0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

6.1.1 選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-01-06 09:17 ? 次閱讀

6.1.2 n型區(qū)的離子注入

6.1 離子注入

第6章碳化硅器件工藝

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

952f334e-69b7-11ec-8d32-dac502259ad0.jpg

958347fe-69b7-11ec-8d32-dac502259ad0.jpg

95eda9dc-69b7-11ec-8d32-dac502259ad0.jpg

962dd3ea-69b7-11ec-8d32-dac502259ad0.jpg

96a1c3f4-69b7-11ec-8d32-dac502259ad0.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    30

    文章

    2986

    瀏覽量

    63438
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    國內(nèi)碳化硅功率器件設(shè)計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結(jié)果

    器件設(shè)計公司正在加速被市場拋棄:碳化硅功率器件設(shè)計公司出現(xiàn)倒閉潮,這是是市場集中化的必然結(jié)果。結(jié)合英飛凌、安森美等企業(yè)的業(yè)務(wù)動態(tài),可從以下維度分析這一趨勢: 1. 技術(shù)壁壘與產(chǎn)能競賽:
    的頭像 發(fā)表于 02-24 14:04 ?252次閱讀
    國內(nèi)<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>設(shè)計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結(jié)果

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?267次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積<b class='flag-5'>技術(shù)</b>介紹

    碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

    碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細解析
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:21 ?203次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測技術(shù)

    在高效電能轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域具有不可替代的優(yōu)勢,正逐漸成為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的主流選擇。碳化硅器件技術(shù)挑戰(zhàn)盡管SiC器件性能優(yōu)越,但其單晶和外延材料
    的頭像 發(fā)表于 12-06 17:25 ?853次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:04 ?358次閱讀

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點,使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢。本
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?861次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)點和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?780次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點和應(yīng)用

    碳化硅功率器件技術(shù)優(yōu)勢

    隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制,已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長的高性能、高效率、高可靠的應(yīng)用需求。在這一背景下,碳化硅(SiC)功率
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:43 ?431次閱讀

    探究電驅(qū)動系統(tǒng)中碳化硅功率器件封裝的三大核心技術(shù)

    在電動汽車、風(fēng)力發(fā)電等電驅(qū)動系統(tǒng)中,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的性能逐漸取代了傳統(tǒng)的硅基功率器件。然而,要充分發(fā)揮碳化硅功率器件的優(yōu)勢,其封裝
    的頭像 發(fā)表于 08-19 09:43 ?549次閱讀
    探究電驅(qū)動系統(tǒng)中<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>封裝的三大核心<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    碳化硅器件的應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)挑戰(zhàn)

      碳化硅(SiC)是一種以碳和硅為主要成分的半導(dǎo)體材料,近年來在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用迅速發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅材料,碳化硅具有更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率和更高的電子飽和速度等優(yōu)異特性,使其在高功率、高頻和高溫等極端條件下表現(xiàn)出色。
    的頭像 發(fā)表于 08-07 16:42 ?711次閱讀

    碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較

    過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件
    的頭像 發(fā)表于 05-30 11:23 ?1077次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)功率<b class='flag-5'>器件</b>的開關(guān)性能比較

    碳化硅器件的類型及應(yīng)用

    碳化硅是一種廣泛用于制造半導(dǎo)體器件的材料,具有比傳統(tǒng)硅更高的電子漂移率和熱導(dǎo)率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作,同時保持穩(wěn)定性和效率。
    發(fā)表于 04-16 11:54 ?875次閱讀

    碳化硅芯片設(shè)計:創(chuàng)新引領(lǐng)電子技術(shù)的未來

    隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性能,在功率電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。碳化硅芯片的設(shè)計和制造是實現(xiàn)其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵環(huán)節(jié)
    的頭像 發(fā)表于 03-27 09:23 ?1362次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>芯片設(shè)計:創(chuàng)新引領(lǐng)電子<b class='flag-5'>技術(shù)</b>的未來

    碳化硅功率器件特性及基本原理

    碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比,具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強度和熱導(dǎo)率。
    發(fā)表于 03-19 11:12 ?787次閱讀