導(dǎo)通內(nèi)阻僅50mΩ的N溝道MOS管ASDM60N03ZA用于鬧鐘模塊，可降低系統(tǒng)整體功耗水平

在鬧鐘模塊設(shè)計(jì)中需要控制蜂鳴器電路的導(dǎo)通來(lái)控制蜂鳴器的發(fā)聲與否，常常有兩種方式可以實(shí)現(xiàn)電路導(dǎo)通的控制：

1、通過(guò)三極管作為開(kāi)關(guān)器件控制電路導(dǎo)通；

2、通過(guò)MOS作為開(kāi)關(guān)器件控制電路導(dǎo)通。

但是三級(jí)管的內(nèi)阻比MOS的內(nèi)阻大，意味著其電路導(dǎo)通時(shí)電流通過(guò)三極管時(shí)消耗的能力比MOS消耗的能量要多得多，因此在低功耗場(chǎng)景下往往優(yōu)先選擇MOS作為開(kāi)關(guān)器件控制電路。本文推薦安森德的N溝道MOS管ASDM60N03ZA用于鬧鐘模塊來(lái)降低系統(tǒng)整體功耗水平。

鬧鐘模塊常見(jiàn)的應(yīng)用電路圖如圖所示：

MCU通過(guò)輸出高低電平信號(hào)來(lái)控制ASDM60N03ZA的導(dǎo)通與否，因?yàn)镸CU輸出的高電平信號(hào)一般為3.3V左右，因此N-MOS的閾值電壓Vgsth需小于3.3V才能在MCU輸出高電平時(shí)能完全導(dǎo)通，MCU的低電平信號(hào)為0V左右所以閾值電壓Vgsth的最小值要大于0V，ASDM60N03ZA的閾值電壓為1V到2.5V滿(mǎn)足上述要求，且不易造成誤導(dǎo)通情況的發(fā)生，同時(shí)ASDM60N03ZA的導(dǎo)通內(nèi)阻僅為50mΩ，大大減少因?yàn)閮?nèi)阻做功消耗掉的能量。

ASDM60N03ZA封裝圖

以下為ASDM60N03ZA的其他優(yōu)勢(shì)點(diǎn)：

1、漏源電壓Vds=60V，滿(mǎn)足絕大多數(shù)電池供電產(chǎn)品的耐壓要求。

2、漏級(jí)電流Id=3A，可適用于3A以下的電源電路中，在消費(fèi)領(lǐng)域適用范圍廣。

3、可Pin to Pin替代AOS/美國(guó)萬(wàn)代的A03416，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)口。

國(guó)芯思辰批量供應(yīng)安森德ASDM60N03ZA，有需要的客戶(hù)可在國(guó)芯思辰官網(wǎng)進(jìn)行樣品申請(qǐng)。

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