國芯思辰接觸的某工程師在交流充電樁設計中,采用了雙向可控硅晶閘管控制交流接觸器的方案,實現(xiàn)對輸出電壓的控制,由于瞬間電壓波動較大,因此需要晶閘管耐壓能夠達到800V,且具備SOT223的小封裝形式。
工程師原項目使用了NXP的Z0107,目前需要尋找能夠兼容的器件作為備選。本文主要講到國產(chǎn)富芯微的雙向可控硅RT01。與NXP的Z0107相比,富芯微雙向可控硅RT01過載電流更高,異常情況下能夠承受瞬時電流更大。
RT01的主要參數(shù)如下:
VDRM斷態(tài)峰值電壓:600V/800V
IT(RMS)通態(tài)電流有效值:1A
IT(SM)最大過載電流:10
VGT直流門級觸發(fā)電壓:1.3V
IGT直流門級觸發(fā)電流:10mA
IH保持電流:10mA
PG(AV)門級平均功率:1W
封裝類型:TO-92/SOT-89/SOT223-3L
RT01和Z0107在參數(shù)上基本一致,性能相差不大。且兩者PIN腳定義完全相同,非常適合用于國產(chǎn)化pin to pin兼容。
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