安森德MOS管ASDM100R066NQ助力激光電源設計，導通電阻低至5.9mΩ?

在激光電源產品上主要以ACDC為主，功率拓撲為PFC+LLC。由于目前全球疫情、自然災害等因素，導致進口器件在供貨方面有很大影響，交期拉長，影響產品出貨，很多廠家為了避免供貨風險，逐漸傾向于找國產品牌替代以緩解交期和成本上的壓力。

本文重點介紹國產安森德MOS管ASDM100R066NQ助力激光電源設計，采用PFC+LLC的方案，如下圖所示。采用安森德4顆分立的MOS ASDM100R066NQ組成全橋LLC拓撲，PDFN5*6-8小體積封裝有利于PCB靈活布線，導通電阻低至5.9mΩ，可減少導通損耗，提高轉換效率。

激光電源的主功率框圖

針對激光電源上的LLC主功率部分功率MOS管的選型需要注意以下幾點：

1、目前電壓為70V，MOS的耐壓需要留1.5倍以上的耐壓余量，防止極限工況下，電壓應力超標；

2、由于電源的體積以及高溫環(huán)境限制，因此MOS管要選擇更低的導通電阻值，更小的封裝，可有效降導通損耗減小發(fā)熱量；

3、ID連續(xù)漏極電流需要有一定的余量，來有效抵抗過流、短路工況下，電流應力超標；

4、由于設計的電源尺寸比較小，需要選擇較小封裝貼片的MOS管，如5*6或者8*8等。

ASDM100R066NQ封裝尺寸

國產安森德MOS管ASDM100R066NQ助力激光電源設計，具有幾下幾點優(yōu)勢：

1、最高耐壓為100V，滿足母線電壓系統(tǒng)，耐壓余量大，防止MOS管在短路等極限工況下，產生的電壓尖峰而損壞；

2、在VGS=10V，ID=68A測試條件下，導通電阻最大為2.9mΩ，可降低MOS的整體損耗，減少發(fā)熱量，提高轉換效率；

3、在VDD=50V，ID=13.5A，VGS=10V測試條件下，柵極電荷僅45nc，具有更好的開關特性；

4、ID為68A，108W的耗散功率具有較高的電流余量；140A的峰值浪涌電流，可有效抵抗輸出短路、過流等工況；

5、采用PDFN5*6-8封裝，通用封裝可替換市面大部分廠商器件，封裝小可靈活的進行PCB布局，電源小型化設計；

6、成熟批量出貨器件，供貨交期、價格均有很好的保障。