Ancillaries
http://www.kempur.com
審稿人:復(fù)旦大學(xué) 鄧海
https://www.fudan.edu.cn
9.5 光掩模和光刻膠材料
第9章 集成電路專用材料
《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
光刻膠
+關(guān)注
關(guān)注
10文章
321瀏覽量
30294
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
光刻膠成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料
光刻膠是半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域的一種重要材料,在整個電子元器件加工產(chǎn)業(yè)有著舉足輕重的地位。 它主要由感光樹脂、增感劑和溶劑等成分組成。其中,感光樹脂決定了光刻膠的感光度和分辨率等關(guān)鍵性能,增感劑有助于提高
一文看懂光刻膠的堅膜工藝及物理特性和常見光刻膠
共讀好書關(guān)于常用光刻膠型號也可以查看這篇文章:收藏!常用光刻膠型號資料大全,幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識星球,領(lǐng)取公眾號資料
掩膜版與光刻膠的功能和作用
是作為設(shè)計圖形的載體,通過光刻過程將掩膜版上的設(shè)計圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上,再經(jīng)過刻蝕,將圖形刻到襯底上,從而實現(xiàn)圖形到硅片的轉(zhuǎn)移。掩膜版的精度和質(zhì)量在很大程度上決定了集成電路最終產(chǎn)品的質(zhì)量。在制造過程中,掩膜版
如何成功的烘烤微流控SU-8光刻膠?
在微流控PDMS芯片加工的過程中,需要使用烘膠臺或者烤膠設(shè)備對SU-8光刻膠或PDMS聚合物進行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進行2-3次。本文簡要介紹SU-8
導(dǎo)致光刻膠變色的原因有哪些?
存儲時間 正膠和圖形反轉(zhuǎn)膠在存儲數(shù)月后會變暗,而且隨著儲存溫度升高而加速。因為該類型光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料,在 可見光譜的部分具有很強的吸收能力,對紫外靈敏度沒有任何影響。這種變色過程
光刻膠的硬烘烤技術(shù)
根據(jù)光刻膠的應(yīng)用工藝,我們可以采用適當(dāng)?shù)姆椒▽σ扬@影的光刻膠結(jié)構(gòu)進行處理以提高其化學(xué)或物理穩(wěn)定性。通常我們可以采用烘烤步驟來實現(xiàn)整個光刻膠結(jié)構(gòu)的熱交聯(lián),稱為硬烘烤或者堅膜?;蛲ㄟ^低劑量紫外線輻照
光刻膠的一般特性介紹
評價一款光刻膠是否適合某種應(yīng)用需要綜合看這款光刻膠的特定性能,這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度(sensitivity)是衡量曝光速度的指標(biāo)。光刻膠的靈敏度越高,所
光刻膠后烘技術(shù)
后烘是指(post exposure bake-PEB)是指在曝光之后的光刻膠膜的烘烤過程。由于光刻膠膜還未顯影,也就是說還未閉合,PEB也可以在高于光刻膠軟化溫度的情況下進行。前面的文章中我們在
光刻膠的圖形反轉(zhuǎn)工藝
圖形反轉(zhuǎn)膠是比較常見的一種紫外光刻膠,它既可以當(dāng)正膠使用又可以作為負(fù)膠使用。相比而言,負(fù)膠工藝更被人們所熟知。本文重點介紹其負(fù)
光刻膠的保存和老化失效
我們在使用光刻膠的時候往往關(guān)注的重點是光刻膠的性能,但是有時候我們會忽略光刻膠的保存和壽命問題,其實這個問題應(yīng)該在我們購買光刻膠前就應(yīng)該提出并規(guī)劃好。并且,在
關(guān)于光刻膠的關(guān)鍵參數(shù)介紹
與正光刻膠相比,電子束負(fù)光刻膠會形成相反的圖案?;诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解,而曝光的光刻膠
瑞紅集成電路高端光刻膠總部落戶吳中
據(jù)吳中發(fā)布的最新消息,簽約項目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項目,該項投資高達(dá)15億元,旨在新建半導(dǎo)體光刻膠及其配套試劑的生產(chǎn)基地。
評論