在上一章中,我們介紹了基于RJGT101D6的兩觸點加密煙彈方案的基本原理,本章將詳細(xì)介紹具體實施方案。包括如何選用低成本的MOS管搭建開關(guān)電路,煙桿主控MCU是如何與煙彈加密芯片RJGT101D6進(jìn)行雙向數(shù)據(jù)交互的。
我們知道二極管、晶體管和MOS管都是電子電路中的基本開關(guān)器件,但它們在應(yīng)用中有一些區(qū)別。首先二極管和三極管是電流控制元件,而MOS管是電壓控制元件,同樣條件下MOS管的功耗更低。其次,MOS管導(dǎo)通時導(dǎo)通壓降小接近于0V,三級管和二極管的最低導(dǎo)通壓降要大于0.3V。由此可見選用MOS管做電子煙的開關(guān)電路更加合適。
從電路原型中可以看出,煙桿供電方向的切換電路實際上是一個整流全橋電路。我們用MOS管搭建了一個整流全橋電路,為了減少M(fèi)CU控制端口的數(shù)量,我們用P-MOS管做上橋臂,用N-MOS管做下橋臂,這也有利于簡化驅(qū)動電路,可以分別用RJM8L003的P03和P04端口直接驅(qū)動這2個橋臂。如圖1所示。
圖1 MOS管搭建的兩線加密煙彈電路因為RJGT101D6的RSD腳既是電源輸入腳又是數(shù)據(jù)通信腳,當(dāng)它做為數(shù)據(jù)通信腳時需要外部上拉電阻才能輸出高電平,所以我們在2個上橋臂上增加1個公用的2.2KΩ上拉電阻后到電源VCC。發(fā)熱絲工作時需要1A以上的電流,不能用有上拉電阻的H橋來驅(qū)動,因為上拉電阻會限制輸出電流,需要另外設(shè)計2個上橋臂,也就是圖中的MOS5和MOS6。當(dāng)發(fā)熱絲需要工作當(dāng)時,MOS5或者M(jìn)OS6導(dǎo)通,電池電流直接驅(qū)動發(fā)熱絲,最后通過下橋臂MOS2或者M(jìn)OS4流入到GND。
上一章中提到,我們將煙彈內(nèi)部的發(fā)熱絲和加密芯片RJGT101D6采用串聯(lián)連接。因為只有RJGT101D6是由極性的,我們考慮設(shè)計一個單向旁路電路與RJGT101D6并聯(lián),實現(xiàn)RJGT101D6正向工作反向旁路的效果。經(jīng)過驗證我們選用了P-MOS管設(shè)計單向旁路電路,當(dāng)然也可以用N-MOS管。但不能用二極管,因為二級管的正向?qū)▔航荡笥?.3V,相當(dāng)于給RJGT101D6提供了負(fù)0.3V的工作電壓,這會導(dǎo)致其損壞。事實上很多邏輯芯片的工作電壓都不能小于負(fù)0.3V。發(fā)熱絲和RJGT101D6不能并聯(lián)也是出于過高的負(fù)電壓會損壞RJGT101D6考慮的,因為發(fā)熱絲的瞬時壓降會到達(dá)3V以上。
開關(guān)電路搭建好了,下一步是考慮如何設(shè)計驅(qū)動電路。電子煙內(nèi)部通常采用3.6V的單節(jié)鋰電池供電,MCU的GPIO輸出電壓最大3.6V,能否用3.6V直接驅(qū)動開關(guān)取決于我們選用的MOS管開關(guān)參數(shù),只要VGS(th)閾值電壓低于3V的都可以。還要關(guān)注MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(ON),因為RDS(ON)越低其導(dǎo)通壓降也越低,但成本也越高。做為發(fā)熱絲工作通路的MOS管要選用RDS(ON)低于100mΩ的,而做為RJGT101D6工作通路的MOS管就可以適當(dāng)放寬一點。試驗中我們選用的N-MOS為Si2302,P-MOS為CJ3401A,其性能指標(biāo)如表1所示,并且這2個通用型號有很多品牌廠家在生產(chǎn),價格低廉容易采購。
表1 MOS管選型表MOS管開關(guān)電路搭建好了之后,主控MCU是如何向煙彈的RJGT101D6發(fā)送高低電平信號的,我們還是從煙彈正插時的情況分析,如圖2所示。P00始終保持為輸入端口,P01、P02、P04設(shè)置為輸出高電平1,此時MOS3斷開MOS4閉合,MOS5和MOS6都斷開,MCU通過P03向RJGT101D6發(fā)送數(shù)據(jù),當(dāng)P03輸出低電平0,MOS1閉合MOS2斷開,即可向RJGT101D6發(fā)送1個高電平位。當(dāng)P03輸出高電平1,MOS1斷開MOS2閉合,即可向RJGT101D6發(fā)送1個低電平位。煙彈反插時,MCU是通過P04向RJGT101D6發(fā)送數(shù)據(jù),具體分析就不再贅述。
圖2 主控MCU發(fā)送數(shù)據(jù)的原理主控MCU是通過P00端口讀取RJGT101D6的返回數(shù)據(jù),如圖3所示。煙彈正插時,P00設(shè)置為輸入端口,P01、P02、P04設(shè)置為輸出高電平1,P03設(shè)置為輸出低電平0,此時MOS3斷開MOS4閉合,MOS5和MOS6都斷開,MOS1閉合MOS2斷開。此時RSD引腳輸出的高低電平可通過MOS1輸入到P00腳的。而煙彈反插時,RSD引腳輸出的高低電平是通過MOS3輸入到P00腳的。
圖3 主控MCU讀取數(shù)據(jù)的原理這就是基于瑞納捷半導(dǎo)體的RJGT101D6加密芯片設(shè)計的兩線加密煙彈方案,方案在不改變傳統(tǒng)煙彈外觀的情況下,做到了簡單、低成本、易于實施的設(shè)計目標(biāo),可適用于傳統(tǒng)電子煙的改造升級,也可用于醫(yī)療耗材、辦公耗材的加密防偽。
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半導(dǎo)體芯片
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