變頻電源驅(qū)動IGBT控制原理是怎樣的？

常用的過電流保護措施包括硬件關(guān)閉和軟件關(guān)閉。硬件關(guān)閉意味著在檢測到過流和短路信號時，頁腳的輸出為高，門信號被快速阻止以禁用IGBT。但是，一旦檢測到過電流信號就關(guān)閉了硬件，則輸出會連續(xù)跳躍，這可能會導(dǎo)致故障。為了提高保護電路的抗干擾能力，在硬件短路保護信號之后，即通過F信號，增加了軟件阻斷功能。

保護電路設(shè)置：如果負(fù)載繼續(xù)短路，則變頻器中的這些集成電路可能會使IGBT承受數(shù)毫秒的重復(fù)高電流脈沖。短路期間的強電流脈沖會危及IGBT的安全，并可能導(dǎo)致不可逆轉(zhuǎn)的損壞。因此，一旦負(fù)載短路，應(yīng)盡可能減少IGBT短路過電流的工作時間，從而應(yīng)通過外部電路來阻止輸入控制信號，以“防止IGBT短路”。持續(xù)傳輸。高電流脈沖。僅集成驅(qū)動器電路不足以完全保護IGBT，必須添加輔助保護電路以禁用輸入驅(qū)動信號。

IGBT的控制原理(部分或全部)取決于柵極射極電壓。

1、關(guān)閉。如果在柵極上施加負(fù)偏壓或柵極電壓低于閾值，則該溝道被禁止，N區(qū)域中不會注入空穴，在所有情況下，集電極電流都會隨著電流MOsF的快速下降而逐漸減小。開關(guān)階段，因為在開關(guān)開始之后，N層中仍然有載流子(少數(shù)載流子)，剩余電流(工作后的電流)值的減小就完成了

2、導(dǎo)通。 IGBT硅芯片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET的結(jié)構(gòu)非常相似。主要區(qū)別在于IGBT的P增加。

3、反向阻斷。當(dāng)對收集鼓施加反向偏壓時，它會受到反向偏壓的控制，并且耗盡層將關(guān)閉以擴展到N區(qū)域。如果您將該層的厚度減小得太多，將無法實現(xiàn)有效阻斷能力。因此，這種可能性非常重要。另一方面，如果您太大地增加了該區(qū)域的大小，它將繼續(xù)增加并增加壓降。

4、激活壓降。電導(dǎo)率調(diào)制效果降低了電阻Ra并降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的電壓降;

IGBT提供的通用變頻電源已經(jīng)實現(xiàn)了實用化和串行化。討論了設(shè)備的主電路，控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)以及保持效果，抑制變壓器偏磁的方法。給出了單相變頻電源的控制電路，控制電路，保護電路和主要技術(shù)指標(biāo)的設(shè)計原理。盡管第一個晶閘管的靜態(tài)靜態(tài)電源克服了變頻單元的許多缺點，但晶閘管的關(guān)斷取決于負(fù)載或附加的關(guān)斷電路，控制復(fù)雜，性能動態(tài)也不理想，難以取得新的突破，取得技術(shù)成就。

吉事勵電子(蘇州)有限公司專業(yè)致力于電力電子變換技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用,專業(yè)生產(chǎn)變頻電源、直流電源、交流負(fù)載、直流負(fù)載、回饋式電子負(fù)載、回饋式電網(wǎng)模擬器、電池模擬器、充電樁測試負(fù)載、光伏逆變器測試設(shè)備、新能源電機電控測試電源及自動化測試系統(tǒng)等產(chǎn)品制造及解決方案廠家，是國內(nèi)電源行業(yè)與測試系統(tǒng)核心技術(shù)自動化的高新技術(shù)企業(yè)。