0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

無(wú)壓燒結(jié)銀工藝和有壓燒結(jié)銀工藝流程區(qū)別

善仁(浙江)新材料科技有限公司 ? 2022-04-08 10:11 ? 次閱讀

無(wú)壓燒結(jié)銀工藝和有壓燒結(jié)銀工藝流程區(qū)別

如何降低納米燒結(jié)銀的燒結(jié)溫度、減少燒結(jié)裂紋、降低燒結(jié)空洞率、提高燒結(jié)體的致密性和熱導(dǎo)率成為目前研究的重要內(nèi)容。

燒結(jié)銀的燒結(jié)工藝流程就顯得尤為重要了。善仁新材研究院根據(jù)客戶的使用情況,總結(jié)出燒結(jié)銀的工藝流程供大家參考:

一 AS9375無(wú)壓燒結(jié)銀工藝流程:

1清潔粘結(jié)界面

2界面表面能太低,建議增加界面表面能

3粘結(jié)尺寸過(guò)大時(shí),建議一個(gè)界面開導(dǎo)氣槽

4一個(gè)界面涂布燒結(jié)銀時(shí),涂布的要均勻

5另外一個(gè)界面放燒結(jié)銀上時(shí),建議加一點(diǎn)壓力到上界面壓一下

6燒結(jié)時(shí)需逐步階梯升溫到一定的溫度,比如3分鐘升高5度等

7燒結(jié)結(jié)束時(shí),建議在烘箱中逐步降溫到室溫再把器件拿出。

二 AS9385加壓燒結(jié)銀工藝流程:

1清潔粘結(jié)界面

2界面表面能太低,建議增加界面表面能

3粘結(jié)尺寸過(guò)大時(shí),建議一個(gè)界面開導(dǎo)氣槽

4一個(gè)界面涂布燒結(jié)銀時(shí),涂布的要均勻

5另外一個(gè)界面放燒結(jié)銀上時(shí),建議加一點(diǎn)壓力到上界面壓一下

6預(yù)烘階段:150度20-30分鐘,界面是銅的基底建議氮?dú)獗Wo(hù)(金或者銀除外)

7預(yù)壓階段:150度加壓0.5-1MPa,時(shí)間為:1-3秒;

8本壓階段:220-280度加壓10-30MPa,時(shí)間2-6分鐘;

9燒結(jié)結(jié)束時(shí),建議在烘箱中逐步降溫到室溫再把器件拿出。

三 其他建議:

善仁新材研究院在燒結(jié)銀塊體的性能研究發(fā)現(xiàn):隨燒結(jié)溫度升高和壓力加大,燒結(jié)體密度和硬度逐漸增大,尤其在分散劑的分解溫度和原子擴(kuò)散重排溫度區(qū)間,增大的趨勢(shì)更加明顯;與此同時(shí),燒結(jié)溫度越高,燒結(jié)銀塊體的熱導(dǎo)率也跟著增大,280℃燒結(jié)銀的熱導(dǎo)率已達(dá)到276W/(m·K)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 導(dǎo)電膠
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    100

    瀏覽量

    11640
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    燒結(jié)在智能機(jī)器人的應(yīng)用

    燒結(jié)作為一種經(jīng)過(guò)特殊工藝處理的導(dǎo)電材料,近年來(lái)在智能機(jī)器人領(lǐng)域的應(yīng)用逐漸凸顯出其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。本文將深入探討燒結(jié)在智能機(jī)器人中的應(yīng)用現(xiàn)狀、技
    的頭像 發(fā)表于 12-26 16:34 ?59次閱讀

    燒結(jié)在衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)中的四大應(yīng)用

    無(wú)燒結(jié)作為一種先進(jìn)的連接材料,近年來(lái)在衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)作為新一代通信技術(shù)的重要組成部分,旨在通過(guò)衛(wèi)星實(shí)現(xiàn)全球無(wú)縫覆蓋的高速互聯(lián)網(wǎng)接入。這一目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 11-17 15:39 ?216次閱讀

    裸硅芯片無(wú)燒結(jié),助力客戶降本增效

    作為全球燒結(jié)的領(lǐng)航者,善仁新材重“芯“出發(fā),再次開發(fā)出引領(lǐng)燒結(jié)銀行業(yè)的革命----推出裸硅芯片的無(wú)
    的頭像 發(fā)表于 10-29 18:16 ?353次閱讀

    低溫無(wú)燒結(jié)在射頻通訊上的5大應(yīng)用,除此之外,燒結(jié)還有哪些應(yīng)用呢?歡迎補(bǔ)充

    **低溫無(wú)燒結(jié)在射頻通訊上的5大應(yīng)用 SHAREX善仁新材推出在射頻通訊領(lǐng)域的無(wú)
    發(fā)表于 09-29 16:26

    燒結(jié)AS9378火爆的六大原因

    低溫燒結(jié)AS9378近年來(lái)在電子材料領(lǐng)域迅速崛起,其火爆程度令人矚目。這款采用納米技術(shù)和低溫燒結(jié)工藝的高性能材料,憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在眾多應(yīng)用中脫穎而出。以下,我們將深入探討低溫
    的頭像 發(fā)表于 09-20 17:27 ?404次閱讀

    半導(dǎo)體IGBT采用燒結(jié)工藝(LTJT)的優(yōu)勢(shì)探討

    IGBT模塊對(duì)高可靠性的需求。在這一背景下,燒結(jié)工藝(LTJT)作為一種新型連接技術(shù),正逐漸成為IGBT封裝領(lǐng)域的研究與應(yīng)用熱點(diǎn)。
    的頭像 發(fā)表于 07-19 10:23 ?815次閱讀
    半導(dǎo)體IGBT采用<b class='flag-5'>銀</b><b class='flag-5'>燒結(jié)</b><b class='flag-5'>工藝</b>(LTJT)的優(yōu)勢(shì)探討

    燒結(jié)選購(gòu)指南:新能源車的核心材料之一

    AS9375無(wú)燒結(jié)系列
    的頭像 發(fā)表于 07-15 11:27 ?360次閱讀

    無(wú)燒結(jié)VS燒結(jié):誰(shuí)更勝一籌?

    及其合金在電子、電力、航空航天等眾多領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。為了提高材料的物理和機(jī)械性能,常采用燒結(jié)工藝進(jìn)行材料制備。燒結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 07-13 09:05 ?1583次閱讀
    <b class='flag-5'>無(wú)</b><b class='flag-5'>壓</b><b class='flag-5'>燒結(jié)</b><b class='flag-5'>銀</b>VS<b class='flag-5'>有</b><b class='flag-5'>壓</b><b class='flag-5'>燒結(jié)</b><b class='flag-5'>銀</b>:誰(shuí)更勝一籌?

    燒結(jié)賦“芯”生,引領(lǐng)半導(dǎo)體革命

    GVF9880預(yù)燒結(jié)焊片用于碳化硅模組。
    的頭像 發(fā)表于 06-17 18:10 ?741次閱讀
    <b class='flag-5'>燒結(jié)</b><b class='flag-5'>銀</b>賦“芯”生,引領(lǐng)半導(dǎo)體革命

    150度無(wú)燒結(jié)用于功率器件,提升效率降低成本

    150度無(wú)燒結(jié)用于功率器件,提升效率降低成本 全球燒結(jié)的領(lǐng)導(dǎo)者善仁新材不斷超越自己,革新自
    的頭像 發(fā)表于 05-23 20:25 ?314次閱讀

    TPAK SiC優(yōu)選解決方案:燒結(jié)+銅夾Clip無(wú)燒結(jié)

    TPAK SiC優(yōu)選解決方案:燒結(jié)+銅夾Clip無(wú)
    的頭像 發(fā)表于 04-25 20:27 ?711次閱讀
    TPAK SiC優(yōu)選解決方案:<b class='flag-5'>有</b><b class='flag-5'>壓</b><b class='flag-5'>燒結(jié)</b><b class='flag-5'>銀</b>+銅夾Clip<b class='flag-5'>無(wú)</b><b class='flag-5'>壓</b><b class='flag-5'>燒結(jié)</b><b class='flag-5'>銀</b>

    基于低溫焊料的真空燒結(jié)工藝研究

    功率芯片載體裝配工藝中應(yīng)用廣泛。傳統(tǒng)的手工燒結(jié)方式具有熔融時(shí)間長(zhǎng)、生產(chǎn)效率低、可靠性差等缺點(diǎn),通過(guò)對(duì)基于銦鉛低溫焊料的真空燒結(jié)工藝的助焊劑
    的頭像 發(fā)表于 03-19 08:44 ?906次閱讀
    基于低溫焊料的真空<b class='flag-5'>燒結(jié)</b><b class='flag-5'>工藝</b>研究

    燒結(jié)原理、燒結(jié)工藝流程燒結(jié)膏應(yīng)用

    燒結(jié)原理、燒結(jié)工藝流程燒結(jié)膏應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 01-31 16:28 ?3208次閱讀
    <b class='flag-5'>燒結(jié)</b><b class='flag-5'>銀</b>原理、<b class='flag-5'>銀</b><b class='flag-5'>燒結(jié)</b><b class='flag-5'>工藝流程</b>和<b class='flag-5'>燒結(jié)</b><b class='flag-5'>銀</b>膏應(yīng)用

    晶圓級(jí)封裝用半燒結(jié)漿粘接工藝

    共讀好書 李志強(qiáng) 胡玉華 張巖 翟世杰 (中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所) 摘要: 選取了一種半燒結(jié)漿進(jìn)行粘接工藝研究,通過(guò)剪切強(qiáng)度測(cè)試和空洞率檢測(cè)確定了合適的點(diǎn)膠工藝參數(shù),并
    的頭像 發(fā)表于 01-17 18:09 ?914次閱讀
    晶圓級(jí)封裝用半<b class='flag-5'>燒結(jié)</b>型<b class='flag-5'>銀</b>漿粘接<b class='flag-5'>工藝</b>

    IGBT模塊燒結(jié)工藝大揭秘,成本降低與性能提升雙贏策略

    隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)作為其中的核心功率器件,在電力轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。為了提高IGBT模塊的可靠性和性能,燒結(jié)工藝和引線鍵合工藝
    的頭像 發(fā)表于 01-06 09:35 ?1815次閱讀
    IGBT模塊<b class='flag-5'>銀</b><b class='flag-5'>燒結(jié)</b><b class='flag-5'>工藝</b>大揭秘,成本降低與性能提升雙贏策略