0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

12.2 高溫集成電路∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-04-28 14:53 ? 次閱讀

12.2 高溫集成電路

第12章專用碳化硅器件及應用

《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

d772815a-c64d-11ec-8521-dac502259ad0.jpg

d79c0156-c64d-11ec-8521-dac502259ad0.jpg

d7c9872a-c64d-11ec-8521-dac502259ad0.jpg

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 集成電路
    +關注

    關注

    5391

    文章

    11593

    瀏覽量

    362530
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延片生長裝置

    一、引言 隨著半導體技術的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種具有優(yōu)異物理和化學性質的材料,在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。高質量、大面積的SiC外延片是實現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 01-07 15:19 ?193次閱讀
    鐘罩式熱壁<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>高溫</b>外延片<b class='flag-5'>生長</b>裝置

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對
    發(fā)表于 01-04 12:37

    高溫大面積碳化硅外延生長裝置及處理方法

    碳化硅(SiC)作為一種具有優(yōu)異物理和化學性質的半導體材料,在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。高質量、大面積的SiC外延生長是實現(xiàn)高性能SiC器件制造的關鍵環(huán)節(jié)。然而
    的頭像 發(fā)表于 01-03 15:11 ?156次閱讀
    <b class='flag-5'>高溫</b>大面積<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生長</b>裝置及處理方法

    8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結構

    隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域的廣泛應用,高質量、大面積的SiC外延生長技術變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當前及未來一段時間內的主流尺寸,其外延生長
    的頭像 發(fā)表于 12-31 15:04 ?144次閱讀
    8英寸單片<b class='flag-5'>高溫</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生長</b>室結構

    碳化硅SiC在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)

    碳化硅(SiC)在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)非常出色,這得益于其獨特的物理和化學性質。以下是對碳化硅高溫環(huán)境下表現(xiàn)的分析: 一、高溫穩(wěn)定性
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:37 ?829次閱讀

    碳化硅功率器件在能源轉換中的應用

    碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉換技術,因其優(yōu)異的性能在能源領域受到了廣泛的關注。本文將介紹碳化硅功率器件
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:04 ?251次閱讀

    碳化硅功率器件的工作原理和應用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點,使其在高效能、高頻率和
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?651次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的工作原理和應用

    碳化硅功率器件的優(yōu)點和應用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領域的一項革命性技術。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?598次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點和應用

    碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢

    碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導體材料的電力電子器件,近年來在功率電子領域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件相比,
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:25 ?642次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>有哪些優(yōu)勢

    探究電驅動系統(tǒng)中碳化硅功率器件封裝的三大核心技術

    在電動汽車、風力發(fā)電等電驅動系統(tǒng)中,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的性能逐漸取代了傳統(tǒng)的硅基功率器件。然而,要充分發(fā)揮碳化硅功率器件的優(yōu)勢,其封裝
    的頭像 發(fā)表于 08-19 09:43 ?423次閱讀
    探究電驅動系統(tǒng)中<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>封裝的三大核心<b class='flag-5'>技術</b>

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢和分類

    碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應用。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:22 ?628次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)勢和分類

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標準
    發(fā)表于 03-08 08:37

    碳化硅功率器件基本原理、性能優(yōu)勢、應用領域

    碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用
    發(fā)表于 02-29 14:23 ?1690次閱讀

    簡單認識碳化硅功率器件

    隨著能源危機和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網(wǎng)等領域的應用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點
    的頭像 發(fā)表于 02-21 09:27 ?1195次閱讀

    碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

    共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導體襯底材料,根據(jù)電阻率不同可分為導電型、半絕緣型。導電型襯底可用于生長
    的頭像 發(fā)表于 01-17 17:55 ?687次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>產(chǎn)業(yè)鏈圖譜