國(guó)芯思辰｜圍繞基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D02120K設(shè)計(jì)的太陽(yáng)能逆變器，功耗僅77W，可替代科銳C4D02120A

太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)由太陽(yáng)能電池組、太陽(yáng)能控制器、蓄電池（組）、逆變器組成。逆變器能夠?qū)⑻?yáng)能發(fā)電系統(tǒng)輸出直流電源轉(zhuǎn)換為交流220V或110V。

首先，光伏陣列在有光照的情況下將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為直流電能，通過(guò)太陽(yáng)能充放電控制器給負(fù)載供電，同時(shí)給蓄電池組充電；在無(wú)光照時(shí)，通過(guò)太陽(yáng)能充放電控制器由蓄電池組給直流負(fù)載供電，同時(shí)蓄電池通過(guò)逆變器將直流電逆變成交流電，給交流負(fù)載供電。

太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)框圖

據(jù)此，本文提到基本半導(dǎo)體的碳化硅肖特基二極管B1D02120K，其擁有零反向恢復(fù)電流、支持高頻操作、具有溫度獨(dú)立的開(kāi)關(guān)特性和可極快進(jìn)行開(kāi)關(guān)切換等特性。B1D02120K熱性能表現(xiàn)出色，減少了芯片的散熱面積并提高整體使用壽命，可用于太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)高頻率切換。

圍繞基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D02120K設(shè)計(jì)的太陽(yáng)能逆變器可使系統(tǒng)在效率上有較大提升，并允許安裝在更小的尺寸上，可降低重量和成本，間接提高全球太陽(yáng)能的使用率?；景雽?dǎo)體的碳化硅肖特基二極管B1D02120K可承受惡劣環(huán)境，是太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)逆變器的理想選擇。

B1D02120K封裝原理圖

在電氣特性方面，B1D02120K反向重復(fù)峰值電壓為1200V，持續(xù)正向電流為2A，充分滿(mǎn)足太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的電氣要求。同時(shí)，總電容電荷典型值僅為11.8nC，可以大大提高電路開(kāi)關(guān)效率。

此外，B1D02120K導(dǎo)通正向電壓典型值僅為1.42V（25℃），反向電流的典型值僅為1μA（25℃），導(dǎo)通特性好、損耗小，效率高，可應(yīng)用于高電壓、高開(kāi)關(guān)頻率的電路。

值得一提的是，B1D02120K工作結(jié)溫范圍、存儲(chǔ)溫度范圍均為-55~175 ?C，滿(mǎn)足太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的工作環(huán)境，同時(shí)確保系統(tǒng)不會(huì)因?yàn)閾p耗過(guò)大導(dǎo)致結(jié)溫過(guò)高而損壞芯片，非常適合太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)等應(yīng)用。芯片采用TO-220-2封裝方式，小尺寸，可節(jié)省空間。

綜上所述，基本半導(dǎo)體的碳化硅肖特基二極管B1D02120K具有極低損耗、高工作電壓、高效率等優(yōu)勢(shì)，該芯片還可替代科銳C4D02120A、英飛凌IDH02G120C5、意法半導(dǎo)體STPSC2H12D，為太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)提供優(yōu)勢(shì)解決方案，具有巨大的市場(chǎng)前景。

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