MOSFET基礎電路不可不知

MOSFET電路不可不知

MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET，現(xiàn)在集成電路的設計似乎是不可能的。

它們非常小，制造過程非常簡單。由于MOSFET的特性，模擬電路和數(shù)字電路都成功地實現(xiàn)了集成電路，MOSFET電路可以從大信號模型小信號模型兩種方式進行分析。

大信號模型是非線性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。小信號模型可以在大信號模型線性化的基礎上推導出來。截止區(qū)、三極管區(qū)和飽和區(qū)是MOSFET的三個工作區(qū)。當柵源電壓(VGS)小于閾值電壓(Vtn)時，器件處于截止區(qū)。當MOSFET用作放大器時，它工作在飽和區(qū)。用作開關時處于三極管或截止區(qū)。

MOSFET驅(qū)動電路

為了幫助MOSFET最大化開啟和關閉時間，需要驅(qū)動電路。如果MOSFET需要較長時間進出導通，那么我們就無法利用使用MOSFET的優(yōu)勢。這將導致MOSFET發(fā)熱，器件將無法正常工作。MOSFET驅(qū)動器通?？梢允褂米耘e電路產(chǎn)生電壓，以將柵極驅(qū)動到高于MOSFET電源電壓的電壓。

實際上，MOSFET的柵極對驅(qū)動器來說就像一個電容器，或者驅(qū)動器可以通過分別對柵極進行充電或放電來非?？焖俚卮蜷_或關閉MOSFET。

MOSFET開關電路

MOSFET工作在三個區(qū)域，截止區(qū)，三極管區(qū)和飽和區(qū)。當MOSFET處于截止三極管區(qū)域時，它可以作為開關工作。

MOSFET開關電路由兩個主要部分組成-MOSFET(按晶體管工作)和開/關控制塊。當晶體管導通時，MOSFET將電壓源傳遞給特定負載。在大多數(shù)情況下，n溝道MOSFET優(yōu)于p溝道MOSFET，因為它有幾個優(yōu)點。

在MOSFET開關電路中，漏極直接連接到輸入電壓，源極連接到負載。為了開啟n溝道MOSFET，柵源電壓必須大于閾值電壓，必須大于器件的閾值電壓。對于p溝道MOSFET，源極到柵極的電壓必須大于器件的閾值電壓。MOSFET表現(xiàn)得比BJT更好，因為MOS開關中不存在偏移電壓。

MOSFET逆變器電路

逆變器電路是數(shù)字電路設計中的基本組成部分之一(不要與功率逆變器混淆)。反相器可以直接應用于邏輯門和其他更復雜的數(shù)字電路的設計。理想逆變器的傳輸特性如下所示。

早期的MOS數(shù)字電路是使用p-MOSFET制成的。但是隨著微電子技術的進步，MOS的閾值電壓可以控制，并且MOS技術成為主導，因為NMOS的多數(shù)載流子，即電子比空穴快兩倍，PMOS的多數(shù)載流子，所以在CMOS技術出現(xiàn)之前，逆變器電路也使用N-MOS技術。這里我們討論三種類型的MOS反相電路。

阻性負載NMOS逆變器：

它是最簡單的MOSFET逆變器電路，它有一個負載電阻R和NMOS晶體管串聯(lián)在電源電壓和地之間，如下圖所示。

如果Vin小于NMOS的閾值電壓，則晶體管關閉。電容可以變?yōu)殡娫措妷?，輸出電壓等于電源電壓。當輸入大于晶體管的閾值電壓并且我們在輸出處獲得零電壓時，它的缺點是它占用了大面積的IC制造。

有源負載NMOS 逆變器

這里我們使用N個MOS晶體管作為有源負載，而不是電阻。電路中有兩種晶體管下拉晶體管將輸出電壓拉到較低的電源電壓(通常為OV)和上拉晶體管將輸出電壓拉到較高的電源電壓。

在下面的電路中，我們可以看到一個上拉和下拉NMOSFET。上拉的柵極與電源電壓短路，使其始終處于開啟狀態(tài)。

CMOS反相器：CMOS反相器是使用共享一個公共柵極的nMOS - p MOS 對構建的。P溝道晶體管用作上拉晶體管，V溝道晶體管用作下拉晶體管。

當Vin小于nMOS 的閾值時，NMOS關斷，而PMOS導通。因此，電容器將被充電至電源電壓，我們獲得等于輸出端的電源。當Vin大于nMOS 的閾值時，NMOS導通而PMOS關斷。因此，電容器將放電至電源電壓，我們在輸出端獲得等于零的電壓。

優(yōu)點是CMOS反相器電路僅在開關事件期間消耗功率，并且在電壓傳輸曲線中我們觀察到急劇轉(zhuǎn)變。但在制造過程中需要額外的工藝步驟。