并且在一般輸出功率的應(yīng)用中無需額外添加散熱器，節(jié)省了系統(tǒng)空間。

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